专利名称：靶材和内磁极的制作方法
技术领域：
靶材和内磁极
技术领域：
本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种适用于CPA型溅射设备的靶材和内磁极。
背景技术：
传统的靶材通过内磁极和压条间接固定在CPA型溅射设备基座上，由于内磁极高度较高，导致靶材整体厚度大8mm)，但是厚度不均勻，靶材容易过早被击穿。
实用新型内容基于此，有必要提供一种不易过早被击穿的靶材以及与所述靶材适配的内磁极。一种靶材，用于CPA型溅射设备，所述靶材截面为工字形，包括主体结构、起固定作用的并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第一外结构以及作为靶源并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第二外结构；所述主体结构厚度为9 13mm，所述第二外结构厚度为6 9mm。优选的，所述主体结构厚度为12mm，所述第二外结构厚度为8mm。一种内磁极，用于CPA型溅射设备，所述内磁极与上述靶材适配，所述内磁极厚度为9 13mm，所述内磁极导磁率为3000 4000 μ。。一种内磁极，用于CPA型溅射设备，所述内磁极与上述靶材适配，所述内磁极厚度为12mm，所述内磁极导磁率为3000 4000 μ。。这种靶材通过改变主体结构和第二外结构的厚度，使得靶材整体厚度降低，且厚度均勻，不易被过早击穿。
图1为一实施方式的装配在一起的靶材和内磁极的截面示意图；图2为如图1所示的装配在一起的靶材和内磁极的俯视示意图；图3为如图1所示的靶材的截面结构示意图；[0012]图4为如图3所示的靶材的截面俯视示意图；图5为如图1所示的内磁极的第一内磁极的截面示意图；图6为如图5所示的第一内磁极的俯视示意图；图7为如图1所示的内磁极的第二内磁极的截面示意图；图8为如图7所示的第二内磁极的俯视示意图；图9为如图1所示的内磁极的第三内磁极的截面示意图；图10为如图9所示的第一内磁极的俯视示意图；图11为如图1所示的内磁极的第四内磁极的截面示意图；图12为如图11所示的第四内磁极的俯视示意图。
具体实施方式
传统的靶材整体厚度大8mm)，但是厚度不均勻，靶材容易过早被击穿。传统的内磁极固定截面位置高，而靶材的截面设计位置又低，靶材和内磁极之间需要通过一块铝块作为传导连接固定。这样使得靶材在基座上的固定不牢固，存在较大的接触电阻，产生较大的压降和热量，不利于热量的散发，同时劳动技能要求高。我们通过改变靶材的厚度，将靶材整体厚度降低的同时维持靶材厚度均勻，使得靶材不易被过早击穿；再设计出与靶材适配内磁极，使得靶材和内磁极直接接触，靶材在基座上固定牢固，有利于热量的散发，消除了工作时的压降，同时对劳动技能要求大幅降低， 靶材利用率也得到提高。
以下结合附图和实施例对靶材和内磁极做进一步的解释说明。如图1和图2所示，靶材10通过与靶材10相适配的内磁极20直接固定在基座30 上。内磁极20共有七块，包括对称设置的两块第一内磁极22、对称设置的两块第二内磁极对、对称设置的两块第三内磁极26以及第四内磁极观。两块第一内磁极22和两块第二内磁极M围成方形，两块第三内磁极沈和第四内磁极28设置在靶材10中心处。如图3和图4所示的靶材10，截面为工字形，包括主体结构12、起固定作用的并沿主体结构12分别向两侧延伸的两个第一外结构14以及作为靶源并沿主体结构12分别向两侧延伸的两个第二外结构16 ；主体结构12厚度为9 13mm，第二外结构14厚度为6 9mm ο本实施例中，主体结构12厚度为12mm，第二外结构14厚度为8mm。参考图4，靶材10俯视时，中间具有空心结构18，结合图1，两块第三内磁极沈和第四内磁极观即设置在靶材10中心处。内磁极20的磁导率选择在3000 4000 μ 0,厚度选择范围为9 13mm，
以下结合附图具体介绍各个内磁极的结构。如图5和图6所示的第一内磁极22为条状，设置有若干螺孔224，参考图1，第一内磁极22通过螺孔224固定在基材30上。第一内磁极22两端设有固定面222，固定面222 与靶材10相适配即可，本实施例中，固定面222处厚度为12mm。如图7和图8所示的第二内磁极M为条状，设置有若干螺孔M4，参考图1，第二内磁极M通过螺孔244固定在基材30上。第二内磁极M两端设有固定面M2，固定面242 与靶材10相适配即可，本实施例中，固定面242处厚度为12mm。如图9和图10所示的第三内磁极沈为条状，设置有若干螺孔沈4，参考图1，第三内磁极沈通过螺孔264固定在基材30上。第三内磁极沈两端设有固定面沈2，固定面262 与靶材10相适配即可，本实施例中，固定面262处厚度为12mm。如图11和图12所示的第四内磁极观为条状，设置有若干螺孔观4，参考图1，第三内磁极28通过螺孔观4固定在基材30上。第三内磁极28两端设有固定面282，固定面 282与靶材10相适配即可，本实施例中，固定面282处厚度为12mm。这种靶材10通过改变主体结构12和第二外结构14的厚度，使得靶材10整体厚度降低，且厚度均勻，不易被过早击穿。这种靶材10利用率由原来的25. 6%提升到45. 22%，降幅达到76. 6% ；生产成本由原来的6. 247元降低到2. 626元，降幅达到58%。[0035]设计出与靶材10适配内磁极20，使得靶材10和内磁极20直接接触，靶材10在基座30上固定牢固，有利于热量的散发，消除了工作时的压降，同时对劳动技能要求大幅降低。以上所述实施例仅表达了本实用新型的一种或几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求1.一种靶材，用于CPA型溅射设备，所述靶材截面为工字形，包括主体结构、起固定作用的并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第一外结构以及作为靶源并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第二外结构；其特征在于，所述主体结构厚度为9 13mm，所述第二外结构厚度为6 9mm。
2.如权利要求1所述的靶材，其特征在于，所述主体结构厚度为12mm，所述第二外结构厚度为8mm。
3.—种内磁极，用于CPA型溅射设备，其特征在于，所述内磁极与如权利要求1所述的靶材适配，所述内磁极厚度为9 13mm，所述内磁极导磁率为3000 4000 μ。。
4.一种内磁极，用于CPA型溅射设备，其特征在于，所述内磁极与如权利要求2所述的靶材适配，所述内磁极厚度为12mm，所述内磁极导磁率为3000 4000 μ。。
专利摘要一种靶材，用于CPA型溅射设备，所述靶材截面为工字形，包括主体结构、起固定作用的并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第一外结构以及作为靶源并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第二外结构；所述主体结构厚度为9～13mm，所述第二外结构厚度为6～9mm。这种靶材通过改变主体结构和第二外结构的厚度，使得靶材整体厚度降低，且厚度均匀，不易被过早击穿。同时公开了一种内磁极，用于CPA型溅射设备，所述内磁极与上述靶材适配，所述内磁极厚度为9～13mm，所述内磁极导磁率为3000～4000μ0。
文档编号C23C14/35GK202090051SQ20102069586
公开日2011年12月28日 申请日期2010年12月31日 优先权日2010年12月31日
发明者方雪冰 申请人:深圳深爱半导体股份有限公司