专利名称：镀膜件及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种镀膜件及该镀膜件的制备方法。
背景技术：
镁或镁合金由于特殊的原子结构体现出优良的储氢性能。但是，现有的镁或镁基储氢材料存在一些不足，其吸收氢的条件苛刻，速度慢且温度高，生成的氢化物过于稳定，吸氢动力学性能差，需要300°C才能有效地吸氢，导致了吸放氢循环稳定性差，而且合金电极在碱液中的耐腐蚀性差，循环寿命低。这些缺点限制了它的实际应用，因而人们把注意力集中在吸放氢性能优于纯Mg的Mg-Ni系合金材料。Mg-Ni系中A2型合金的典型代表是Mg2镍，但Mg2Ni合金的吸氢元素所占比例减小，导致容量降低，吸放氢的循环稳定性较差，故实际应用也受到了限制。
发明内容
有鉴于此，有必 要提供一种储氢性能好的镀膜件。另外，还有必要 提供一种上述镀膜件的制备方法。一种镀膜件，其包括镁或镁合金基材及形成于镁或镁合金基材表面的镀膜层，该镀膜层为掺杂稀土元素镧并含有镍、锰元素的薄膜，其中镧、镍与锰的摩尔比为:镧:镍:锰=0.5 4:9 16:0.5 2。一种镀膜件的制备方法，包括如下步骤:
提供镁或镁合金基材；
在镁或镁合金基材上通过真空溅射形成形成由镧、锰或镍组成的镀膜层，真空溅射采用复合靶材，该复合靶材由摩尔比为1(Γ20%的镧、709Γ85%的镍及5 10%的锰组成，其中镧、猛与镍的摩尔比为:镧:镍:猛=0.5 4:9 16:0.5 2。本发明所述镀膜件采用的通过磁控溅射的方式在镁或镁合金基体的表面沉积有含镧、锰和镍等元素的复合膜层，因为，该复合膜层中含镍、锰元素并掺杂有镧元素，上述元素在常温下能达到良好的储氢效果。所以，本发明通过在镁或镁合金表面镀膜，提高了镀膜件的储氢性能。
图1为本发明较佳实施例镀膜件的剖视图。图2是本发明较佳实施例真空镀膜机的俯视示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种镀膜件，其包括镁或镁合金基材及形成于镁或镁合金基材表面的镀膜层，其特征在于:该镀膜层为掺杂稀土元素镧并含有镍、锰元素的薄膜，其中镧、镍与锰的摩尔比为:镧:镍:锰=0.5 4:9 16:0.5 2。
2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于:该镀膜层溅射所需的靶材中含有镧、镍与锰的混合粉体，该混合粉体中镧、镍与锰的摩尔比分别为镧:1(Γ20%、镍:70°/Γ85%、锰:5 10%。
3.如权利要求1或2所述的镀膜件，其特征在于:该镀膜层的厚度为2 20μ m。
4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于:所述镀膜层采用磁控溅射的方法溅射形成。
5.一种镀膜件的制备方法，包括如下步骤: 提供镁或镁合金基材； 在镁或镁合金基材上通过真空溅射形成形成由镧、锰或镍组成的镀膜层，真空溅射采用复合靶材，该复合靶材由摩尔比为1(Γ20%的镧、709Γ85%的镍及5 10%的锰组成，其中镧、猛与镍的摩尔比为:镧:镍:猛=0.5 4:9 16:0.5 2。
6.如权利要求5所述的镀膜件的制备方法，其特征在于:形成该镀膜层的参数为:设置复合靶材的功率为5 8kw，氧气的流量为6(T85sCCm，氩气的流量为30(T320SCCm，镁或镁合金基材的偏压为-10(T-120V，镀膜温度为20(T250°C，镀膜时间为35 40min。
7.如权利要求5所述的镀膜件的制备方法，其特征在于:在形成镀膜层之前，还包括对镁或镁合金基材进行等离子清洗的步骤。
8.如权利要求7所述的镀膜`件的制备方法，其特征在于，所述等离子清洗的条件:将该镀膜室抽真空至5.0 3.0X 10_5Torr，向镀膜室内通入流量为200 400sccm的氩气，并施加-200 -300V的偏压于镁或镁合金基材，清洗时间为10 20min。
9.如权利要求5所述的镀膜件的制备方法，其特征在于:该镀膜层的厚度为疒20μπι。
全文摘要
本发明提供一种镀膜件，其包括镁或镁合金基材及形成于镁或镁合金基材表面的镀膜层，该镀膜层为掺杂稀土元素镧并含有镍、锰元素的薄膜，其中镧、镍与锰的摩尔比为镧镍锰=0.5~49~160.5~2。本发明还提供了一镀膜件的制备方法。该镀膜层具有良好储氢性能。
文档编号C23C14/35GK103114265SQ20111036521
公开日2013年5月22日 申请日期2011年11月17日 优先权日2011年11月17日
发明者蒋焕梧, 陈正士, 刘扬佳 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司