专利名称：等离子成膜装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种成膜装置，特别是涉及一种等离子成膜装置。
背景技术：
目前，由于等离子成膜装置采用的等离子喷涂技术具有超高温特性，便于进行高熔点材料的喷涂；而且等离子成膜装置具有喷涂粒子的速度高，涂层致密，粘结强度高等特点，因此电子装置等产品的成膜工艺大量采用等离子喷涂技术。成膜过程中，需根据所要形成的薄膜的要求(如薄膜的致密度、厚度等)，控制等离子成膜装置所发射的等离子射流区域的形状。现有的等离子成膜装置是通过调节等离子成膜装置内的线圈电流来控制等离子射流区域形状。例如，当所要形成的薄膜的致密度要求不高时，调高线圈电流使等离子射流区域形状呈发散状；当所要形成的薄膜的致密度要求较高时，调低线圈电流使等离子射流区域形状成呈收敛状。但这种通过调节线圈电流来控制等离子射流区域形状的易受真空度、气体流量等因素的影响，因此较难稳定地控制等离子射流区域的形状，进而降低产品的品质，提升不良率及降低生产效率。
发明内容
鉴于上述状况，有必要提供一种按要求可稳定地控制等离子射流区域形状的等离子成膜装置。一种等离子成膜装置，其包括成膜室、设置于该成膜室内的等离子发生器，向该成膜室提供气体的供气系统。等离子发生器喷出等离子射流并形成等离子射流区域。等离子成膜装置还包括转动地设置于等离子发生器周围，供气系统给气体载流板提供气体，气体经由气体载流板射向等离 子射流区域。通过转动气体载流板能够改变等离子射流区域的形状。本发明的等离子成膜装置包括气体载流板，并且改变气体载流板的转动角度来任意且稳定地控制等离子射流区域的形状，利用该等离子成膜装置形成的镀膜的致密度及均匀性良好，且沉积效率高，而且因提供于该等离子成膜装置的气体流量较稳定，所要打火现象较少。
图1是本发明实施方式的等离子射流区域呈发散状的等离子成膜装置的示意图。图2是本发明实施方式的等离子射流区域呈收敛状的等离子成膜装置的示意图。图3是图1所示等离子成膜装置的气体载流板的立体示意图。图4是图2所示等离子成膜装置的气体载流板的立体示意图。图5是本发明实施方式的等离子成膜装置的体载流板的立体剖视图。主要元件符号说明
專离子成膜装置 Μ
权利要求
1.一种等离子成膜装置，其包括成膜室、设置于该成膜室内的等离子发生器及向该成膜室提供气体的供气系统，该等离子发生器喷出等离子射流并形成等离子射流区域，其特征在于:该等离子成膜装置还包括转动地设置于该等离子发生器周围的多个气体载流板，该供气系统给该气体载流板提供气体，该气体经由该气体载流板射向该等离子射流区域，通过转动该气体载流板能够改变该等离子射流区域的形状。
2.如权利要求1所述的等离子成膜装置，其特征在于:每个气体载流板包括本体，该本体的底端开设有腔室，且于该腔室的底壁上开设有与该腔室连通的至少一个进气口以及于该腔室的顶壁上开设有与该腔室连通的多个出气孔。
3.如权利要求2所述的等离子成膜装置，其特征在于:该气体载流板的至少一个进气口与该供气系统相连，提供至该气体载流板的气体通过该多个出气孔射出。
4.如权利要求1所述的等离子成膜装置，其特征在于:该等离子成膜装置还包括控制系统，其控制该气体载流板的转动。
5.如权利要求2所述的等离子成膜装置，其特征在于:该多个出气孔在该本体的顶壁上均匀排布。
6.如权利要求2所述的等离子成膜装置，其特征在于:该多个出气孔为圆柱形孔，且与该腔室垂直相通。
7.如权利要求1所述的等离子成膜装置，其特征在于:当等离子发生器的轴线与每个气体载流板垂直时，等离子射流区域的形状为发散状；当多个气体载流板转动而与等离子发生器的轴线成一定角度时，等离子射流区域的形状为收敛状，并且随该角度的不同该等离子射流区域的形状的收敛程度不 同。
8.如权利要求1所述的等离子成膜装置，其特征在于:该多个气体载流板等间距地设于该等离子发生器的外周。
9.如权利要求7所述的等离子成膜装置，其特征在于:该多个气体载流板等间距地设置于该等离子发生器周围的该成膜室的周壁上。
10.如权利要求1所述的等离子成膜装置，其特征在于:该等离子成膜装置还包括膜料提供模组，该等离子成膜装置设置于成膜室内，并将膜料粒子提供至该等离子射流区域，或膜料提供模组设置于成膜室外，并通过该气体载流板将膜料粒子与该气体一并提供至该等离子射流区域。
全文摘要
一种等离子成膜装置，其包括成膜室、设置于该成膜室内的等离子发生器及向该成膜室提供气体的供气系统。等离子发生器喷出等离子射流并形成等离子射流区域。等离子成膜装置还包括转动地设置于等离子发生器周围，供气系统给气体载流板提供气体，气体经由气体载流板射向等离子射流区域。通过转动气体载流板能够改变等离子射流区域的形状。该等离子成膜装置所镀的镀膜的致密度高，均匀度良好的同时，沉积效率高，而且打火现象较少。
文档编号C23C4/12GK103184403SQ20111044363
公开日2013年7月3日 申请日期2011年12月27日 优先权日2011年12月27日
发明者裴绍凯 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司