专利名称：一种气体传输管路和二氧化硅沉积装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路制造技术，尤其涉及一种气体传输管路和二氧化硅沉积装置。
背景技术：
在集成电路的制造工艺中，由于注源，漏时杂质的横向扩散会产生短沟道效应，使MOS管的开启电压产生变化，而且会使高能量的离子注入会令多晶侧壁损伤，因此，在进行集成电路制造时，经常使用浅结(LDD)注入和侧墙隔离(SPACER) 层保护来减少短沟道效应的影响和对多晶侧壁的损伤。在工艺制作时，制作侧墙隔离层所使用的气体为正硅酸乙酯(TEOS)，也就是Si (OC2H5)4，又称四乙氧基硅烷。采用正硅酸乙酯沉积的二氧化硅薄膜具有良好的柔韧性和台覆性，因此被广泛的用于MOS器件中的侧墙隔离层及电容隔离层。目前，使用低压化学气相沉积方法来沉积二氧化硅薄膜的工艺已经成熟，广泛的用于硅片生产制作当中，其主要反应如下Si (OC2H5) 4 — Si02+4C2H4+2H20正硅酸乙酯在常温下是一种液体，在进行二氧化硅沉积时，它在经过连接源瓶的加热管路的加热之后通过气相传输的方式经由传输管路进入低压炉管，再在低压高温的环境下进行分解反应，实现二氧化硅薄膜的沉积，并在完成二氧化硅薄膜的沉积后，打开相应阀门，使破真空管路和低压炉管连通，破除炉管中的真空环境，使得硅片出炉。由于在沉积完成之后，传输管路中仍存在大量的残余正硅酸乙酯蒸气，这些残余的蒸气冷凝后，在下一次进行二氧化硅薄膜沉积时，由于反应不完全，则会造成工艺的颗粒问题，影响硅片质量，所以必须在沉积后，清理传输管路中残余的蒸汽。目前排除残余蒸汽的方式如图I所示，在进行二氧化硅薄膜沉积时，打开第一阀门Vl和第四阀门V4，关闭第二阀门V2和第五阀门V5，使得正硅酸乙酯蒸汽进入炉管，在沉积完成之后，需关闭第一阀门Vl和第五阀门V5，打开第二阀门V2和第四阀门V4，用氮气对传输管路进行清洗，清理传输管路中残余的蒸汽，而采用这种方式进行清理，清理时残余蒸汽会进入炉管，容易导致产品异常，并且在清理后才能打开第五阀门V5，使得处理好的硅片破真空出炉，降低了机台的利用率和产能。
发明内容
本发明实施例提供一种气体传输管路和二氧化硅沉积装置，以便于清理在进行气体传输后管路中的残余气体。一种气体传输管路，一端通过第一阀门连接气体源，另一端通过第四阀门连接用于接收气体的气体使用装置，还包括通过第二阀门连通的进气管路，用于向所述传输管路中释放用于清理传输管路的气体；以及
通过第三阀门连通的出气管路，用于排除所述传输管路中的气体。一种二氧化硅沉积装置，包括用于盛装正硅酸乙酯的源瓶、一端连接所述源瓶的加热管路、一端通过第一阀门连接所述加热管路另一端的传输管路、通过第四阀门连接所述传输管路另一端的炉管，以及通过第五阀门连接在所述炉管上的破真空管路，在所述传输管路上还包括通过第二阀门连通的进气管路，用于向所述传输管路中释放用于清理所述传输管路的气体；以及通过第三阀门连通的出气管路，用于排除所述传输管路中的气体。本发明实施例提供一种气体传输管路和二氧化娃沉积装置,在传输管路上连接一条出气管路，并通过第三阀门控制该出气管路的通断，这样，在清洗时，可以关闭第四阀门，打开第三阀门，通过新增加的出气管路来排除管道中残余的蒸汽和用于清洗的气体，由于第四阀门关闭，所以残余气体不会泄露，不会对传输管路连接的其它管路或装置造成影响，并且，在二氧化硅薄膜沉积时，可以在清洗管道的同时，打开第五阀门，进行硅片的出炉，提高了生产效率。
图I为现有技术中二氧化硅沉积装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的气体传输管路的结构示意图；图3为本发明实施例提供的二氧化硅沉积装置结构示意图。
具体实施例方式本发明实施例提供一种气体传输管路和二氧化娃沉积装置，在传输管路上加装一个出气管路，用于排出传输管路中的气体，防止了清洗传输管路时，残余气体进入连接传输管路的其它装置或管路，避免了产品污染。同时，由于加装了出气管路，传输管路的清洗可以在传输管路中独立进行，不需要影响到装置中的其它部位，所以在清洗传输管路的同时，可以进行产品出炉等其它生产步骤，提高了生产效率。如图2所示，本发明实施例提供的气体传输管路包括传输管路201、设置在传输管路201上的进气管路202和出气管路203，其中用于传输气体的传输管路201，一端通过第一阀门Vl连接气体源，另一端通过第四阀门V4连接气体使用装置；进气管路202，通过第二阀门V2连通传输管路201，用于向传输管路201中释放用于清理传输管路201的气体；出气管路203，通过第三阀门V3连通传输管路201，用于排除传输管路201中的气体。由于在传输管路201上增加了出气管路203，所以传输管路可以独立进行传输管路中气体的清理，而不影响传输管路所连接的其它装置，进而提高产品的质量，并且，由于不会影响传输管路所连接的其它装置，在清理传输管路中的气体的同时，还可以在其它装置中进行生产的其它步骤，提高了生产效率。
进一步，为了获得对传输管路201的较佳的清理效果，可以将进气管路202和出气管路203设置在传输管路201的两端，使得整个传输管路201都得到较佳的清理，减少传输管路201中的清理死角。例如，可以将进气管路202设置在传输管路201连接第一阀门Vl的一端，将出气管路203设置在传输管路201连接第四阀门V4的一端，反之亦可。进一步，还可以在传输管路上设置流量计204，从而测量传输管路中气体的流量，便于掌握所输送的气体流量，进而进一步控制所输送的气体流量。同时，当流量计204进一步具体设置在传输管路中进气管路202和出气管路203之间的位置上时，在进行输送管道清理时，也便于掌控用于清理输送管道的气体的流量。进一步，还可以在进气管路202上设置针阀205，用于控制用于清理传输管路的气体的进气量。 为了进一步提高传输管路的清理速度，出气管路203上还包括抽气泵206，用于抽吸传输管路中的气体。在具体使用时，可以根据实际情况将流量计、针阀和抽气泵配合使用，进而达到较佳的清理效果。本发明实施例还提供一种二氧化硅沉积装置，如图3所示，该装置包括用于盛装正硅酸乙酯液体的源瓶301 ;加热管路302，用于加热正硅酸乙酯液体形成正硅酸乙酯蒸汽，其一端连接在源瓶301上，另一端通过第一阀门Vl连接用于传输所述正硅酸乙酯蒸汽的传输管路303的一端;炉管304，通过第四阀门V4连接在传输管路303的另一端，用于进行二氧化硅沉积；破真空管路305，通过第五阀门V5连接在炉管304上，用于在沉积完成后，破除炉管中的真空环境；其中，在传输管路303上还包括进气管路306，通过第二阀门V2连通传输管路303，用于向传输管路303中释放用于清理传输管路的气体；出气管路307，通过第三阀门V3连通传输管路303，用于排除传输管路303中的气体。进一步，为了获得对传输管路303的较佳的清理效果，可以将进气管路306和出气管路307设置在传输管路303的两端，使得整个传输管路303都得到较佳的清理，减少传输管路303中的清理死角。例如，可以将进气管路306设置在传输管路303连接第一阀门Vl的一端，将出气管路307设置在传输管路303连接第四阀门V4的一端，反之亦可。进一步，传输管路303上还包括流量计308，设置在传输管路上，用于测量传输管路中气体的流量，以便于掌握和控制所传输的气体的流量。当流量计308进一步设置在传输管路中进气管路和出气管路之间的部位时，该流量计308还可以示出用于清理输送管道的气体的流量，以便于操作人员掌控。进一步，还可以在进气管路306上设置针阀309，用于控制用于清理传输管路的气体的进气量。
为了进一步提高传输管路的清理速度，出气管路307上还包括抽气泵310，用于抽吸传输管路中的气体。在具体使用时，可以根据实际情况将流量计、针阀和抽气泵配合使用，进而达到较佳的清理效果。通常情况下，在进行二氧化硅沉积时，将第一阀门Vl和第四阀门V4打开，关闭第二阀门V2、第三阀门V3和第五阀门V5，使得正硅酸乙酯液体经过加热后形成的正硅酸乙酯蒸汽进入炉管中进行二氧化硅沉积；在二氧化硅沉积完毕后，关闭第一阀门Vl和第四阀门V4，开启第二阀门V2和第三阀门V3进行传输管路的清理，通常用于清理传输管路的气体可以使用氮气等不会影响二氧化硅沉积的气体，在进行传输管路的清理时，可以根据需要以及流量计的显示，来控制针阀和抽气泵，从而获得较佳的清理效果；在进行传输管路清理的同时，还可以开启第五阀门V5，进行硅片出炉的准备工作，从而进一步提高硅片生产效率。本发明实施例提供一种气体传输管路和二氧化娃沉积装置，在传输管路上连接一条出气管路，并通过第三阀门控制该出气管路的通断，这样，在清洗时，可以关闭第四阀门，打开第三阀门，通过新增加的出气管路来排除管道中残余的蒸汽和用于清洗的气体，由于 第四阀门关闭，所以残余气体不会泄露，不会对传输管路连接的其它管路或装置造成影响，并且，在二氧化硅薄膜沉积时，可以在清洗管道的同时，打开第五阀门，进行硅片的出炉，提高了生产效率。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种气体传输管路，一端通过第一阀门连接气体源，另一端通过第四阀门连接用于接收气体的气体使用装置，其特征在于，还包括 通过第二阀门连通的进气管路，用于向所述传输管路中释放用于清理传输管路的气体；以及 通过第三阀门连通的出气管路，用于排除所述传输管路中的气体。
2.如权利要求I所述的气体传输管路，其特征在于，所述第二阀门和所述第三阀门分别设置于传输管路的两端。
3.如权利要求I所述的气体传输管路，其特征在于，还包括 流量计，设置在所述传输管路中所述进气管路和所述出气管路之间的位置上，用于测量所述传输管路中气体的流量。
4.如权利要求1-3任一所述的气体传输管路，其特征在于，所述进气管路上还设置有针阀，用于控制所述用于清理传输管路的气体的进气量。
5.如权利要求1-3任一所述的气体传输管路，其特征在于，所述出气管路上还包括抽气泵，用于抽吸所述传输管路中的气体。
6.一种二氧化硅沉积装置，包括用于盛装正硅酸乙酯的源瓶、一端连接所述源瓶的加热管路、一端通过第一阀门连接所述加热管路另一端的传输管路、通过第四阀门连接所述传输管路另一端的炉管，以及通过第五阀门连接在所述炉管上的破真空管路，其特征在于，在所述传输管路上还包括 通过第二阀门连通的进气管路，用于向所述传输管路中释放用于清理所述传输管路的气体；以及 通过第三阀门连通的出气管路，用于排除所述传输管路中的气体。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第二阀门和所述第三阀门分别设置于传输管路的两端。
8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括 流量计，设置在所述传输管路中所述进气管路和所述出气管路之间的位置上，用于测量所述传输管路中气体的流量。
9.如权利要求6-8任一所述的装置，其特征在于，所述进气管路上还设置有针阀，用于控制所述用于清理传输管路的气体的进气量。
10.如权利要求6-8任一所述的装置，其特征在于，所述出气管路上还包括抽气泵，用于抽吸所述传输管路中的气体。
全文摘要
本发明公开了一种气体传输管路和二氧化硅沉积装置，涉及集成电路制造领域，本发明实施例在传输管路上连接一条出气管路，并通过第三阀门控制该出气管路的通断，这样，在清洗时，可以关闭第四阀门，打开第三阀门，通过新增加的出气管路来排除管道中残余的蒸汽和用于清洗的气体，由于第四阀门关闭，所以残余气体不会泄露，不会对传输管路连接的其它管路或装置造成影响，并且，在二氧化硅薄膜沉积时，可以在清洗管道的同时，打开第五阀门，进行硅片的出炉，提高了生产效率。
文档编号C23C16/455GK102747338SQ20111009665
公开日2012年10月24日 申请日期2011年4月18日 优先权日2011年4月18日
发明者冯超林, 刘根, 叶双飞, 宋定峰, 徐家俊, 王传鹏, 秦正健, 黄辛庭 申请人:北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司