专利名称：一种ic级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法
技术领域：
本发明涉及一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法。
背景技术：
目前，对EPI等级要求较高的产品，IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度会严重影响到后续加工过程的图形良率。EPI过程后产生的副产物虽然经HCl清洗后会使表面变得略粗糙，但如果所提供的原片表面粗糙度达不到要求，经HCl清洗后表现尤为明显，影响图像良率。所以为满足EPI厂商要求，使抛光片表面粗糙度达到标准非常重要。
发明内容
本发明的目的是提供能使表面粗糙度符合标准，从而提高后续加工过程的图形良率的一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法。本发明采取的技术方案是一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法，其特征在于它经过下列阶段:A、在抛光机中加入PH值为10. 5 11的抛光液后，进入第一阶段抛光，将温度控制在20°C 23°C，压力控制在0. 3 0. 5KN,时间控制在20 30秒；B、抛光液PH值保持在10. 5 11，进入第二阶段抛光，将温度控制在20°C 23°C，压力控制在0. 5 1KN，时间控制在30 60秒；C、抛光液PH值保持在10. 5 11，进入第三阶段抛光，将温度控制在25°C 30°C，压力控制在2. 0 2. 5KN,时间控制在6 8分钟；D、抛光液PH值保持在10. 5 11，进入第四阶段抛光，将温度控制在25°C 30°C，压力控制在0.1 0. 2KN,时间控制在2 3分钟，并在该阶段结束前20 25秒时将抛光液切换为高纯表面活性剂；F、进入第五阶段抛光，将温度控制在20°C 23°C，压力控制在0.1 0. 3KN，时间控制在30 60秒，即可完成抛光。采用本发明，可以有效控制化学与机械抛光的平衡度，从而防止抛光片表面容易因化学或机械作用过强而引起硅片表面粗糙，使IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度符合标准，提高后续加工过程的图形良率。
具体实施例方式下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。它包括下列阶段
一、在抛光机中加入PH值为10.5 11的抛光液后，进入第一阶段抛光，将温度控制在20°C 23°C，压力控制在0. 3 0. 5KN,时间控制在20 30秒；
二、抛光液PH值保持在10.5 11，进入第二阶段抛光，将温度控制在20°C 23°C，压力控制在0. 5 IKN，时间控制在30 60秒；
三、抛光液PH值保持在10.5 11，进入第三阶段抛光，将温度控制在25°C 30°C，压力控制在2. 0 2. 5KN,时间控制在6 8分钟；
四、抛光液PH值保持在10.5 11，进入第四阶段抛光，将温度控制在25°C 30°C，压力控制在0.1 0. 2KN,时间控制在2 3分钟，并在该阶段结束前20 25秒时将抛光液切换为高纯表面活性剂；
五、进入第五阶段抛光，将温度控制在20°C 23°C，压力控制在0.1 0. 3KN,时间控制在30 60秒，即可完成抛光。
权利要求
1.一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法，其特征在于它经过下列阶段:A、 在抛光机中加入PH值为10. 5 11的抛光液后，进入第一阶段抛光，将温度控制在20°C 23°C，压力控制在O. 3 O. 5KN,时间控制在20 30秒；B、抛光液PH值保持在10. 5 11， 进入第二阶段抛光，将温度控制在20°C 23°C，压力控制在O. 5 1KN，时间控制在30 60 秒；C、抛光液PH值保持在10. 5 11，进入第三阶段抛光，将温度控制在25°C 30°C，压力控制在2. O 2. 5KN，时间控制在6 8分钟；D、抛光液PH值保持在10. 5 11，进入第四阶段抛光，将温度控制在25°C 30°C，压力控制在O.1 O. 2KN,时间控制在2 3分钟，并在该阶段结束前20 25秒时将抛光液切换为高纯表面活性剂；F、进入第五阶段抛光，将温度控制在20°C 23°C，压力控制在O.1 O. 3KN,时间控制在30 60秒，即可完成抛光。
全文摘要
本发明涉及一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法，该方法是将抛光分为五个阶段，五个阶段的抛光过程温度控制到25℃-28℃；PH控制到10.5-11；在第三阶段将抛光时间缩短为6-8分钟；在第四阶段将抛光时间延长到2-3分钟，压力从0.1KN提高到0.2KN，同时在抛光结束前添加高纯表面活性剂至第五阶段结束；采用本发明，可以有效控制化学与机械抛光的平衡度，从而防止抛光片表面容易因化学或机械作用过强而引起硅片表面粗糙，使IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度符合标准，提高后续加工过程的图形良率。
文档编号B24B37/005GK103042463SQ20131002560
公开日2013年4月17日 申请日期2013年1月22日 优先权日2013年1月22日
发明者袁泽山, 郝美功, 詹玉峰 申请人:万向硅峰电子股份有限公司