专利名称：等离子体处理装置及等离子体处理装置用冷却装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种对半导体晶圆、液晶用基板、有机EL元件等被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置。
背景技术：
近年来，对于在生活中到处使用的半导体器件而言，要求能够进行高速的处理、耗费更低的电力等。为了满足上述要求，对于半导体器件而言，需要高集成化以及微细化。随着半导体器件的高集成化以及微细化，对于半导体器件的制造装置而言，要求以低损伤的方式对半导体基板上的微细的结构物进行处理。 作为能够以低损伤的方式进行处理的等离子体处理装置，能够生成低电子温度且高密度的等离子体的微波等离子体处理装置被人关注。在用于半导体基板的蚀刻、制膜处理的微波等离子体处理装置中，一般使用将微波均匀地导入到处理容器内且能够均匀地生成等离子体的RLSA(Radial Line Slot Antenna)方式的平面天线。利用该RLSA方式的平面天线，能够向处理容器内均匀地供给微波，所以能够在表面内均匀地对半导体基板进行处理。而且，能够在天线正下方的较大区域中生成高密度的等离子体。因为还能够生成低电子温度的等离子体，所以能够减少对半导体基板的损伤。RLSA的平面天线连接在传播微波的同轴波导管上。从同轴波导管供给的微波在天线内的圆盘状的电介质板内部沿半径方向传播。在电介质板内部波长被压缩了的微波经由与电介质板的下部贴紧的缝隙板的缝隙向处理容器内辐射。利用处理容器内的微波的电场，处理容器内的等离子体激励用气体被激励成等离子体状态。如上述的平面天线在处理时主要由等离子体加热。如果平面天线被加热，有可能由于构成平面天线的各部件的热膨胀率的差会使平面天线发生变形，使微波的传播特性发生变化。微波在由铝等制造而成的电介质板内沿半径方向传播，形成驻波，并经由由铜等制造而成的缝隙板的缝隙向处理容器内供给。如果形成在热膨胀率高的缝隙板上的缝隙的位置发生位移，电介质板内的微波就会被扰乱，使向处理容器内供给的微波的传播状态发生变化。如果向处理容器内供给的微波的传播状态发生变化，利用处理容器内的微波激励的等离子体状态也将发生变化。特别是在处理装置大型化的情况下，由热膨胀率的差引起的位移量变大。为了防止由等离子体加热的平面天线的变形，在专利文献I中公开如下冷却装置，即，在平面天线的上部设有冷却套，通过使冷却介质在冷却套的冷却介质流路中流动而冷却平面天线的冷却装置。专利文献I :日本特开2007-335346号公报可是，在以往的冷却装置中，因为在冷却介质流路中流动的冷却介质被逐渐加热，所以冷却介质流路的入口侧与出口侧的冷却介质温度不同，存在从冷却介质流路的壁面向冷却介质的除热量(热移动量)变得不均匀的问题。除热量(热移动量)同冷却介质流路的壁面与冷却介质之间的温度差成正比。因此，如果在入口侧与出口侧的冷却介质温度不同，则温度差也会不同，除热量也会不同。为了均匀地冷却平面天线，在以往的冷却装置中，将一条冷却介质流路在中间部位处折回，并以相邻的方式配置折回的冷却介质流路。通过如上述地配置冷却介质流路，能够使冷却介质流路前半部分的除热量与冷却介质流路后半部分的除热量平均化。可是，在将冷却介质流路折回了的情况下，即使能够均匀地冷却平面天线的特定的部分，也难以遍及整周均匀地冷却平面天线。此外，如果将冷却介质流路折回，则冷却介质流路的设置面积将变大，在处理容器狭窄的侧壁内设置冷却介质流路也将变得较为困难。在对从200mm基板向300mm基板大口径化的半导体基板进行处理的近年来的微波等离子体处理装置中，要求与以往相比使平面天线的微波的传播状态尽量不发生变化。在上述要求的冷却装置中，最好更均匀地冷却平面天线。
发明内容
在此，本发明的目的在于提供能够在周向上均匀地冷却平面天线、电介质窗的等离子体处理装置以及等离子体处理装置用冷却装置。为了解决上述课题，本发明的一技术方案是一种等离子体处理装置，包括处理容器，能够密闭，在内部对被处理体进行等离子体处理；载置台，配置在上述处理容器内，且用于保持被处理体；电介质窗，配置在上述处理容器的顶部，且用于密闭上述处理容器的内部；以及微波天线，配置在上述电介质窗的上部，且用于向上述处理容器内辐射微波，其中，在上述处理容器的侧壁上设有用于冷却上述电介质窗的冷却介质流路，液相或气相的冷却介质在上述冷却介质流路中不发生相变地流动，沿上述侧壁的周向延伸的上述冷却介质流路的至少一部分冷却介质流路的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小。本发明的另一技术方案是一种等离子体处理装置，包括处理容器，能够密闭，在内部对被处理体进行等离子体处理；载置台，配置在上述处理容器内，且用于保持被处理体；电介质窗，配置在上述处理容器的顶部，且用于密闭上述处理容器的内部；微波天线，配置在上述电介质窗的上部，且用于向上述处理容器内辐射微波；以及冷却板，配置在上述微波天线的上部，且具有用于冷却上述微波天线的冷却介质流路，其中，液相或气相的冷却介质在上述冷却板中不发生相变地流动，在上述冷却板中卷绕的上述冷却介质流路的至少一部分冷却介质流路的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小。本发明的再一实施方式是一种等离子体处理装置，包括处理容器，能够密闭，在内部对被处理体进行等离子体处理；载置台，配置在上述处理容器内，且用于保持被处理体；等离子体激励部件，在上述处理容器内激励等离子体；以及冷却介质流路，用于冷却被上述等离子体加热了的构件，其中，液相或气相的冷却介质在上述冷却介质流路中不发生相变地流动，上述冷却介质流路的至少一部分冷却介质流路的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小。本发明的再一实施方式是一种等离子体处理装置用冷却装置，被组装在对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置中，且用于冷却由等离子体加热了的构件，其中，具有供液相或气相的冷却介质不发生相变地流动的冷却介质流路，上述冷却介质流路的至少一部分冷却介质流路的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小。
从冷却介质流路的壁面向冷却介质所传导的热移动量Q由Q = hA(Tw-T0)表示。h :热传导率、A :导热面积、(Tw-T0):壁面与冷却介质之间的温度差。如果使冷却介质流路的截面面积变小，则冷却介质的流速将变大，热传导率h将变大。如果如本发明那样地使冷却介质流路的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小，能够利用热传导率h的提高量弥补随着冷却介质的温度上升的温度差的下降量，能够使在冷却介质流路的长度方向上的热移动量大致恒定。因此，能够在周向上均匀地冷却平面天线、电介质窗。
图I是本发明的一实施方式的等离子体处理装置的整体的结构图。 图2是表示形成于上板的冷却介质流路的图(图中(a)为俯视图，图中(b)为剖视图)。图3是表示冷却介质流路的方位角与槽高度之间的关系的曲线图(图中(a)表示冷却介质流路为卷绕三圈时的曲线图，图中(b)表示冷却介质流路为卷绕三圈时的曲线图)。图4是表示形成于上板的冷却介质流路的另一例的图(图中(a)为俯视图，图中(b)为剖视图)。图5是表示冷却介质流路的方位角与槽高度之间的关系的曲线图(3次式)。图6是表示形成于冷却板的冷却介质流路的图(图中(a)为剖视图，(b)为俯视图)。图7是表示在以往例与本发明例中比较除热线密度的计算结果的曲线图。图8是表示除热线密度差异的流量依赖性的曲线图。图9是表示使冷却介质流路的高度为路径长的3次式时的、方位角与槽高度之间的关系的曲线图。图10是表示使冷却介质流路的高度为路径长的3次式时的、方位角与单位长度除热率分布之间的关系的曲线图。图11是表示使冷却介质流路的高度为路径长的3次式时的、流量与均匀性之间的关系的曲线图。图12是表示在上板中设有双路径的冷却介质流路的例子的图(图中(a)为俯视图，图中(b)为剖视图)。图13是表示方位角与第一冷却介质流路以及第二冷却介质流路的槽高度之间的关系的曲线图。图14是表示使冷却介质流路的槽高度恒定时的、方位角与单位长度除热率分布之间的关系的曲线图(比较例)。图15是表示使冷却介质流路的槽高度变化时的、方位角与单位长度除热率分布之间的关系的曲线图(本发明例)。图16是表示使冷却介质流路的槽高度变化时的、流量与均匀性之间的关系的曲线图。
具体实施例方式以下，参照
本发明的等离子体处理装置的一实施方式。图I是表示等离子体处理装置的整体的结构图。整体形成为大致圆筒形状的处理容器100由铝或含有铝的不锈钢形成。在处理容器100的内壁面上形成有由氧化铝(alumina)被膜、氧化钇(Y2O3)被膜构成的保护被膜。在处理容器100的顶部借助密封环110载置电介质窗105，该电介质窗105用于密封处理容器100的内部、并且使微波透射。电介质窗105由石英、陶瓷(氧化铝、氮化铝等)形成。电介质窗105利用处理容器100的侧壁的上部的压环200被固定在处理容器100上。在处理容器100的侧壁上设有用于将处理气体导入到处理空间U的气体导入部件510。在该实施方式中，由下层簇射件515将处理空间U划分为两个区域,并从位于上方的 气体导入部件510导入氩气、氪气等等离子体激励用的气体，从下层簇射件515导入工艺处理用的气体。气体导入部件510以及下层簇射件515连接于气体供给源505。另外，也可以不设置下层簇射件515，而能够从气体导入部件510任意地导入等离子体激励用的气体、工艺处理用的气体以及清洁用的气体。在不设置下层簇射件515的情况下，由下层簇射件515划分的处理容器100的侧壁的上部(以下称为上板140) —体地形成在侧壁上。此外，也可以使气体导入部件510构成为簇射头状，并设于处理容器100的顶部。在作为冷却装置的上板140中设有用于冷却电介质窗105的冷却介质流路145。使作为冷却介质具有较高的电绝缘性和热传导性的氟系的液体在冷却介质流路145中流动。在冷却介质在冷却介质流路145中流动的期间内，冷却介质不发生相变，保持液相地在冷却介质流路145中流动。在由上板140冷却电介质窗105时，最好使上板140的温度为90°C以下(目标为70°C 80°C)，使电介质窗105的温度为150°C以下。对冷却介质流路145的结构将在后述说明。在由下层簇射件515划分的处理容器100的侧壁的下部设有用于将被处理基板搬入以及搬出的未图示的搬入搬出口。利用闸阀开闭搬入搬出口。在处理容器100的底部形成用于将内部抽真空的排气口 135。排气口连接在未图示的排气装置上。在处理容器100内设有用于载置作为被处理基板的晶圆W的载置台115。在载置台115上连接有高频电源125b，该高频电源125b能够施加偏压，从而能够通过使用静电吸附力吸附晶圆W。在电介质窗105的上部配置圆盘状的平面天线905，该平面天线905作为微波天线向处理空间U供给微波，并激励等离子体。平面天线905由具有正交的两种缝隙的缝隙板905b、和设于用于反射微波的导体面210a与缝隙板905b之间的电介质板905a构成。如上述的平面天线905被称为RLSA (Radial Line Slot Antenna)。平面天线905利用天线按压件被固定在处理容器100上。由微波源335生成了的微波以TE模式在矩形波导管305中传播，并经由同轴变换器310以TEM模式在同轴波导管340内传播。同轴波导管340连接在平面天线905的中心。从平面天线905的中心导入了的微波一边在电介质板905a内波长被压缩一边沿半径方向传播，并从开设在缝隙板905b上的缝隙向处理空间U内放出。同轴波导管340内的导体由从冷却介质供给源405供给的冷却介质冷却。在导体面210a的上方设有作为用于冷却平面天线905的冷却装置的冷却板210。也可以使冷却板210与导体面210a—体地形成。在导体面210a的上方形成用于冷却平面天线905的冷却介质流路915。作为冷却介质具有较高的电绝缘性和热传导性的氟系的液体在冷却介质流路915中流动。在冷却介质在冷却介质流路915中流动的期间内，冷却介质不发生相变，保持液相地在冷却介质流路915中流动。在由冷却板210冷却平面天线905时，最好使冷却板210的温度为110°C 120°C，使平面天线905的温度为150°C 160°C。对冷却板210的冷却介质流路915的结构将在后述说明。图2表示上板140。上板140形成为环状，在上板140的内周侧的上部形成用于载置电介质窗105的支承部160。在上板140的内部形成沿周向延伸的冷却介质流路145。冷却介质145形成为具有卷绕一圈以上的圈数的螺旋状。冷却介质流路145整体具有一个入口和一个出口。在俯视图中观察上板140时，入口的方位角与出口的方位角大致一致。在如图2的(a)那样地标有XY坐标时，入口的方位角由O度表示，出口的方位角由360度表示。冷却介质流路145的截面形状形成为矩形。冷却介质流路145的宽度与冷却介质流路145的路径长无关，不发生变化。另一方面，冷却介质流路145的高度从上游朝向下游去逐 渐减小。另外，距冷却介质流路145的入口的长度由路径长s表示，此时的方位角由Θ表
/Jn ο图3的(a)表示冷却介质流路145为卷绕三圈时的高度变化的一例。在该例中，冷却介质流路145的高度(槽高度)从入口朝向出口呈线性减小。冷却介质流路145的宽度不发生变化为恒定。因此，冷却介质流路145的截面面积从入口朝向出口逐渐减小。图3的(b)表示冷却介质流路145为卷绕三圈的螺旋状时的高度变化的一例。在该例中，各卷绕一圈的冷却介质流路145的高度从方位角O度朝向大致360度逐渐减小。而且，在卷绕一圈的冷却介质流路145与卷绕另一圈的冷却介质流路145之间的连接部分(例如卷绕第一圈的冷却介质流路145与卷绕第二圈的额冷却介质流路145之间的连接部分)中，冷却介质流路145的高度变高至原来的高度。即，对于位于上层的卷绕第一圈的冷却介质流路145的高度、位于中层的卷绕第二圈的冷却介质流路145的高度以及位于下层的卷绕第三圈的冷却介质流路145的高度而言，只要方位角相同就会具有相同的高度。冷却介质流路145也可以通过以下方式形成，即，代替形成为螺旋状的冷却介质流路145而在上下方向上排列多个圆环状的卷绕一圈的冷却介质流路145。在该情况下，对各卷绕一圈的冷却介质流路145设有入口以及出口。从入口朝向出口，各卷绕一圈的冷却介质流路145的宽度保持恒定且高度逐渐减小。对于位于上层的卷绕第一圈的冷却介质流路145的高度、位于中层的卷绕第二圈的冷却介质流路145的高度以及位于下层的卷绕第三圈的冷却介质流路145的高度而言，只要方位角相同就会具有相同的高度。实际上形成冷却介质流路145的情况下，上板140在上下方向上被分割为与冷却介质流路145的卷绕圈数相对应的多个部分。在被分割了的上板140的各部分上形成用于构成冷却介质流路145的槽。冷却介质流路145的槽利用使用立铣刀等工具的NC车床进行加工。在由工具切削加工冷却介质流路145的槽的情况下，因为仅通过数控来控制工具的切入深度即可，所以使槽的深度(高度)变化比使槽的宽度变化更容易。如图3的(a)所示，冷却介质流路145的高度相对于路径长呈线性，将路径长设为S、冷却介质145的高度设为d时，以d = a · s(a :常数)表示。只要作为工具的切入深度向NC车床输入一次式，就能够使冷却介质流路145的高度以线性方式变化。
图4是表示形成在上板140中的冷却介质流路145的另一例。在该例中，在上板140中形成卷绕一圈的环状的冷却介质流路145。冷却介质流路145的入口被配置在方位角O度处，冷却介质流路145的出口被配置在方位角360度处。如图5所示，冷却介质流路145的高度从入口起到出口为止逐渐变低，以路径长s的3次的数学式表示。冷却介质流路145的宽度为恒定。只要使冷却介质流路145的高度d如上述地从入口起到出口为止逐渐变低即可，冷却介质流路145的高度d也可以以路径长s的2次、3次的数学式表示。图6表示形成在冷却板210中的冷却介质流路915。在圆盘状的冷却板210中形成旋涡状的冷却介质流路915。冷却介质流路915只要形成卷绕一圈以上的漩涡状即可。冷却介质流路915的入口以及出口的方位角一致。可以在旋涡状的冷却介质流路915的外周侧形成入口、在内周侧形成出口，也可以在冷却介质流路915的内周侧形成入口、在外周侧形成出口。冷却介质流路915的截面形状形成为矩形。冷却介质流路915的高度从入口朝向出口逐渐变低。另一方面，冷却介质流路915的宽度不发生变化。冷却介质流路915的高度由路径长s的η次的数学式表示。另外，也可以使旋涡状的冷却介质流路915在卷 绕一圈中的高度从上游朝向下游去而逐渐变低，并使冷却介质流路915在卷绕一圈与卷绕另一圈的接合处的高度返回到原来的高度。通过使冷却介质流路145、915的截面面积从上游朝向下游去逐渐减小，能够使除热量(热移动量)沿冷却介质流路145、915恒定。“使冷却介质流路的截面面积逐渐减小”与“能够使除热量(热移动量)恒定”之间的因果关系如下所述。从冷却介质流路的壁面向冷却介质传导的除热量(热移动量)Q由以下的式子表
/Jn ο(数学式I)Q = hA (Tw-T0)其中，Q :除热量，Wh :热传导率，ff/m2KA:导热面积，m2Tw:壁面表面的温度，KTtl :冷却介质的温度，K因为冷却介质的温度由于热交换从上游朝向下游去而逐渐上升，所以为了使除热量以及壁面温度沿冷却介质流路恒定，必须使热传导率从上游朝向下游地上升。热传导率h由以下的数学式2表示。(数学式2)h = Nuk/L其中，Nu:努赛尔数k :流体的热传导率，ff/m2KL :流路的长度因为流体的热传导率k以及流路的长度L为恒定，所以为了使h增加，需使努赛尔Nu数增加。努赛尔数Nu由以下的数学式3表示。(数学式3)
Nu = O. 664Re1/2Pr1/3Re = UL/VPr :普朗特常数U:流速，m/sV :运动粘滞系数，m2/s因为运动粘滞系数V为恒定，所以通过使流速U增加能够使努赛尔数Nu增加。使冷却介质流路的截面面积从上游朝向下游去而逐渐减小时，流速逐渐增加。因此，根据数学式3努赛尔数Nu增加，根据数学式2热传导率h增加。使冷却介质流路的截面面积从上游朝向下游去而逐渐减小时，虽然数学式I的导热面积A也减小，但是能够使热传导率h的增加率大于导热面积A的减小率。其结果，能够使数学式I的除热量Q保持恒定。图7表示在以往例与本发明例中比较了单位长度的除热量(除热线密度)的计算结果。以往例以及本发明例都是在冷却介质流路的宽度8mm、冷却介质流路的入口侧高度9mm、上板的温度-冷却介质的温度=20°C、除热量2kW的计算条件下进行了比较。表I是将计算结果的各主要因素总结而成的表。[表 I]
权利要求
1.一种等离子体处理装置，其包括处理容器，其能够密闭，在内部对被处理体进行等离子体处理；载置台，其配置在上述处理容器内，且用于保持被处理体；电介质窗，其配置在上述处理容器的顶部，且用于密闭上述处理容器的内部；以及微波天线，配置在上述电介质窗的上部，且用于向上述处理容器内辐射微波，其中， 在上述处理容器的侧壁上设有用于冷却上述电介质窗的冷却介质流路， 液相或气相的冷却介质在上述冷却介质流路中不发生相变地流动， 沿上述侧壁的周向延伸的上述冷却介质流路的至少一部分冷却介质流路的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小。
2.一种等离子体处理装置，其包括处理容器，其能够密闭，在内部对被处理体进行等离子体处理；载置台，其配置在上述处理容器内，且用于保持被处理体；电介质窗，其配置在上述处理容器的顶部，且用于密闭上述处理容器的内部；微波天线，其配置在上述电介质窗的上部，且用于向上述处理容器内辐射微波；以及冷却板，其配置在上述微波天线的上部，且具有用于冷却上述微波天线的冷却介质流路，其中， 液相或气相的冷却介质在上述冷却板中不发生相变地流动， 在上述冷却板中卷绕的上述冷却介质流路的至少一部分冷却介质流路的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小。
3.根据权利要求I或2所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述冷却介质流路的截面形状为矩形， 从上述冷却介质流路的上游朝向下游去，上述冷却介质流路的宽度保持恒定且高度逐渐变低。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述冷却介质流路的高度由冷却介质流路的路径长的η次的数学式表示，其中，η为自然数。
5.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述冷却介质流路在上述处理容器的侧壁上形成为具有卷绕一圈以上的圈数的螺旋状， 在至少卷绕一圈的冷却介质流路中，冷却介质流路的高度从上游朝向下游去而逐渐变低。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述冷却介质流路在上述处理容器的侧壁上形成为具有卷绕两圈以上的圈数的螺旋状， 在卷绕一圈的冷却介质流路中，冷却介质流路的高度从上游朝向下游去而逐渐变低，并且在卷绕一圈的冷却介质流路与卷绕另一圈的冷却介质流路的连接部分，冷却介质流路的高度返回到原来的高度。
7.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述冷却介质流路是通过在上下方向上排列多条在上述处理容器的侧壁上形成为环状的卷绕一圈的环状的冷却介质流路而成， 在上述卷绕一圈的环状的冷却介质流路中，冷却介质流路的高度从上游朝向下游去而逐渐变低。
8.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述冷却介质流路具有沿上述处理容器的上述侧壁的周向延伸的第一冷却介质流路以及第二冷却介质流路， 在上述第一冷却介质流路以及上述第二冷却介质流路中流动的冷却介质的流动方向彼此相反， 对于上述第一冷却介质流路而言，冷却介质流路的高度从上游朝向下游去而逐渐变低，之后冷却介质流路的高度变高， 对于上述第二冷却介质流路而言，冷却介质流路的高度从上游朝向下游去而逐渐变低，之后冷却介质流路的高度变高。
9.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述冷却介质流路在上述冷却板中形成为具有卷绕一圈以上的圈数的旋涡状， 在至少卷绕一圈的冷却介质流路中，冷却介质流路的高度从上游朝向下游去而逐渐变低。
10.根据权利要求I至9中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述冷却介质是氟系的液体。
11.一种等离子体处理装置，其包括处理容器，其能够密闭，在内部对被处理体进行等离子体处理；载置台，其配置在上述处理容器内，且用于保持被处理体；等离子体激励部件，其在上述处理容器内激励等离子体；以及冷却介质流路，其用于冷却被上述等离子体加热了的构件，其中， 液相或气相的冷却介质在上述冷却介质流路中不发生相变地流动， 上述冷却介质流路的至少一部分冷却介质流路的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小。
12.—种等离子体处理装置用冷却装置，其被组装在对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置中，且用于冷却由等离子体加热了的构件，其中， 具有供液相或气相的冷却介质不发生相变地流动的冷却介质流路， 上述冷却介质流路的至少一部分冷却介质流路的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小。
全文摘要
本发明提供一种能够在周向上均匀地冷却平面天线、电介质窗的等离子体处理装置。在等离子体处理装置的处理容器(100)的侧壁(140)上设有用于冷却电介质窗(105)的冷却介质流路(145)。液相或气相的冷却介质在冷却介质流路(145)中不发生相变地流动。沿侧壁(140)的周向延伸的冷却介质流路(145)的至少一部分的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小。在此，如果使冷却介质流路(145)的截面面积变小，冷却介质的流速将变大，热传导率将变大。在使冷却介质流路(145)的截面面积从上游朝向下游去而逐渐变小时，能够利用热传导率的提高量弥补随着冷却介质的温度上升的温度差的下降量，能够使在冷却介质流路(145)的长度方向上的热移动量大致恒定。因此，能够在周向上均匀地冷却平面天线(905)、电介质窗(105)。
文档编号C23C16/511GK102804931SQ201080027379
公开日2012年11月28日 申请日期2010年5月20日 优先权日2009年6月19日
发明者石桥清隆 申请人:东京毅力科创株式会社