专利名称：一种磁控镀膜机解除靶中毒装置的制作方法
技术领域：
一种磁控镀膜机解除靶中毒装置技术领域[0001]本实用新型涉及机械生产设备技术领域，具体涉及一种磁控镀膜机解除靶中毒装置。技术背景[0002]磁控靶中毒长期存在于磁控镀膜工艺中，其成因包括正离子堆积——靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电打弧，使阴极溅射无法进行下去。阳极消失——靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。发明内容[0003]本实用新型目的是针对本实用新型的目的是针对现有技 术的不足，提供一种结构简单，可操作性强，调整方便，使用效果明显的解除靶中毒装置。[0004]本实用新型的目的通过以下技术方案实现[0005]一种磁控镀膜机解除靶中毒装置，其特征在于电磁阀、质量流量控制器、闭环流量控制仪依次通过气管连接；在所述的闭环流量控制仪上设有一个或一个以上的手动微调阀，在该手动微调阀上连接有供气管；所述的供气管上设有一个或一个以上的吹气口，该吹气口吹气位置与磁控靶相对应。[0006]所述的闭环流量控制仪上设有4个手动微调阀。[0007]所述的吹气口成对设置。[0008]本实用新型的有益效果在于闭环流量控制仪及手动微调阀结构可以均匀地将反应气体分布在靶的周围，控制靶周围反应气体与溅射气体的比例，有效防止靶中毒，整体结构简单，可操作性强，调整方便，使用效果明显。
[0009]利用附图对本实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制。[0010]图1是本实用新型示意图。[0011]在图1中包括[0012]1、进气口，2、电磁阀，3、质量流量控制器，4、闭环流量控制仪，5、手动微调阀，6、供气管，7、吹气口，8、磁控靶。
具体实施方式
[0013]下面结合实施例对本实用新型作详细说明。[0014]图1中，电磁阀2、质量流量控制器3、闭环流量控制仪4依次通过气管连接；在所述的闭环流量控制仪4上设有一个或一个以上的手动微调阀5，在该手动微调阀5上连接有供气管6 ;所述的供气管6上设有一个或一个以上的吹气口 7，该吹气口 7吹气位置与磁控靶8相对应。[0015]所述的闭环流量控制仪4上设有4个手动微调阀5。[0016]所述的吹气口 7成对设置。[0017]在低真空状态下对靶面进行清洗，电磁阀2接通，气体通过进气口 I进入质量流量控制器3，经过质量流量控制器3调整流量的气体进入闭环流量控制仪4，在闭环流量控制仪4上的手动微调阀5对气体流量进行微调输出，最后通过供气管6上的吹气口 7吹出，对磁控靶8表面进行清洗。[0018]最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以 对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
权利要求1.一种磁控镀膜机解除靶中毒装置，其特征在于电磁阀(2)、质量流量控制器(3)、闭环流量控制仪(4)依次通过气管连接；在所述的闭环流量控制仪(4)上设有一个或一个以上的手动微调阀(5)，在该手动微调阀(5)上连接有供气管(6);所述的供气管(6)上设有一个或一个以上的吹气口(7)，该吹气口(7)吹气位置与磁控靶(8)相对应。
2.根据权利要求1所述的解除靶中毒装置，其特征在于所述的闭环流量控制仪(4)上设有4个手动微调阀(5)。
3.根据权利要求1所述的解除靶中毒装置，其特征在于所述的吹气口(7)成对设置。
专利摘要本实用新型涉及机械生产设备技术领域，具体涉及一种磁控镀膜机解除靶中毒装置。本装置特征在于电磁阀、质量流量控制器、闭环流量控制仪依次通过气管连接；在所述的闭环流量控制仪上设有一个或一个以上的手动微调阀，在该手动微调阀上连接有供气管；所述的供气管上设有一个或一个以上的吹气口，该吹气口吹气位置与磁控靶相对应。本实用新型可根据使用实际情况调整气量的大小，整体结构简单，可操作性强，调整方便，使用效果明显。
文档编号C23C14/35GK202830157SQ20122003747
公开日2013年3月27日 申请日期2012年2月7日 优先权日2012年2月7日
发明者潘振强 申请人:肇庆市振华真空机械有限公司