专利名称：一种大尺寸超薄激光晶体的加工方法
技术领域：
本发明涉及一种超薄激光晶体的加工方法。
背景技术：
当光学零件的长度(或直径)与厚度比大于15 : 1时，通常称为薄形光学零件。
这类零件下盘后极易产生"面形变形"，当长度(或直径) 一定，厚度越薄，变形越大。
目前超薄激光晶体的加工方法为刚性上盘(即用粘接胶粘结上盘)加工，其主要
缺陷为晶体在盘上的面形与下盘后的面形不一致，也就是说晶体加工完毕，下盘后其面形 发生了变化，且变化无规律，影响面形变化的因素主要为刚性上盘存在的拉力造成晶体变
形，即抛光完毕的晶体下盘后因拉力消失，晶体弹回造成面形变形。如图(1)所示，晶体2' 上盘后，粘接胶l'在冷却后收縮使晶体2'待加工面3'变成凸状；如图(2)所示，晶体2' 待加工面3'经过加工成平面即已加工面4';如图(3)所示，晶体2'下盘后由于粘接胶l' 拉力消失，晶体2'的弹性产生了变化，晶体2'面形变形，其已加工面4'变形，下盘后由于 每个点的拉力不同，变形是无规则的。
发明内容
本发明的目的是提供一种能有效解决了超薄晶体下盘后面形变形的问题，保证了 超薄激光晶体加工完毕下盘后的面形与盘上的面形一致的大尺寸超薄激光晶体的加工方 法。
本发明的技术方案为一种大尺寸超薄激光晶体的加工方法，包括如下步骤 将在真空吸附垫无粘性的一面均匀涂上少许水，将待加工晶体放在上面，挤压真
空吸附垫，将水全部排出形成真空带，使晶体与真空吸附垫吸附牢固； 将真空吸附垫有粘性的一面贴在铝盘上； 将铝盘安装在二轴机上，根据需要加工待加工晶体的表面； 加工完毕，待晶体冷却至室温时检查晶体面形，并将晶体下盘。 为了保证晶体面形不塌边，在所述待加工晶体周围的铝盘上均匀粘贴配盘晶体， 配盘晶体的高度与待加工晶体的高度一致。 所述晶体在研磨及抛光前分别依次涂上保护漆与防水漆。由于真空吸附垫属于微 孔结构，在研磨过程中真空吸附垫微孔吸水后产生扩张效应，微孔内会渗入研磨磨料影响 抛光光洁度，因此，需在晶体研磨前及抛光前分别依次涂上保护漆(虫胶漆)与防水漆，即 先涂保护漆，后涂防水漆，保护漆的作用是便于防水漆的清洗。 所述室温是指温度在22t: 24t:范围内。由于在加工过程中会产生一定的热量， 影响晶体面形的判断，加工完后需恒温1个小时，待晶体冷却到室温(22°C 24°C )再对其 面形进行检查后下盘，确保了晶体面形在盘上与盘下一致。 所述真空吸附垫的平面形状与晶体的平面形状相一致。目的是便于真空吸附垫与 晶体的紧密贴合。
本发明的技术效果采用本发明加工超薄激光晶体，产品在下盘后的面形不会变 形，该方法加工超薄激光晶体面形能达到入/10 入/4，光洁度能达到20/10。
本发明将通过例子并参照附图的方式说明，其中 图1是现有技术中晶体上盘后粘接胶在冷却后收縮使晶体表面变成凸状的结构 示意图； 图2是现有技术中晶体表面加工成平面的结构示意图；
图3是现有技术中晶体下盘后面形产生变形的结构示意图；
图4是本发明所述晶体上盘方式的结构示意图；
图5是图4中真空吸附垫的结构示意图； 其中，附图标记为l'为粘接胶，2'为晶体，3'为待加工面，4'为已加工面，l为铝 盘，2为真空吸附垫，2-1为真空吸附垫无粘性面，2-2为真空吸附垫有粘性面，3为晶体，4为 待加工面，5为配盘晶体。
具体实施例方式
—种大尺寸超薄激光晶体的加工方法，包括如下步骤 将在真空吸附垫2无粘性的一面2-1均匀涂上少许水，将待加工晶体3放在上面， 由中间向四周用力挤压真空吸附垫2，将水全部排出，使得晶体3表面与真空吸附垫2无粘 性面之间形成真空带，从而使晶体3与真空吸附垫2吸附牢固；其中，所述真空吸附垫的平 面形状与晶体的平面形状相一致。目的是便于真空吸附垫与晶体的紧密贴合。
将真空吸附垫2有粘性的一面2-2贴在铝盘1上；为了保证晶体3面形不塌边，在 所述待加工晶体3周围的铝盘1上均匀粘贴配盘晶体5，配盘晶体5的高度与待加工晶体 3的高度一致。其晶体3上盘方式如图4所示，其中，真空吸附垫2的结构示意图如图5所 示。 将铝盘安装在二轴机上，根据需要加工待加工晶体的待加工面4 ;所述晶体在研 磨及抛光前分别依次涂上保护漆与防水漆。由于真空吸附垫属于微孔结构，在研磨过程中 真空吸附垫微孔吸水后产生扩张效应，微孔内会渗入研磨磨料影响抛光光洁度，因此，晶体 需在研磨前及抛光前分别依次涂上保护漆(或称虫胶漆)与防水漆。 加工完毕，待晶体冷却至室温时检查晶体面形，并将晶体下盘。所述室温是指温度 在22t: 24t:范围内。由于在加工过程中会产生一定的热量，影响晶体面形的判断，加工 完后需恒温1个小时，待晶体冷却到室温(22°C 24°C )再对其面形进行检查后下盘，确保 了晶体面形在盘上与盘下一致。 采用本发明加工超薄激光晶体，产品在下盘后的面形不会变形，该方法加工超薄 激光晶体面形能达到A /10 A /4，光洁度能达到20/10。 本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥 的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。 本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征，除非特别叙 述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。 本发明并不局限于前述的具体实施方式
。本发明扩展到任何在本说明书中披露的 新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。
权利要求
一种大尺寸超薄激光晶体的加工方法，其特征在于，包括如下步骤将在真空吸附垫无粘性的一面均匀涂上少许水，将待加工晶体放在上面，挤压真空吸附垫，将水全部排出形成真空带，使晶体与真空吸附垫吸附牢固；将真空吸附垫有粘性的一面贴在铝盘上；将铝盘安装在二轴机上，根据需要加工待加工晶体的表面；加工完毕，待晶体冷却至室温时检查晶体面形，并将晶体下盘。
2. 根据权利要求1所述的一种大尺寸超薄激光晶体的加工方法，其特征在于，为了保 证晶体面形不塌边，在所述待加工晶体周围的铝盘上均匀粘贴配盘晶体，配盘晶体的高度 与待加工晶体的高度一致。
3. 根据权利要求1或2所述的一种大尺寸超薄激光晶体的加工方法，其特征在于，所述 晶体在研磨及抛光前分别依次涂上保护漆与防水漆。
4. 根据权利要求1或2所述的一种大尺寸超薄激光晶体的加工方法，其特征在于，所述 室温是指温度在22°C 24t:范围内。
5. 根据权利要求1或2所述的一种大尺寸超薄激光晶体的加工方法，其特征在于，所述 真空吸附垫的平面形状与晶体的平面形状相一致。
全文摘要
本发明公开了一种超薄激光晶体的加工方法，属于晶体加工技术领域，包括将在真空吸附垫无粘性的一面均匀涂上少许水，将待加工晶体放在上面，挤压真空吸附垫，将水全部排出形成真空带，使晶体与真空吸附垫吸附牢固，将真空吸附垫有粘性的一面贴在铝盘上，将铝盘安装在二轴机上，根据需要加工待加工晶体的表面，加工完毕，待晶体冷却至室温时检查晶体面形，并将晶体下盘等步骤；采用本发明加工超薄激光晶体，产品在下盘后的面形不会变形，该方法加工超薄激光晶体面形能达到λ/10～λ/4，光洁度能达到20/10。
文档编号B24B37/07GK101722470SQ200910310318
公开日2010年6月9日 申请日期2009年11月24日 优先权日2009年11月24日
发明者刘玉清, 叶茂, 杨云龙, 王国强, 邹武应 申请人:成都东骏激光有限责任公司