专利名称：一种定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法
技术领域：
本发明涉及硅片抛光技术领域，特别是涉及一种定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法。
背景技术：
抛光垫是输送抛光液的关键部件，它用于将抛光液中的磨蚀粒子送入片子表面并去除副产品，平坦化的获得是因为圆晶片上那些较高的部分接触抛光垫而被去除。抛光垫的机械性能，如弹性和剪切模量、可压缩性及粗糙度对抛光速度及最终平整度起着重要作用。抛光垫的硬度对抛光均匀性有明显的影响，硬垫可获得较好的模内均匀性(WID)和较大的平面化距离，软垫可改善片内均匀性(WIW)，为获得良好的WID和WIW，可组合使用软、硬垫，在圆片及其固定装置间加一层弹性背膜(backing film)，可满足刚性及弹性的双重要求。抛光垫常为含有聚氨基甲酸酯的聚酯纤维毡。抛光垫使用后会逐渐“釉化”，使去除速度下降，用修整的方法可以恢复抛光垫的粗糙面，改善其容纳浆料的能力，从而使去除速度得到维持且延长抛光垫的寿命。因而改进抛光垫、延长其使用寿命从而减小加工损耗是CMP技术的主要挑战之一。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可以避免硅片平边处塌边的定盘边缘抛光布割布的娃片抛光方法。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法，包括以下步骤(I)根据设备抛光后的娃片塌边状况割取抛光布，使得抛光布的直径小于抛光定盘的直径；(2)将所述抛光布贴在抛光定盘上，使得抛光布的圆心与抛光定盘的圆心对准；(3)放置硅片，对硅片进行抛光。所述抛光布的直径比抛光定盘的直径小2-10cm。有益效果由于采用了上述的技术方案，本发明与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果本发明将定盘边缘抛光布割掉，使得硅片平边在定盘外侧不接触抛光布的抛光方式，缓解环境温度、水温等变化对抛光机定盘带来的影响，解决硅片平边处塌边问题，提高硅片几何参数水平，本发明的最大 优势在于，可以根据硅片塌边状况随意调整割布的宽度，而且操作简单方便，没用任何成本增加。
图I是本发明加工模拟示意图。
具体实施例方式下面结合具体实施例，进ー步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。本发明的实施方式涉及ー种定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法，该方法通过简单处理抛光布边缘，改变抛光边缘表面状态，使硅片在抛光过程中不接触抛光布边缘来改变硅片整体的硅片表面质量，从而彻底解决硅片边缘塌边的现象，具体包括以下步骤(I)根据设备抛光后的娃片塌边状况割取抛光布2,使得抛光布2的直径小于抛光 定盘I的直径；可以采用大圆规对抛光布2进行割取，抛光布2的直径最好能够比抛光定盘I的直径小2-10cm。(2)将所述抛光布2贴在抛光定盘I上，使得抛光布2的圆心与抛光定盘I的圆心对准；(3)放置硅片3，对硅片进行抛光，即将硅片3放置于陶瓷盘4上，并采用抛光头5对硅片3进行抛光，放置完硅片3后的加工模拟图如图I所示。不难发现，本发明将定盘边缘抛光布割掉，使得硅片平边在定盘外侧不接触抛光布的抛光方式，缓解环境温度、水温等变化对抛光机定盘带来的影响，解决硅片平边处塌边问题，提高硅片几何參数水平，本发明的最大优势在于，可以根据硅片塌边状况随意调整割布的宽度，而且操作简单方便，没用任何成本增加。
权利要求
1.一种定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法，其特征在于，包括以下步骤 (1)根据设备抛光后的娃片塌边状况割取抛光布，使得抛光布的直径小于抛光定盘的直径； (2)将所述抛光布贴在抛光定盘上，使得抛光布的圆心与抛光定盘的圆心对准； (3)放置硅片，对硅片进行抛光。
2.根据权利要求I所述的定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法，其特征在于，所述抛光布的直径比抛光定盘的直径小2-10cm。
全文摘要
本发明涉及一种定盘边缘抛光布割布的硅片抛光方法，包括以下步骤根据设备抛光后的硅片塌边状况割取抛光布，使得抛光布的直径小于抛光定盘的直径；将所述抛光布贴在抛光定盘上，使得抛光布的圆心与抛光定盘的圆心对准；放置硅片进行抛光。本发明将定盘边缘抛光布割掉，使得硅片平边在定盘外侧不接触抛光布的抛光方式，缓解环境温度、水温等变化对抛光机定盘带来的影响，解决硅片平边处塌边问题。
文档编号B24B37/11GK102626896SQ201210122379
公开日2012年8月8日 申请日期2012年4月24日 优先权日2012年4月24日
发明者刘建刚, 卢峰, 周明飞, 张世波, 张海英, 徐国科, 林晓华, 胡孟君 申请人:浙江金瑞泓科技股份有限公司