专利名称：一种太阳能电池片镀膜的方法
技术领域：
本发明涉及一种太阳能电池片镀膜的方法。
背景技术：
太阳能是一种重要的清洁能源，太阳能电池片是把太阳能转化成电能的装置，太阳能电池片生产工艺比较复杂，为了减少太阳光的反射，通常采取的方法是在太阳能电池片上锻减反射膜。通过PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学气相沉积法)技术在太阳能电池片的表面表面沉积一层氮化硅膜，工作原理是高频电流使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，化学活性很强的等离子很容易发生反应，在基片上形成所需要的薄膜。能够很好的减少太阳光在硅片表面的反射，降低反射率。 但是现有的工艺不能够满足21片石墨舟的要求，会出现色差、发红片、尤其在炉口表现的尤为严重，最终会影响电池的转化效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种太阳能电池片镀膜的方法，能够使得膜色符合工艺要求，基本杜绝发红片现象。一种太阳能电池片镀膜的方法，其特别之处在于，包括如下步骤(I)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管；(2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托；(3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425°C，放电200秒；(4)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压；(5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，使得炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425°C，预沉积150秒，再通入硅烷，至压力稳定在1600毫托，持续放电700秒；(6)停止通气，抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压；(7)卸料即可。控制反应温度保持在420_430°C，硅烷氨气比为800 7000，反应压力控制在1600毫托-1800毫托。放电功率调整到6300-6500W，脉冲开关比例调整为4 45-470通入氮气6000sccm,时间20秒。采用本发明的方法后，可以很好的解决PECVD工序中产生的红片，色差片问题，使得膜色符合工艺要求。
具体实施例方式实施例1 :
一种太阳能电池片镀膜的方法，包括如下步骤(I)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管(管式PECVD镀膜设备)；(2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托；(3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425°C，放电200秒；(4)抽真空,至压力达到35毫托时,通入氮气6000sccm，时间20秒，再抽真空，重
复两次后恢复常压；
(5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，使得炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425°C，预沉积150秒，再通入硅烷，至压力稳定在1600毫托，持续放电700秒；(6)停止通气,抽真空,至压力达到35毫托时,通入氮气6000sccm，时间20秒，再抽真空，重复两次后恢复常压；(7)卸料即可。反应中控制反应温度保持在425°C，硅烷氨气比为800 7000，反应压力控制在1600毫托，放电功率调整到6500 ，脉冲开关比例调整为4 47。最终形成的氮化硅薄膜的厚度在84nm左右，片间均匀性±4%，批间均匀性±4%，没有出现色差、发红片现象。实施例2 一种太阳能电池片镀膜的方法，包括如下步骤(I)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管；(2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托；(3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425°C，放电200秒；(4)抽真空,至压力达到35毫托时,通入氮气6000sccm，时间20秒，再抽真空，重
复两次后恢复常压；(5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，使得炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425°C，预沉积150秒，再通入硅烷，至压力稳定在1600毫托，持续放电700秒；(6)停止通气,抽真空,至压力达到35毫托时,通入氮气6000sccm,时间20秒,再抽真空，重复两次后恢复常压；(7)卸料即可。反应中控制反应温度保持在425°C，硅烷氨气比为800 7000，反应压力控制在1600毫托，放电功率调整到6300 ，脉冲开关比例调整为4 45。最终形成的氮化硅膜厚在82nm左右，片间均匀性±4%，批间均匀性±4%，没有出现色差、发红片现象。
权利要求
1.一种太阳能电池片镀膜的方法，其特征在于，包括如下步骤 (1)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管； (2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托； (3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425°C，放电200秒； (4)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压； (5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，使得炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425°C，预沉积150秒，再通入硅烷，至压力稳定在1600毫托，持续放电700秒； (6)停止通气，抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压； (7)卸料即可。
2.如权利要求1所述的一种太阳能电池片镀膜的方法，其特征在于控制反应温度保持在420-430°C，硅烷氨气比为800 7000，反应压力控制在1600毫托-1800毫托。
3.如权利要求1或2所述的一种太阳能电池片镀膜的方法，其特征在于放电功率调整到6300-6500w，脉冲开关比例调整为4 45-47。
4.如权利要求1或2所述的一种太阳能电池片镀膜的方法，其特征在于通入氮气6000sccm，时间 20 秒。
全文摘要
本发明涉及一种太阳能电池片镀膜的方法。其特点是，包括如下步骤(1)将插好硅片的21片石墨舟送进炉管；(2)抽真空，至炉管内压力达到35毫托；(3)通入氨气，使炉管内压力达到1600毫托，温度控制在425℃，放电200秒；(4)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氮气，再抽真空，重复两次后恢复常压；(5)抽真空，至压力达到35毫托时，通入氨气，预沉积150秒，再通入硅烷，持续放电700秒；(6)停止通气，抽真空，通入氮气，再抽真空；(7)卸料即可。采用本发明的方法后，可以很好的解决PECVD工序中产生的红片，色差片问题，使得膜色符合工艺要求。
文档编号C23C16/34GK103022259SQ20121058566
公开日2013年4月3日 申请日期2012年12月31日 优先权日2012年12月31日
发明者谢余才, 陈刚刚 申请人:宁夏银星能源股份有限公司