专利名称：金和镍的选择蚀刻液的制作方法
技术领域：
本发明涉及对金和镍共存的材料蚀刻金和/或镍的液体及方法。
背景技术：
对于与半导体相关的以硅晶片基板或III/V族基板为基底的设备、与液晶相关的以玻璃基板为基底的设备、以聚酰亚胺材料等有机基板为基底的设备、还有采用以二氧化 硅和氧化铝等为基底的陶瓷基板的设备等，要求通过蚀刻对由贱金属和贵金属这样的不同 类金属构成的层积膜形成配线或突起等的技术。贵金属(金、银、铜、钌、铑、锇、铟及钼等)电阻抗低，容易导电，但通常与硅或玻璃 基板密合性较差。从而，在基板上成膜由密合性好的金属构成的底层膜，再在该底层膜上形 成贵金属膜。作为用于该底层膜的金属已知有对硅或玻璃基板密合性优异的钼、镍、铬、钛， 其中镍和铬在操作性上优异，从而被广泛采用。上述的组合中特别是金和镍的组合在广泛 领域被使用，对于它们的加工技术，使用化学药品的湿式蚀刻方法成为主流。通常利用二液的蚀刻处理来加工处理金和镍形成的层积膜，按照金膜、镍膜的顺 序进行蚀刻处理。金的蚀刻液多数采用王水系或碘系，但由于王水系为强酸，难以处理，并 且由于蚀刻速率与搅拌速度成反比，难以控制。另外，由于成分挥发大，王水系存在性能稳 定性较差等问题。相反，由碘、碘化物和水构成的碘系蚀刻液虽然碘会挥发一些，但是由于 金的蚀刻速率容易控制、蚀刻选择性高(溶解金而几乎不溶解镍)等理由，碘系蚀刻液成为 主流(专利文献1)。对于镍的蚀刻液可以使用双氧水+磷酸(专利文献2)、硫酸+盐酸 (专利文献3)、硝酸铈铵+过氯酸(专利文献4)、硫酸+双氧水+硝酸(专利文献5)、氯化 铁+盐酸+高分子化合物(专利文献6)等氧化剂+无机酸或无机酸混合液体系中大量的 蚀刻液。[专利文献1]特开2004-211142号公报[专利文献2]特开2006-294797号公报[专利文献3]特开2004-190054号公报[专利文献4]特开2004-59973号公报[专利文献5]特开2004-52001号公报[专利文献6]特开2000-336491号公报
发明内容
但是，对于使用2种蚀刻液的处理方法存在难以使金和镍的截面形状、侧面蚀刻 量一致，利用蚀刻液的处理工序长，与处理时间一起同装置配置有关等诸多问题。作为金和 镍的共同蚀刻液考虑了王水系，但由于王水系为强酸，难以处理，并且由于金和镍的蚀刻速 率与搅拌速度成反比，难以控制2个蚀刻速率。另外，王水系由于液体容易分解存在性能稳 定性较差等问题，从而难以实用化。对于由碘、碘化物和水构成的碘系蚀刻液可以微量蚀刻 镍，但镍的蚀刻速率几乎不能控制，并且非常低，由于镍的蚀刻花费时间，金的侧面蚀刻大。进而，存在容易产生镍残渣等问题，难以一并处理。本发明鉴于上述的课题而完成，目的在于以一液处理金和镍共存的材料，其目的之一提供在蚀刻金和镍共存的材料时控制金和/或镍的蚀刻速率的方法及蚀刻液。本发明人为了开发新的蚀刻液进行了刻苦研究，发现通过在蚀刻金和镍的碘系蚀 刻液中配合酸和/或有机溶剂、并调节配合比可以一举解决上述问题，从而完成了本发明。S卩，本发明涉及对金和镍共存的材料选择性地蚀刻金和/或镍的方法，包括对含 有碘化物和碘、以及酸和/或有机溶剂的蚀刻液的各成分的配合比进行调整。另外，本发明涉及上述方法，其中包括对碘化物和碘的重量比、以及酸和/或有机 溶剂的配合量进行调整，使得不析出碘。进而，本发明涉及对金和镍共存的材料使用的蚀刻液，含有碘化物和碘、以及酸和 /或有机溶剂。另外，本发明涉及上述蚀刻液，其中有机溶剂为从由含氮五元环化合物、有机硫化 合物、醇化合物、酮化合物和酰胺化合物构成的组中选择的1种或2种以上。进而，本发明涉及上述蚀刻液，其中有机溶剂为N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。另外，本发明涉及上述蚀刻液，其中有机溶剂为N，N- 二甲基乙酰胺(DMAc)。进而，本发明涉及上述蚀刻液，其中有机溶剂的浓度为10体积％以上。另外，本发明涉及上述蚀刻液，其中碘化物相对碘的重量比率为3以上。进而，本发明涉及上述蚀刻液，其中酸为从由无机酸和在常温为固体的有机酸构 成的组中选择的1种或2种以上。另外，本发明涉及上述蚀刻液，其中酸为从由盐酸、硫酸、硝酸、柠檬酸、丙二酸、酒 石酸、苹果酸和2，2’ -硫代二乙酸构成的组中选择的1种或2种以上。进而，本发明涉及上述蚀刻液，其中酸为盐酸。另外，本发明涉及上述蚀刻液，其中酸的浓度为5mM以上。进而，本发明涉及上述蚀刻液，其中镍和金的蚀刻速率比为(镍的蚀刻速率/金的 蚀刻速率)Ni/Au = 0. 10以上。另外，本发明涉及上述蚀刻液，其中不含有酸。进而，本发明涉及上述蚀刻液，其被用于通过调整蚀刻液中的各成分的配合比对 金和镍共存的材料选择性地蚀刻金和/或镍的方法中。本发明的蚀刻方法和蚀刻液通过在包含碘化物和碘的现有碘系蚀刻液中配合酸 和/或有机溶剂，并调整各成分的配合比，可以提高镍的蚀刻能力和/或抑制金的蚀刻，这 些在以往是困难的，还可以对应微细加工。另外，本发明的蚀刻方法和蚀刻液可以以一液处理金和镍的2层的层积膜，可以 使截面形状和侧面蚀刻量一致。在其他的方式中本发明的蚀刻方法和蚀刻液可以在仅向碘和碘化物的水溶液添 加有机溶剂的情况抑制镍的蚀刻。
图1为表示使用了盐酸的情况镍和金的蚀刻速率的图。图2为表示使用了 NMP的情况镍和金的蚀刻速率的图。
图3为表示使用了硫酸的情况镍和金的蚀刻速率的图。图4为表示使用了硝酸的情况镍和金的蚀刻速率的图。图5为表示使用了盐酸和NMP的情况镍和金的蚀刻速率的图。
具体实施方式
下面更详细地说明本发明。从与碘系蚀刻液的相溶性或溶解性的角度考虑，本发明中使用的酸优选无机酸或 在常温为固体的有机酸。在此，常温是指15 35°C。作为无机酸可举出盐酸、硫酸、硝酸、磷酸、次亚氯酸、氯酸、过氯酸、氢碘酸、次亚 碘酸、碘酸、过碘酸、氢溴酸、次亚溴酸、溴酸、过溴酸、亚硫酸、过硫酸、碳酸、亚磷酸、次亚磷 酸等。作为在常温为固体的有机酸可举出柠檬酸、丙二酸、苹果酸、酒石酸、2，2’_硫代二 乙酸、乙醇酸、马来酸、酞酸、富马酸、乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺四乙酸、二亚乙基三胺五 乙酸、谷氨酸、水杨酸等。本发明中使用的酸从镍的溶解性的角度考虑进一步优选盐酸、硫酸、硝酸、柠檬 酸、丙二酸、酒石酸、苹果酸、2，2’ -硫代二乙酸。含有2种以上这些酸的情况，可以从无机酸中选择其全部或一部分。并且，也可以 从在常温为固体的有机酸中选择全部。仅含有1种酸的情况，从镍的溶解性、蚀刻速率的稳 定性、价格的角度考虑，优选盐酸。另外，与有机溶剂同时使用的情况优选与有机溶剂的相溶性良好的酸、盐酸。本发明中使用的碘化物为碘化钾、碘化钠、碘化铵等。特别是从价格的角度考虑优 选碘化钾。碘和碘化物的重量的比率没有特别限制，优选为1 3 1 10，进一步优选为 1 5 1 10，进一步特别优选1 8 1 10。使用酸的情况碘和碘化物的重量的比率优选1 8 1 10。本发明中使用的有机溶剂从与碘系蚀刻液的相溶性的角度考虑优选含氮五元环 化合物、有机硫化合物、醇化合物、二醇化合物、三醇化合物、酮化合物、酰胺化合物。含有 2种以上这些有机溶剂的情况，可以从上述化合物组的相同组中选择其全部或一部分，也可 以从不同的化合物组中选择。作为含氮五元环化合物可举出吡咯烷酮、咪唑烷酮、噁唑、噻唑、噁二唑、噻二唑、 四唑或三唑衍生物等化合物。更具体地为N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、2_吡咯烷酮、聚 乙烯基吡咯烷酮、1-乙基-2-吡咯烷酮、1，3- 二甲基-2-咪唑烷酮、2-咪唑烷酮、2-亚氨 基-1-甲基-4-咪唑烷酮、1-甲基-2-咪唑烷酮、2，5_二(1-苯基)-1，1，3，4_噁唑、2，5_二 (1-苯基)-1，3，4-噻唑、2，5-二(1-苯基)-4，3，4-噁二唑、2，5-二(1_ 萘基)_1，3，4-噁 二唑、1，4-二 [2-(5-苯基噁二唑基)]苯、1，4_ 二 [2-(5-苯基噁二唑基)-4-叔丁基苯]、 2，5_ 二 (1-萘基)-1，3，4_ 噻二唑、2，5_ 二 (1_ 萘基)_1，3，4-噻二唑、1，4-二 [2_(5_ 苯基 噻二唑基)]苯、2，5_ 二(1-萘基)-4，3，4_三唑、1，4_ 二 [2-(5-苯基三唑基)]苯等。其 中优选与盐酸等的相溶性良好的NMP、2-吡咯烷酮、1，3- 二甲基-2-咪唑烷酮。作为有机硫化合物为二甲亚砜、巯基琥珀酸、2，2’_硫代二乙酸等。其中优选与盐酸的相溶性良好的巯基琥珀酸、2，2’ -硫代二乙酸。作为醇化合物可举出碳原子数1 10的醇，这些醇可以是饱和、不饱和、环状中任意一种结构，可以是具有2个以上羟基的多元醇。更具体地可举出甲醇、乙醇、1-丙醇、己 醇等直链醇，乙二醇、丙二醇、1，4-丁二醇、1，6-己二醇等二醇，1，2，4-丁三醇、1，2，3-丙三 醇、1，2，3-己三醇、1，2，3-庚三醇等三醇，环戊醇、环己醇等环状醇。其中优选与盐酸等的 相溶性良好的乙二醇、丙二醇、1，4_ 丁二醇。作为酰胺化合物只要具有酰胺基即可，可以具有硝基、苯基、卤素等取代基。更具 体地可举出N-甲基甲酰胺、N, N-二甲基甲酰胺、N, N-二乙基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N， N-二甲基乙酰胺(DMAc)、N-甲基丙酰胺、丙烯酰胺、己二酰二胺、乙酰胺、2-乙酰胺丙烯 酸、4-乙酰胺苯甲酸、2-乙酰胺苯甲酸甲酯、乙酰胺乙酸乙酯、4-乙酰胺苯酚、2-乙酰胺芴、 6-乙酰胺己酸、对乙酰胺苯甲醛、3-乙酰胺丙二酸二乙酯、4-乙酰胺丁酸、酰胺硫酸、酰胺 硫酸铵、阿米酚、3-氨基苯甲酰胺、对氨基苯磺酰胺、邻氨基苯甲酰胺、异烟酰胺、N-异丙基 丙烯酰胺、N-异丙基-1-哌嗪乙酰胺、脲酰胺裂合酶、2-乙氧基苯甲酰胺、芥酸酰胺、油酸 酰胺、2-氯乙酰胺、甘氨酸酰胺盐酸盐、琥珀酸酰胺、琥珀酸二酰胺、水杨酰胺、2-氰基乙酰 胺、2-氰基硫代乙酰胺、二乙酰胺、二丙酮丙烯酰胺、二异丙基甲酰胺、N, N-二异丙基异丁 基酰胺、N，N- 二乙基乙酰乙酰胺、N，N- 二乙基乙酰胺、N，N- 二乙基十二烷酸酰胺、N，N- 二 乙基烟酰胺、二氰基二酰胺、N，N- 二丁基甲酰胺、N，N- 二丙基乙酰胺、N，N- 二甲基丙酰胺、 N，N- 二甲基苯甲酰胺、硬脂酸酰胺、氨苯磺胺、磺胺苯甲酰胺、磺酰胺酸、丹酰胺、硫代乙酰 胺、硫代异烟酰胺、硫代苯甲酰胺、2-硝基苯甲酰胺、3-硝基苯甲酰胺、2-硝基苯甲酰胺、 2-硝基苯磺酰胺、3-硝基苯磺酰胺、4-硝基苯磺酰胺、吡咯啉酰胺、吡嗪酰胺、2-苯基丁基 酰胺、N-苯基苯甲酰胺、苯氧基乙酰胺、邻甲酰胺苯甲酸、邻苯二甲酰胺、富马酰胺、N- 丁基 乙酰胺、N-丁基酰胺、丙烷酰胺、丙酰胺、己酸酰胺、苯甲酰胺、苯磺酰胺、甲酰胺、丙二酸单 酰胺、丙二酰胺、甲烷磺酰胺、N-甲基苯甲酰胺、N-甲基马来酰胺酸、碘乙酰胺。其中优选与 盐酸等的相溶性良好的N-甲基甲酰胺、N, N- 二甲基乙酰胺。作为酮化合物可举出碳原子数3 10的酮，具体地有丙酮、甲乙酮、环己酮、二噁 烷、4-羟基-2-甲基戊酮、Y-丁内酯、碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯等。其中优选与盐酸等的相 溶性良好的丙酮、碳酸亚乙酯。这些有机溶剂中挥发性低的有机溶剂可以稳定地保持金和镍的蚀刻速率，因此优 选。这样的有机溶剂为含氮五元环化合物、二醇化合物、三醇化合物、酰胺化合物等。特别 优选蚀刻时润湿性也良好的NMP和DMAc。对于作为酸含有从由盐酸、硫酸、硝酸、柠檬酸、丙二酸、酒石酸、苹果酸、2，2’ -硫 代二乙酸构成的组中选择的1种或2种以上，作为有机溶剂含有从由含氮五元环化合物、有 机硫化合物、醇化合物、酮化合物、二醇化合物、三醇化合物、酰胺化合物构成的组中选择的 1种或2种以上的蚀刻液，可以更适宜地提高镍的蚀刻能力和/或抑制金的蚀刻。上述有机溶剂的使用量优选1 90体积％，更优选10 85体积％，特别优选 20 80体积％。如果在上述范围内，可以抑制镍的蚀刻能力。上述无机酸或在常温为固体的有机酸的使用量优选0. 005 3mol/L，更优选 0. 005 0. 2mol/L，特别优选0. 005 0. 05mol/L。如果在上述范围内，可以提高镍的蚀刻 能力。
混合使用有机溶剂和酸的情况，优选含有20 60体积％的有机溶剂、5 IOOmmol/L 的酸。通过改变蚀刻液中使用的无机酸或在常温为固体的有机酸的使用量，可以控制镍 和金的蚀刻速率比。
镍和金的蚀刻速率比表示镍的蚀刻速率/金的蚀刻速率(下面简称Ni/Au比)，要 求Ni/Au = 0. 10以上。如果Ni/Au = 0. 10以上，可得到提高镍的蚀刻能力和/或抑制金 的蚀刻能力的效果，从而优选。更有效地优选0.20以上。Ni/Au比为1. 00以上时，镍的蚀刻速率和金的蚀刻速率发生逆转。即，与金相比镍 更多地被蚀刻。这样的蚀刻液在镍的膜厚比金的膜厚更厚时有效，极其优选。例如如图1所示，无机酸或在常温为固体的有机酸使用盐酸的情况，对于盐酸 Ommol/L,金的蚀刻速率比镍的蚀刻速率高，而对于盐酸5mmol/L，镍的蚀刻速率比金的蚀刻 速率高，发生逆转现象。即，对于盐酸5mmol/L，Ni/Au比为1.00以上。从而，通过改变盐酸 使用量可以控制Ni/Au比。在碘和碘化物的水溶液中仅添加有机溶剂的情况具有抑制镍的蚀刻速率的效果， 例如如图2所示，对于NMP 0体积％，镍的蚀刻速率为13nm/min，而添加20体积％以上时， 基本上为0。由此，得到不溶解M、仅溶解Au的Au选择蚀刻效果。通过在含有碘和碘化物的蚀刻液中使用无机酸或在常温为固体的有机酸可以同 时蚀刻金和镍，并且通过调节其配合比可以控制金和镍的蚀刻速率比。为了提高上述蚀刻 液对基板的润湿性，防止侧面蚀刻，优选进一步添加有机溶剂。本发明的蚀刻液可以通过向公知的碘系蚀刻液添加上述无机酸或在常温为固体 的有机酸、进而添加有机溶剂，或者在水中混合碘、碘化物和该化合物来制造。并且，不事先 调制本发明的蚀刻液，通过在蚀刻时使用碘系蚀刻液和无机酸或在常温为固体的有机酸、 还有有机溶剂，也可以对金和镍进行蚀刻。作为本发明的蚀刻方法只要使用本发明的蚀刻液可以采用公知的任何方法。通常 有浸渍方式和喷雾方式，可以对应任何方式。从蚀刻液的组成变化的角度考虑优选浸渍方 式。作为具体的方法可以通过使半导体基板等材料在蚀刻液槽中静止或摇动进行金和镍 的蚀刻。蚀刻时间为1 60分钟是充分的，可以在蚀刻温度20 50°C进行。特别优选在 20 30°C蚀刻1 5分钟。使用本发明的蚀刻液进行蚀刻的材料为金和镍共存的材料、特别是具有金和镍的 层积膜的材料。具体地可举出半导体基板、硅晶片、透明导电性电极等半导体材料。其中优 选使用半导体基板。[实施例]接着，通过实施例更具体地说明本发明，但本发明并不限于这些实施例。实施例1假设在镍和金共存的玻璃上蚀刻镍而进行试验。向碘化钾100g/L、碘10g/L的蚀刻液(使用水作为溶剂)配合0、20、40、60体积％ 的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，分别调制200mL的4种蚀刻液。接着，边在液体温度30°C进 行弱搅拌边将2X2cm的金试验片和镍试验片浸渍在上述蚀刻液中1分钟而进行蚀刻。由 重量法计算出金和镍的蚀刻速率，也计算出Ni/Au比。其结果表示在表1和图2中。
通过加入NMP，镍的蚀刻速率降低，20体积％时几乎不溶解。因此，如果仅向碘系 蚀刻液添加溶剂，可以进行溶解Au而不溶解M的选择蚀刻。[表 1] 实施例2假设在镍和金共存的晶片上蚀刻镍而进行试验。向实施例1的碘化钾100g/L、碘10g/L的蚀刻液(使用水作为溶剂)配合0、5、 20、50mmol/L盐酸，分别调制200mL的4种蚀刻液。接着，与实施例1同样地边在液体温度 30°C进行弱搅拌边将2X2cm的金试验片和镍试验片浸渍在上述蚀刻液中1分钟而进行蚀 亥IJ。由重量法计算出金和镍的蚀刻速率，也计算出Ni/Au比。其结果表示在表2和图1中。可知通过添加盐酸，镍的蚀刻速率提高，Ni/Au比增加。并且可知通过改变添加剂 的浓度，镍和金的蚀刻速率发生逆转，Ni/Au比超过1. 00。[表 2] 实施例3除了将实施例2中的盐酸替换为表中所示的化合物以外，与实施例2同样地进行 蚀刻。其结果表示在表3中。硫酸、硝酸的情况结果还表示在图中(图3、4)。可知通过使 用各种无机酸或在常温为固体的有机酸，镍的蚀刻速率提高，Ni/Au比增加。并且可知通过 改变无机酸或在常温为固体的有机酸的浓度，镍和金的蚀刻速率发生逆转，Ni/Au比超过 1. 00。[表 3]
实施例4除了将实施例2中的盐酸替换为表中所示的化合物，将添加量固定为5mM以外，与 实施例2同样地进行蚀刻。其结果表示在表4中。可知通过使用各种无机酸或在常温为固 体的有机酸，镍的蚀刻速率提高，Ni/Au比增加。[表 4] 根据上述实施例可知，通过向碘系蚀刻液添加无机酸或在常温为固体的有机酸， Ni的蚀刻速率提高及M/Au比增加，但仅这样对微细部的润湿性低，从而在蚀刻高分辨率 的基板时容易产生溶解残留。作为对其改善的方法发现了除向碘系蚀刻液添加无机酸或在 常温为固体的有机酸以外还添加有机溶剂的方法。在下面表示实施例。实施例5假设在镍和金共存的晶片上蚀刻镍而进行试验。向实施例1的碘化钾100g/L、碘10g/L的蚀刻液(使用水作为溶剂)加入20mmol/ L盐酸后，分别配合20、40、60体积％的NMP而调制200mL的3种蚀刻液。接着，与实施例1 同样地边在液体温度30°C进行弱搅拌边将2X 2cm的金试验片和镍试验片浸渍在上述蚀刻 液中1分钟而进行蚀刻。由重量法计算出金和镍的蚀刻速率，也计算出Ni/Au比。其结果 表示在表5和图5中。通常向碘系蚀刻液添加有机溶剂时如表1所示M的蚀刻速率会降低，Ni基本不溶解，但由于添加了盐酸，可知M的蚀刻速率能够维持高的值。并且，Ni/Au比也得到高的值。[表 5] 实施例6除了将实施例4中的NMP替换为表中所示的化合物以外，与实施例4同样地进行 蚀刻。其结果表示在表6中。可知即使使用各种有机溶剂，M的蚀刻速率也能够维持高的 值。并且，Ni/Au比也得到高的值。[表 6] 实施例7 碘的溶解性试验(碘+碘化物+水)向水40mL、碘0. 8g配合2. 4、4. 0、6. 4、8. Og四种碘化钾，进行溶解性试验。各自的 碘和碘化物之比为1 3、1 5、1 8、1 10。各组成的试验结果表示在表7中。可知通过使KI与I的比率为5以上，I的溶解性提高。[表 7] 〇溶解、X 不溶实施例8 碘的溶解性试验(碘+碘化物+水+有机溶剂)向水24mL、NMP16mL、碘0. 8g配合2. 4、6. 4、8. Og三种碘化钾，调查溶解性。各自 的碘和碘化物之比为1 3、1 8、1 10。各组成的试验结果表示在表8中。可以确认与实施例7不同，KI与I的比率即使为3，通过添加有机溶剂，I的溶解 性也会提高。[表 8] 〇溶解、χ:不溶实施例9 碘的析出举动调查(碘+碘化物+水+有机溶剂+无机酸)向水24mL、NMP16mL、碘0. 8g配合2. 4,6. 4,8. Og三种碘化钾(各组成的碘和碘化 物的比率为1 3、1 8、1 10)调制蚀刻液。接着，向这些液体中每10 μ 1地滴加36重 量％盐酸(11.7mol/L)，调查碘析出的盐酸的滴加量。关于碘析出举动的调查方法，将水晶 基板(10 X 10X0. 4mm)在蚀刻液中浸渍10秒钟，接着在静止状态的纯水中浸渍10秒钟时， 以目视观察在基板表面是否析出碘。碘的析出举动调查结果表示在表9中。关于碘析出时的盐酸浓度，KI与I的比率为3的情况为9mmol/L，8的情况为 29mmol/L, 10的情况为44mmol/L。由此可知，KI与I的比率越大，越能够抑制碘的析出。 上述试验方法与实际生产工艺基本相同，纯水洗涤时的碘析出在实际生产工艺中成为大问 题。[表 9] 〇没有变化、X 碘析出从实施例7 9的结果可知，碘化物相对碘的比率低的情况即使是无机酸的添加 量低的情况，也会产生碘在基板上析出的问题；碘化物相对碘的比率高的情况可以大量地 添加无机酸。由此可知，无机酸或在常温为固体的有机酸的添加量可以在大范围内使用，至 今成为困难的金和镍的蚀刻速率控制成为可能。
权利要求
一种对金和镍共存的材料选择性地蚀刻金和/或镍的方法，包括对含有碘化物和碘、以及酸和/或有机溶剂的蚀刻液中的各成分的配合比进行调整。
2.根据权利要求1所述的方法，其中包括对碘化物和碘的重量比、以及酸和/或有机溶 剂的配合量进行调整，使得不析出碘。
3.—种对金和镍共存的材料使用的蚀刻液，含有碘化物和碘、以及酸和/或有机溶剂。
4.根据权利要求3所述的蚀刻液，其中有机溶剂为从由含氮五元环化合物、有机硫化 合物、醇化合物、酮化合物和酰胺化合物构成的组中选择的1种或2种以上。
5.根据权利要求3所述的蚀刻液，其中有机溶剂为N-甲基-2-吡咯烷酮。
6.根据权利要求3所述的蚀刻液，其中有机溶剂为N，N-二甲基乙酰胺。
7.根据权利要求3所述的蚀刻液，其中有机溶剂的浓度为10体积％以上。
8.根据权利要求3所述的蚀刻液，其中碘化物相对碘的重量比率为3以上。
9.根据权利要求3所述的蚀刻液，其中酸为从由无机酸和在常温为固体的有机酸构成 的组中选择的1种或2种以上。
10.根据权利要求3所述的蚀刻液，其中酸为从由盐酸、硫酸、硝酸、柠檬酸、丙二酸、酒 石酸、苹果酸和2，2’ -硫代二乙酸构成的组中选择的1种或2种以上。
11.根据权利要求3所述的蚀刻液，其中酸为盐酸。
12.根据权利要求3所述的蚀刻液，其中酸的浓度为5mM以上。
13.根据权利要求3所述的蚀刻液，其中镍和金的蚀刻速率比即镍的蚀刻速率/金的蚀 刻速率为Ni/Au = 0. 10以上。
14.根据权利要求3所述的蚀刻液，其中不含有酸。
15.根据权利要求3 14中任意一项所述的蚀刻液，其被用于通过调整蚀刻液中的各 成分的配合比对金和镍共存的材料选择性地蚀刻金和/或镍的方法中。
全文摘要
本发明提供可以用一液蚀刻金和镍共存的材料、进而能够控制金和/或镍的蚀刻速率的蚀刻方法及蚀刻液。在碘系蚀刻液中加入无机酸或在常温为固体的有机酸、和/或有机溶剂，调节各成分的配合比形成蚀刻液，用来蚀刻金和/或镍。
文档编号C23F1/16GK101845630SQ201010130300
公开日2010年9月29日 申请日期2010年3月23日 优先权日2009年3月25日
发明者永岛和明, 高桥秀树 申请人:关东化学株式会社