用于测试沉积过程的掩膜组件、沉积装置和测试方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于测试沉积过程的掩膜组件、沉积装置和测试方法。所述沉积装置包括沉积源、沉积室、掩膜组件和传送单元。所述掩膜组件包括支撑构件、遮挡构件和驱动构件。所述支撑构件具有被构造为在支撑基底基板的同时允许沉积材料经过的第一开口，所经过的沉积材料被沉积在所述基底基板上。所述遮挡构件被容纳在所述支撑构件中，并且具有比所述第一开口小的第二开口。所述驱动构件被构造为根据所述掩膜组件的移动来改变所述第二开口相对于所述基底基板的位置。
【专利说明】用于测试沉积过程的掩膜组件、沉积装置和测试方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2012年9月4日递交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2012-0097799号的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。
【技术领域】
[0003]本发明的各实施例的各方面涉及一种用于测试沉积过程的掩膜组件、包括掩膜组件的沉积装置和使用掩膜组件用于沉积过程的测试方法。
【背景技术】
[0004]通过在基底基板上沉积有机材料或无机材料可制造平板显示器或半导体器件。为此目的，沉积过程可在沉积装置中执行。沉积装置可包括真空室、在真空室中的至少一个沉积源、掩膜和传送基底基板的传送单元。可执行沉积过程的测试，以便在执行沉积过程来制造平板显示器或半导体器件之前确定沉积过程(如在沉积装置中执行)是否适合。测试基板可被用于测试该沉积过程。例如，作为测试沉积过程的一部分，可测量在测试基板上沉积的材料的厚度和均匀度。为此目的，测量到的厚度和均匀度可与参考厚度和均匀度进行比较。
[0005]当测试用于具有多个沉积源的沉积装置的沉积过程时，每个沉积源用于沉积不同的材料，可需要多个测试基板。例如，测试基板可被顺序地装载到沉积装置中，并且不同的材料被分别沉积在不同的测试基板上。可随后测量沉积在相应测试基板上的每种沉积材料厚度和均匀度。
【发明内容】
[0006]本发明的各实施例提供一种能够通过使用用于多个沉积源的一个测试基板进行测试过程的掩膜组件。进一步的实施例提供一种包括掩膜组件的沉积装置，以及使用掩膜组件用于沉积过程的测试方法。
[0007]根据本发明示例性实施例，提供一种用于测试沉积过程的掩膜组件。该掩膜组件包括:支撑构件，具有被构造为允许沉积材料经过的第一开口，同时支撑基底基板，所经过的沉积材料所述掩膜组件沿第一方向移动的同被时沉积在所述基底基板上；遮挡构件，被容纳在所述支撑构件中，并且具有比所述第一开口小的第二开口 ；和驱动构件，被构造为根据所述掩膜组件的移动来移动所述遮挡构件，以便改变所述第二开口相对于所述基底基板的位置。
[0008]所述支撑构件可包括:具有所述第一开口的底部部分，和从所述底部部分弯曲以便支撑所述基底基板的侧壁。
[0009]所述遮挡构件可被构造为根据所述掩膜组件的移动沿与所述第一方向相反的方向相对于所述基底基板移动。
[0010]所述第二开口可沿与所述第一方向基本垂直的第二方向延伸。
[0011]所述遮挡构件可具有比所述第一开口大的面积，并且可位于所述底部部分上。[0012]所述掩膜组件可进一步包括:位于所述底部部分上的轨道单元；和联接单元，被联接到所述遮挡构件并且被插入所述轨道单元中，以便允许所述遮挡构件沿所述轨道单元移动。
[0013]所述驱动构件可被构造为根据所述掩膜组件的移动而旋转。所述遮挡构件可被构造为根据所述驱动构件的旋转而移动。
[0014]所述驱动构件可包括被构造为因摩擦力而旋转的第一小齿轮。
[0015]所述驱动构件可进一步包括第二小齿轮，该第二小齿轮被构造为从所述第一小齿轮接收动力并且接触所述遮挡构件的侧表面。
[0016]所述遮挡构件可包括锯齿，该锯齿在所述遮挡构件的所述侧表面上并且被构造为啮合所述第二小齿轮的锯齿。
[0017]所述驱动构件可包括交替设置的N极部分和S极部分，并且可被构造为被因磁力而旋转。
[0018]根据本发明另一示例性实施例，提供一种用于测试沉积过程的掩膜组件。该掩膜组件包括支撑构件，具有被构造为允许沉积材料经过的第一开口，同时支撑基底基板，所经过的沉积材料在所述掩膜组件移动的同时被沉积在所述基底基板上；遮挡构件，被容纳在所述支撑构件中，并且包括具有比所述第一开口小的第二开口的可旋转构件；和驱动构件，被构造为根据所述掩膜组件的移动来 旋转所述可旋转构件，以便改变所述第二开口相对于所述基底基板的位置。
[0019]所述支撑构件可包括具有所述第一开口的底部部分和从所述底部部分弯曲以便支撑所述基底基板的侧壁。
[0020]所述遮挡构件可进一步包括被联接到所述可旋转构件以便旋转所述可旋转构件的旋转轴。
[0021]所述第一开口可包括左第一开口和右第一开口。所述遮挡构件可包括与所述左第一开口重叠的左遮挡构件和与所述右第一开口重叠的右遮挡构件。
[0022]所述驱动构件可包括第一驱动构件和第二驱动构件，所述第一驱动构件被构造为沿第一方向旋转，所述第二驱动构件被构造为根据所述支撑构件的移动沿与所述第一方向相反的第二方向旋转。所述左遮挡构件的可旋转构件的第二开口相对于所述基底基板的位置可被构造为因所述第一驱动构件的旋转而改变。所述右遮挡构件的可旋转构件的第二开口相对于所述基底基板的位置可被构造为因所述第二驱动构件的旋转而改变。
[0023]所述第一驱动构件和所述第二驱动构件中的每个驱动构件可包括被构造为因摩擦力而旋转的第一小齿轮。
[0024]所述第一驱动构件和所述第二驱动构件中的每个驱动构件可进一步包括第二小齿轮，该第二小齿轮被构造为从所述第一小齿轮接收动力并且接触所述遮挡构件的侧表面。
[0025]所述第一驱动构件和所述第二驱动构件中的每个驱动构件可包括铁饼形的磁性构件，该铁饼形的磁性构件包括交替设置的N极部分和S极部分。所述磁性构件可被构造为因磁力而旋转。
[0026]根据本发明又一示例性实施例，提供一种沉积装置。该沉积装置包括:被构造为使沉积材料沉积的多个沉积源；容纳所述多个沉积源的沉积室；用于测试沉积过程的掩膜组件，该掩膜组件被构造为联接到基底基板同时移动通过所述沉积室，同时所述沉积源将所述沉积材料沉积在所述基底基板上；和传送单元，被构造为将所述掩膜组件移动通过所述沉积室。所述掩膜组件包括:支撑构件，具有被构造为允许沉积材料经过的第一开口，同时支撑基底基板，所经过的沉积材料被沉积在所述基底基板上；遮挡构件，被容纳在所述支撑构件中，并且具有比所述第一开口小的第二开口 ；和驱动构件，被构造为根据所述掩膜组件的移动来改变所述第二开口相对于所述基底基板的位置。
[0027]所述传送单元可包括被构造为将所述掩膜组件移动通过所述沉积室的多个辊子。
[0028]所述驱动构件可被构造为根据所述掩膜组件的移动而旋转。所述第二开口相对于所述基底基板的位置可被构造为因所述驱动构件的旋转而改变。
[0029]所述沉积室可包括:装载区，被构造为将所述基底基板联接到所述掩膜组件；沉积区，所述多个沉积源被容纳在该沉积区中；和卸载区，被构造为将所述基底基板与所述掩膜组件分离。
[0030]所述驱动构件可包括多个小齿轮。所述多个小齿轮中的一个小齿轮可被构造为接触所述遮挡构件的侧表面，以便改变所述第二开口相对于所述基底基板的位置。
[0031]所述沉积室可包括在所述沉积区域的侧壁上的多个传送架，以便对应于所述多个沉积源或者对应于所述多个沉积源之间的空间。
[0032]所述多个小齿轮中的另一个小齿轮可被构造为接触所述多个传送架，以便改变所述第二开口相对于所述基底基板的位置。
[0033]所述沉积装置可进一步包括:返回单元，该返回单元被构造为将所述掩膜组件从所述卸载区返回到所述装载区；和容纳所述返回单元的返回室。
[0034]所述返回室可包括在`所述返回室的侧壁上的返回架。
[0035]所述驱动构件可包括铁饼形磁性构件，该铁饼形磁性构件包括交替设置的N极部分和S极部分。所述沉积室可包括在与所述多个沉积源对应的所述沉积区的侧壁上的多个磁性传送构件，每个磁性传送构件包括交替设置的N极部分和S极部分。
[0036]所述支撑构件可包括具有所述第一开口的底部部分和从所述底部部分弯曲以便支撑所述基底基板的侧壁。
[0037]所述遮挡构件可被构造为根据所述掩膜组件的移动沿与所述掩膜组件移动的方向相反的方向相对于所述基底基板移动。
[0038]所述遮挡构件可包括被构造为因所述掩膜组件的移动而旋转的可旋转构件。
[0039]根据本发明再一示例性实施例，提供一种使用掩膜组件用于沉积过程的测试方法。所述测试方法包括:使所述掩膜组件进入沉积室的容纳多个沉积源的沉积区中，所述掩膜组件包括支撑基底基板的支撑构件以及具有开口的遮挡构件；将来自所述多个沉积源的相应的多个沉积材料沉积在所述基底基板上；将所述掩膜组件移动通过所述沉积区；并且根据所述掩膜组件的移动改变所述遮挡构件的所述开口相对于所述基底基板的位置。
[0040]所述测试方法可进一步包括:使所述掩膜组件离开所述沉积区，以及将所述掩膜组件从所述沉积区的出口返回到所述沉积区的入口。
[0041]改变所述遮挡构件的所述开口的位置可包括，相对于所述基底基板沿与所述掩膜组件移动的方向相反的方向移动所述遮挡构件。
[0042]改变所述遮挡构件的所述开口的所述位置可包括，根据所述掩膜组件的移动旋转所述遮挡构件。
[0043]所述多个沉积材料可包括对应的多个不同的沉积材料。
[0044]根据上述和其它实施例，掩膜组件使用一个测试基板来测试沉积装置的沉积过程，其中该沉积装置具有供应对应的多个沉积材料的多个沉积源。掩膜组件在测试基板的不同区中接收相应的沉积材料。由于测试沉积过程所需的测试基板的数量可被减少，因此可减少测试成本，并且可缩短测试沉积过程所需的时间。
[0045]根据上述和其它实施例，在沉积装置中，遮挡构件的第二开口相对于测试基板的位置根据掩膜组件的移动被改变。第二开口的位置针对每个沉积源而改变。因此，沉积材料被沉积在测试基板的不同区中。
【专利附图】
【附图说明】
[0046]结合附图考虑并参照下面的详细描述，本发明的上述和其它方面和特征将变得易于明显，附图中:
[0047]图1为示出根据本发明示例性实施例的沉积装置的俯视图；
[0048]图2为示出根据本发明示例性实施例的图1示出的沉积装置的一部分的第一剖视图；
[0049]图3为示出图1-2示出的沉积装置的一部分的第二剖视图；
[0050]图4A为示出根据本发明示例性实施例的用于测试沉积过程的掩膜组件的透视图；
[0051]图4B为示出图4A的掩膜组件的分解透视图；
[0052]图5A为示出根据本发明另`一示例性实施例的用于测试沉积过程的掩膜组件的透视图；
[0053]图5B为示出图5A的掩膜组件的分解透视图；
[0054]图6A为示出根据本发明又一示例性实施例的用于测试沉积过程的掩膜组件的透视图；
[0055]图6B为示出图6A的掩膜组件的分解透视图；
[0056]图7为示出根据本发明另一示例性实施例的图1示出的沉积装置的一部分的第一首丨J视图;
[0057]图8为示出图1和图7示出的沉积装置的一部分的第二剖视图；
[0058]图9为示出根据本发明示例性实施例的图1和图7-8的沉积装置的一部分的透视图；
[0059]图10为示出根据本发明另一示例性实施例的图1和图7-8的沉积装置的一部分的透视图；
[0060]图11为示出图10示出的沉积装置的一部分的放大透视图；
[0061]图12为示出根据本发明另一示例性实施例的沉积装置的俯视图；
[0062]图13为示出图12示出的沉积装置的一部分的第一剖视图；并且
[0063]图14为示出图12至图13示出的沉积装置的一部分的第二剖视图。
【具体实施方式】[0064]将理解的是，当元件或层被提及为在另一元件或层“上”、被“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可以直接在该另一元件上、被直接连接到或联接到该另一元件，或者可存在一个或多个中间元件或层。相反，当元件被提及为“直接”在另一元件或层“上”、被“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。相似的附图标记始终指代相似的元件。如在此使用，用语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。
[0065]将理解的是，尽管用语第一、第二等可能在此用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但这些元件、部件、区域、层和/或区段不应限于这些用语。这些用语仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、部件、区域、层或区段区分开来。因此，下面论述的第一元件、部件、区域、层或区段可以称作第二元件、部件、区域、层或区段，而不脱离本发明的教导。
[0066]为了易于描述，诸如“之下”、“下方”、“下”、“之上”、“上”等空间相对用语在这里可被用于描述图中例示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，除了图中所示的方位之外，空间相对用语旨在包括使用或操作中的设备的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件则将被定向在该其它元件或特征的“上方”。因此，示例性用语“下方”能够包括上、下的方位。该设备可以以其他方式被定位(被旋转90度或处于其它方位)，并且这里使用的空间相对描述符被相应地解释。
[0067]这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，并非意在限制本发明。如这里所使用的那样，单数形式的“一”和“该”意在也包括复数形式，除非上下文另有清楚指明。将进一步理解的是，当在该说明书中使用时，用语“包括”、“由…组成”和/或“包含”说明存在规定的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或添加一个或更多其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。
[0068]除非特别定义，这里使用的所有用语(包括技术用语和科学用语)具有与本发明所属领域中的普通技术人员通常理解相同的含义。将进一步理解的是，诸如在常用字典中定义的用语应被解释为具有的含义与它们`在相关领域上下文中的含义一致，并且不应在理想化或过于正式化的意义上进行解释，除非这里特别加以定义。下文中，将参照附图详细解释本发明。
[0069]图1为示出根据本发明示例性实施例的沉积装置的俯视图。图2为示出根据本发明示例性实施例的图1示出的沉积装置的一部分的第一剖视图。图3为示出图1-2示出的沉积装置的一部分的第二剖视图。
[0070]参照图1至图3，沉积装置包括沉积室CB、多个沉积源SI至S4、用于测试沉积过程的掩膜组件MA和传送单元TP。图1至图3示出四个沉积源SI至S4作为示例。
[0071]沉积室CB具有沿执行沉积过程的第一方向Dl为细长的形状。沉积室CB包括第一侧壁SWl、在与第一方向Dl基本垂直的第二方向D2上面对第一侧壁SWl的第二侧壁SW2、连接在第一侧壁SWl和第二侧壁SW2之间的底部部分BP和顶部部分CP。底部部分BP在与第一方向Dl和第二方向D2基本垂直的第三方向D3上面对顶部部分CP。
[0072]沉积室CB根据功能被划分成多个区。沉积室CB包括装载区100、沉积区200和卸载区300。[0073]基底基板SUB在装载区100中被装载到掩膜组件MA或联接到掩膜组件MA。基底基板SUB可为测试基板，用于在使用沉积过程制造显示面板或半导体器件之前测试沉积过程是否适合于制造显示面板或其它半导体器件。用于制造显示面板或半导体器件的基板可用作基底基板SUB。例如，基板可用于下述显示面板:可用于但不限于有机发光二极管显示面板。基底基板SUB可包括例如玻璃、硅、金属或塑料。
[0074]沉积源SI至S4被布置(例如容纳)在沉积区200中。沉积源SI至S4沿第一方向Dl彼此分开。在其它实施例中，沉积源的数量和设置可与图1-3中示出的那些数量和设置不同。
[0075]沉积源SI至S4可分别提供不同的沉积材料Ml至M4。沉积源SI至S4例如可提供有机材料和/或无机材料。沉积源SI至S4中的每个可包括用于容纳相应沉积材料Ml至M4的容器以及用于蒸发沉积材料Ml至M4的加热单元。
[0076]沉积区200被划分成多个单独的沉积区210至240。沉积源SI至S4被分别容纳在单独的沉积区210至240中。单独的沉积区210至240由多个分隔壁BI至B3分隔开。
[0077]基底基板SUB在卸载区300中从掩膜组件MA卸载或与掩膜组件MA分离。在装载区100与沉积区200之间(例如，在沉积区的入口处)以及在沉积区200与卸载区300之间(例如，在沉积区域的出口处)可安装门。另外，在装载区100、沉积区200和卸载区300中的压力可彼此不同。根据沉积过程，沉积区200可能需要维持在真空状态。
[0078]其中装载或联接有基底基板SUB的掩膜组件MA经过包括沉积区200的沉积室CB。掩膜组件MA由传送单元TP传送(例如，从沉积区200的一端移动到另一端)。掩膜组件MA包括支撑构件10、遮挡构件20和驱动构件30。支撑构件10包括第一开口 OPl并且支撑基板SUB，来自沉积源SI至S4的沉积材料Ml至M4通过第一开口 OPl进入或经过第一开口OPl。`
[0079]遮挡构件20被容纳在支撑构件10中。遮挡构件20包括小于第一开口 OPl的第二开口 0P2。经过第一开口 OPl的沉积材料Ml至M4在经过第二开口 0P2之后被沉积在基底基板SUB上。
[0080]驱动构件30根据掩膜组件MA的移动来改变第二开口 0P2相对于基底基板SUB的位置。例如，第二开口 0P2在掩膜组件MA在第一沉积源SI上方时相对于基底基板SUB的位置可不同于第二开口 0P2在掩膜组件MA在第四沉积源S4上方时相对于基底基板SUB的位置。
[0081]传送单元TP包括多个辊子。辊子被安装在第一侧壁SWl和第二侧壁SW2上。辊子接触支撑构件10。支撑构件10根据辊子的旋转在第一方向Dl上移动。辊子可通过布置在沉积室CB外部的电机而操作。通过打开和关闭电机可控制辊子的操作。传送单元TP不限于辊子或辊子的这种实施方式。在其它实施例中，传送单元TP可包括不同的传送设备，例如传送带，而不是辊子。
[0082]图4A为示出根据本发明示例性实施例的用于测试沉积过程的掩膜组件MA的透视图。图4B为示出图4A的掩膜组件MA的分解透视图。
[0083]参照图4A和图4B，支撑构件10包括底部部分10-BP和侧壁10-SW。第一开口 OPl形成为穿过底部部分10-BP。侧壁10-SW从底部部分10-BP弯曲以便支撑基底基板SUB。底部部分10-BP当在俯视图中观察时具有矩形形状。侧壁10-SW从具有矩形形状的底部部分IO-BP的四侧的每一侧弯曲。侧壁IO-SW包括连接到底部部分10-BP的四侧的竖直部分和连接到竖直部分并且接触基底基板SUB的水平部分。
[0084]遮挡构件20被布置在底部部分10-BP上以与第一开口 OPl重叠。遮挡构件20被侧壁10-SW围绕并且具有矩形形状。遮挡构件20具有比第一开口 OPl大的面积。
[0085]第二开口 0P2在与第一方向Dl基本垂直的第二方向D2上为细长的。例如，第二开口 0P2可为槽隙,在第二方向D2上具有的长度长于在第一方向Dl上的宽度。
[0086]驱动构件30 (参见图3)可根据掩膜组件MA的移动被旋转。驱动构件30的旋转力被传递到遮挡构件20，并且遮挡构件20因旋转力而移动。导致驱动构件30旋转的动力源可以是但不限于与外部构件(例如，摩擦力)等摩擦的机械构件，例如，电机。
[0087]如图4A和图4B所示，驱动构件30包括被构造为沿相反方向旋转的第一和第二驱动构件，例如，第一和第二旋转构件30-L和30-R。第一和第二旋转构件30-L和30-R被布置在侧壁10-SW的沿第二方向D2彼此面对的相对侧壁上。本发明不限于此，并且在其它实施例中，第一或第二旋转构件30-L或30-R中的一个可不存在。
[0088]第一和第二旋转构件30-L和30-R中的每个包括第一小齿轮30-P1、第二小齿轮30-P2、第三小齿轮30-P3、第一旋转轴30-RA1和第二旋转轴30-RA2。第一小齿轮30-P1接收来自外部设备的动力。
[0089]第一旋转轴30-RA1将第一小齿轮30-P1连接到第二小齿轮30-P2，以便将动力从第一小齿轮30-P1传送到第二小齿轮30-P2。第一和第二旋转构件30-L和30-R的第一旋转轴30-RA1被插入形成为穿过 沿第二方向D2面对彼此的侧壁10-SW的通孔TH-L和TH-R中。
[0090]第三小齿轮30-P3被联接到第二小齿轮30_P2(例如与第二小齿轮30-P2啮合)，以便从第二小齿轮30-P2接收动力。第三小齿轮30-P3利用来自第二小齿轮30-P2的动力移动遮挡构件20。连接到第三小齿轮30-P3的第二旋转轴30-RA2被固定到底部部分10-BP。
[0091]在其它实施例中，第一和第二旋转构件30-L和30-R中的每个的第一小齿轮30-P1、第二小齿轮30-P2和第三小齿轮30-P3可由不具有锯齿图案的铁饼形旋转构件取代。根据另一实施例，第一和第二旋转构件30-L和30-R中的每个的第三小齿轮30-P3可被省去，并且第一和第二旋转构件30-L和30-R中的每个包括接触遮挡构件20的第二小齿轮30-P2。根据另一实施例，第一和第二旋转构件30-L和30-R中的每个的第一小齿轮30-P1可被省去，并且第一旋转轴30-RA1可被诸如电机的机械构件连接。另外，第一和第二旋转构件30-L和30-R可包括至少一个小齿轮。在其它实施例中，包括在第一和第二旋转构件30-L和30-R中的小齿轮的数量可改变。
[0092]遮挡构件20包括多个侧表面。在这些侧表面中，面对第二方向D2和面对与第二方向D2相反的方向的两个相反侧表面分别接触第一和第二旋转构件30-L和30-R的第三小齿轮30-P3。面对第二方向D2和面对与第二方向D2相反的方向的相反侧表面可包括与第三小齿轮30-P3的锯齿啮合的锯齿。
[0093]由于第三小齿轮30-P3与遮挡构件20的两个侧表面之间的啮合，当动力应用到第三小齿轮30-P3时，遮挡构件20的位置相对于基底基板SUB被改变。根据遮挡构件20的位置的变化，第二开口 0P2的位置相对于基底基板SUB被改变。在其它实施例中，面对第二方向D2和面对与第二方向D2相反的方向的侧表面的锯齿可省去。[0094]根据第一和第二旋转构件30-L和30-R的第一小齿轮30-P1的旋转，遮挡构件20的位置被改变。当第一旋转构件30-L的第一小齿轮30-P1沿逆时针方向旋转并且第二旋转构件30-R的第一小齿轮30-P1沿顺时针方向旋转时，遮挡构件20沿与第一方向Dl相反的方向移动。
[0095]图5A为示出根据本发明另一示例性实施例的用于测试沉积过程的掩膜组件MAlO的透视图。图5B为示出图5A的掩膜组件MAlO的分解透视图。图5A和图5B示出的掩膜组件MAlO具有与参照图4A和图4B描述的掩膜组件MA的构造相似的构造，因此将不再重复相同构造的详细描述。
[0096]参照图5A和图5B，掩膜组件MAlO进一步包括彼此分开并且布置(例如，位于)在支撑构件10的底部部分10-BP上的第一和第二轨道单元RP-L和RP-R。第一轨道单元RP-L和第二轨道单元RP-R沿第一方向Dl延伸。 [0097]另外，掩膜组件MAlO包括第一和第二联接单元(例如，第一和第二联接块CM-L和CM-R),其分别联接到第一和第二轨道单元RP-L和RP-R，从而第一和第二联接块CM-L和CM-R分别沿第一和第二轨道单元RP-L和RP-R移动。图5B示出两个第一联接块CM-L和两个第二联接块CM-R作为示例。第一和第二联接单元被联接到遮挡构件20并且被插入第一和第二轨道单元RP-L和RP-R中，以便允许遮挡构件20沿第一和第二轨道单元RP-L和RP-R移动。
[0098]第一联接块CM-L和第二联接块CM-R被附接到遮挡构件20的下表面。因此，遮挡构件20因分别联接到第一和第二轨道单元RP-L和RP-R的第一和第二联接块CM-L和CM-R而稳定地移动。结果是，遮挡构件20可以更牢固地联接到驱动构件30或啮合驱动构件30。
[0099]图6A为示出根据本发明又一示例性实施例的用于测试沉积过程的掩膜组件MA20的透视图。图6B为示出图6A的掩膜组件MA20的分解透视图。图6A和图6B示出的掩膜组件MA20具有与参照图4A和图4B描述的掩膜组件MA的构造相似的构造，因此将不再重复相同构造的详细描述。
[0100]参照图6A和图6B，掩膜组件MA20包括支撑构件10、至少一个左遮挡构件20L和/或右遮挡构件20R以及驱动构件30 (参见图3)。支撑构件10包括形成为贯穿其中的至少一个第一开口 OPl。如图6B所示，支撑构件10包括四个第一开口 OPl，即，两个左第一开
口和两个右第一开口。
[0101]掩膜组件MA20包括多个左、右遮挡构件20L和20R。例如，左、右遮挡构件20L和20R的数量可与第一开口 OPl的数量相同。也就是，四个左、右遮挡构件20L和20R可被布置(例如定位)为分别对应于四个第一开口 0P1，如图6B中所示。四个左、右遮挡构件20L和20R包括两个左遮挡构件20L和两个右遮挡构件20R。两个左遮挡构件20L分别与两个左第一开口 OPl重叠，两个右遮挡构件20R分别与两个右第一开口 OPl重叠。
[0102]每个左遮挡构件20L包括具有左第二开口 20-L0P的左可旋转构件20_L和左旋转轴20-RAL。左旋转轴20-RAL被联接到左可旋转构件20-L，以便旋转左可旋转构件20-L。
[0103]每个右遮挡构件20R包括具有右第二开口 20-R0P的右可旋转构件20-R和右旋转轴20-RAR。右旋转轴20-RAR被联接到右可旋转构件20-R，以便旋转右可旋转构件20-R。左旋转轴20-RAL和右旋转轴20-RAR被联接到底部部分10-BP。
[0104]左可旋转构件20-L和右可旋转构件20-R根据掩膜组件MA20的移动而旋转。左可旋转构件20-L和右可旋转构件20-R沿彼此相反的方向旋转。在其它实施例中，掩膜组件MA20可包括左遮挡构件20L或者右遮挡构件20R。
[0105]当第一旋转构件30-L的第一小齿轮30-P1沿逆时针方向旋转时，左可旋转构件20-L沿逆时针方向旋转。当第二旋转构件30-R的第一小齿轮30-P1沿顺时针方向旋转时，右可旋转构件20-R沿顺时针方向旋转。由于左可旋转构件20-L的旋转，左第二开口 20-L0P的位置相对于基底基板SUB被改变。另外，右第二开口 20-R0P的位置根据右可旋转构件20-R的旋转对于基底基板SUB被改变。
[0106]图7为示出根据本发明另一示例性实施例的图1示出的沉积装置的一部分的第一剖视图。图8为示出图1和图7示出的沉积装置的一部分的第二剖视图。图9为示出根据本发明示例性实施例的图1和图7-8的沉积装置的一部分的透视图。
[0107]在图7至图9中，相同的附图标记指代与图1至图6B中相同的元件，因此将不再重复相同元件的详细描述。另外，图7至图9示出以图5A和图5B所示的掩膜组件MAlO作为示例，并且传送单元TP包括棍子。
[0108]掩膜组件MAlO通过布置在第一和第二侧壁SWl和SW2上的辊子TP沿第一方向Dl移动。例如，掩膜组件MAlO的支撑构件10接触辊子TP。因此，当辊子TP停止其操作时，掩膜组件MAlO可停止移动。
[0109]当掩膜组件MAlO经过沉积室CB时，掩膜组件MAlO可在单独的沉积区210至240(参见图1)中的每个沉积区处停止移动。当掩膜组件MAlO停止移动时，沉积材料被沉积在基底基板SUB上。因此，当掩膜组件MAlO经过沉积室CB时，沉积材料Ml至M4被沉积在基底基板SUB的不同区中。
[0110]例如，掩膜组件MAlO可在第一沉积源SI处停止移动。在此情况下，第二开口 0P2相对于基底基板SUB的位置被定`义为第一位置。从第一沉积源SI蒸发的第一沉积材料Ml穿过第一开口 OPl和第二开口 0P2被沉积在基底基板SUB的区域中。在第一沉积源SI处停止移动持续沉积时间段(例如，预定时间段)的掩膜组件MAlO再次沿第一方向Dl移动。在此情况下，遮挡构件20沿与第一方向Dl相反的方向移动。
[0111]掩膜组件MAlO在第二沉积源S2处停止移动。第二开口 0P2相对于基底基板SUB的位置被定义为第二位置。第二位置不同于第一位置，这是因为从第二开口 0P2位于第一位置开始，第二开口 0P2已经沿与第一方向Dl相反的方向(B卩，远离第一方向)移动。也就是，为了到达第二位置，第二开口 0P2不得不比移动到达第一位置的第二开口 0P2沿与第一方向Dl相反的方向更进一步地移动。因此，从第二沉积源S2蒸发的第二沉积材料M2穿过第一开口 OPl和第二开口 0P2被沉积在基底基板SUB的区域中，该区域与第一沉积材料Ml所沉积的区域不同。
[0112]随后，掩膜组件MAlO在第三和第四沉积源S3和S4的每个处停止移动。当掩膜组件MAlO完全经过沉积室CB的沉积区200时，第一至第四沉积材料Ml至M4被沉积在基底基板SUB的不同区中。之后，沉积在基底基板SUB上的第一至第四沉积材料Ml至M4的每个的厚度和均匀度被测量。测量到的厚度和均匀度与参考厚度和均匀度值进行比较。因此，沉积室CB的沉积过程被测试，以便根据比较结果看其是否适用于制造显示装置(或其它半导体器件)。
[0113]如图7至图9所示，根据本示例性实施例的沉积装置包括布置在沉积室CB的第一和第二侧壁SWl和SW2中的每个侧壁上的多个传送架TRl至TR4。传送架TRl至TR4位于沉积区200中。
[0114]图7至图9示出布置在第一侧壁SWl和第一旋转构件30-L的第一小齿轮30-P1(参见图5B)上的传送架TRl至TR4。传送架TRl至TR4彼此分开。传送架TRl至TR4被布置为以一对一的对应关系对应于沉积源SI至S4。传送架TRl至TR4被布置为在第一方向Dl上比沉积源SI至S4更靠近装载区100。在本发明另一实施例中，传送架以一对一的对应关系对应于分隔壁BI至B3 (或沉积源SI至S4之间的空间)。也就是，在第一沉积源SI之前没有传送架。
[0115]当掩膜组件MAlO沿第一方向Dl移动时，第一旋转构件30_L的第一小齿轮30-P1顺序地啮合传送架TRl至TR4。例如，当第一小齿轮30-P1完成与第一传送架TRl啮合时，第二开口 0P2位于第一位置，并且当第一小齿轮30-P1完成与第二传送架TR2啮合时，第二开口 0P2位于第二位置。如图9所示，当第一小齿轮30-P1与第二传送架TR2啮合时，遮挡构件20沿与第一方向Dl相反的方向相对于基底基板SUB移动一长度,该长度与第二传送架TR2的长度对应。
[0116]在另一实施例中，图6A和图6B示出的掩膜组件MA20的左可旋转构件20-L可因第一旋转构件30-L的第一小齿轮30-P1与布置在第一侧壁SWl上的传送架TRl至TR4啮合而沿逆时针方向旋转。另外，右可旋转构件20-R可因第二旋转构件30-R的第一小齿轮30-P1与布置在第二侧壁SW2上的传送架TRl至TR4啮合而沿顺时针方向旋转。
[0117]图10为示出根据本发明另一示例性实施例的图1和图7-8的沉积装置的一部分与掩膜组件MA30的透视图 。图11为示出包括图10中所示的掩膜组件MA30的一部分的沉积装置的一部分的放大透视图。在图10和图11中，相同的附图标记指代与图1至图9中相同的元件，因此将不再重复相同元件的详细描述。
[0118]参照图10和图11，沉积装置包括布置在沉积室CB的侧壁SWl和SW2上的多个磁性传送构件TMl至TM3。磁性传送构件TMl至TM3中的每个包括彼此交替设置的N极部分和S极部分。磁性传送构件TMl至TM3中的每个沿第一方向Dl延伸。磁性传送构件TMl至TM3替代图9中所示的传送架TRl至TR4而使用。
[0119]如图10至图11中所示，掩膜组件MA30的第一和第二旋转构件30_L和30-R中的每个包括铁饼形磁性构件30-M1。铁饼形磁性构件30-M1还包括沿其周界彼此交替设置的N极部分和S极部分。第一小齿轮30-P1 (参见图4B)因此可由铁饼形磁性构件30-M1取代。
[0120]当掩膜组件MA30沿第一方向Dl移动时，铁饼形磁性构件30-M1移动接近每个磁性传送构件TMl至TM3。铁饼形磁性构件30-M1可与磁性传送构件TMl至TM3分开。铁饼形磁性构件30-M1因铁饼形磁性构件30-M1与磁性传送构件TMl至TM3的N极部分和S极部分之间的磁力，例如，引力和/或斥力而旋转。
[0121]例如，当铁饼形磁性构件30-M1经过第二磁性传送构件TM2时，遮挡构件20沿与第一方向Dl相反的方向移动一长度,该长度与第二磁性传送构件TM2的长度对应。根据本示例性实施例，由于在铁饼形磁性构件30-M1与磁性传送构件TMl至TM3之间不发生摩擦，因而在沉积区200中不会产生异物。在其它实施例中，第二小齿轮30-P2和第三小齿轮30-P3也可由铁饼形磁性构件取代。[0122]图12为示出根据本发明另一示例性实施例的沉积装置的俯视图。图13为示出图12示出的沉积装置的一部分的第一剖视图。图14为示出图12-13示出的沉积装置的一部分的第二剖视图。在图12至图14中，相同的附图标记指代与图1至图11中相同的元件，因此将不再重复相同元件的详细描述。
[0123]参照图12至图14，沉积装置包括沉积室CB、多个沉积源S1-S4、掩膜组件MA和传送单元TP(参见图2)。沉积装置进一步包括返回室RCB和返回单元RTP。返回单元RTP被布置在返回室RCB中，以便将掩膜组件MA从卸载区300返回到装载区100。返回单元RTP如传送单元TP那样可被构造为例如包括传送带或一组辊子(或一些其它传送设备)。返回单元RTP移动与基底基板SUB (参见图3)分开或分离的掩膜组件ΜΑ。
[0124]返回室RCB包括第一侧壁RSW1、沿第二方向D2面对第一侧壁RSWl的第二侧壁RSW2、底部部分RBP和顶部部分RCP。返回单元RTP可被布置在第一侧壁RSWl和第二侧壁RSW2 上。
[0125]返回室RCB可进一步包括布置在返回室RCB的第一侧壁RSWl或第二侧壁RSW2中的至少一个上的返回架RTR。返回架RTR还可被布置在第一侧壁RSWl和第二侧壁RSW2的
每一个上。
[0126]掩膜组件MA在掩膜组件MA进入(例如，被联接到传送单元TP或受控于传送单元TP而放置)至传送单元TP (例如，对应于装载区100)的沉积室CB的相反端(例如，对应于卸载区300)处进入(例如，被联接到返回单元RTP或受控于返回单元RTP而放置)返回单元RTP0为了将遮挡构件20的位置返回到掩膜组件MA进入传送单元TP之前的位置，每个返回架RTR可具有与传送架TRl至T R4的长度之和相等的长度。当掩膜组件MA沿与第一方向Dl相反的方向移动时，驱动构件30 (例如，第一旋转构件30-L或第二旋转构件30-R)的小齿轮30-Ρ1和30-Ρ2 (参见图4Β)分别啮合布置在第一侧壁RSWl和第二侧壁RSW2上的返回架RTR。
[0127]当掩膜组件MA完全经过返回架RTR时，遮挡构件20沿第一方向Dl相对于掩膜组件MA移动一长度，该长度与返回架RTR的长度对应。也就是，完全经过返回架RTR的遮挡构件20的位置返回至其在掩膜组件MA进入传送单元TP之前的初始位置。
[0128]根据另一实施例，当第一旋转构件30-L和第二旋转构件30-R中的每一个包括铁饼形磁性构件30-Μ1 (参见图10和图11)时，返回架RTR可由其中N极部分和S极部分彼此交替设置的磁性返回构件取代。
[0129]尽管已经描述了本发明的示例性实施例，理解的是，本发明不应限于这些示例性实施例，而是在由下文所附权利要求要求的本发明的精神和范围及其等同物内，本领域普通技术人员能够做出各种改变和修改。
【权利要求】
1.一种用于测试沉积过程的掩膜组件，包括: 支撑构件，具有被构造为允许沉积材料经过的第一开口，同时支撑基底基板，所经过的沉积材料在所述掩膜组件沿第一方向移动的同时被沉积在所述基底基板上； 遮挡构件，被容纳在所述支撑构件中，并且具有比所述第一开口小的第二开口 ；和驱动构件，被构造为根据所述掩膜组件的移动来移动所述遮挡构件，以便改变所述第二开口相对于所述基底基板的位置。
2.如权利要求1所述的掩膜组件，其中所述支撑构件包括: 具有所述第一开口的底部部分；和 从所述底部部分弯曲以便支撑所述基底基板的侧壁。
3.如权利要求2所述的掩膜组件，其中所述遮挡构件被构造为根据所述掩膜组件的移动沿与所述第一方向相反的方向相对于所述基底基板移动。
4.如权利要求3所述的掩膜组件，其中所述第二开口沿与所述第一方向基本垂直的第二方向延伸。
5.如权利要求2所述的掩膜组件，其中所述遮挡构件具有比所述第一开口大的面积，并且位于所述底部部分上。
6.如权利要求2所述的掩膜组件，进一步包括: 位于所述底部部分上的轨道单元；和 联接单元，被联接到所述遮挡构件并且被插入所述轨道单元中，以便允许所述遮挡构件沿所述轨道单元移动。
7.如权利要求1所述的掩膜组件，其中 所述驱动构件被构造为根据所述掩膜组件的移动而旋转，并且 所述遮挡构件被构造为根据所述驱动构件的旋转而移动。
8.如权利要求7所述的掩膜组件，其中所述驱动构件包括被构造为因摩擦力而旋转的第一小齿轮。
9.如权利要求8所述的掩膜组件，其中所述驱动构件进一步包括第二小齿轮，该第二小齿轮被构造为从所述第一小齿轮接收动力并且接触所述遮挡构件的侧表面。
10.如权利要求9所述的掩膜组件，其中所述遮挡构件包括锯齿，该锯齿在所述遮挡构件的所述侧表面上并且被构造为啮合所述第二小齿轮的锯齿。
11.如权利要求7所述的掩膜组件，其中所述驱动构件包括交替设置的N极部分和S极部分，并且被构造为因磁力而旋转。
12.一种用于测试沉积过程的掩膜组件，包括: 支撑构件，具有被构造为允许沉积材料经过的第一开口，同时支撑基底基板，所经过的沉积材料在所述掩膜组件移动的同时被沉积在所述基底基板上； 遮挡构件，被容纳在所述支撑构件中，并且包括具有比所述第一开口小的第二开口的可旋转构件；和 驱动构件，被构造为根据所述掩膜组件的移动来旋转所述可旋转构件，以便改变所述第二开口相对于所述基底基板的位置。
13.如权利要求12所述的掩膜组件，其中所述支撑构件包括: 具有所述第一开口的底部部分；和从所述底部部分弯曲以便支撑所述基底基板的侧壁。
14.如权利要求12所述的掩膜组件，其中所述遮挡构件进一步包括被联接到所述可旋转构件以便旋转所述可旋转构件的旋转轴。
15.如权利要求14所述的掩膜组件，其中 所述第一开口包括左第一开口和右第一开口，并且 所述遮挡构件包括与所述左第一开口重叠的左遮挡构件和与所述右第一开口重叠的右遮挡构件。
16.如权利要求15所述的掩膜组件，其中 所述驱动构件包括第一驱动构件和第二驱动构件，所述第一驱动构件被构造为沿第一方向旋转，所述第二驱动构件被构造为根据所述支撑构件的移动沿与所述第一方向相反的第二方向旋转， 所述左遮挡构件的可旋转构件的第二开口相对于所述基底基板的位置被构造为因所述第一驱动构件的旋转而改变，并且 所述右遮挡构件的可旋转构件的第二开口相对于所述基底基板的位置被构造为因所述第二驱动构件的旋转而改变。
17.如权利要求16所述的掩膜组件，其中所述第一驱动构件和所述第二驱动构件中的每个驱动构件包括被构造为因摩擦力而旋转的第一小齿轮。
18.如权利要求17所述的掩膜组件，其中所述第一驱动构件和所述第二驱动构件中的每个驱动构件进一步包括第二小齿轮，该第二小齿轮被构造为从所述第一小齿轮接收动力并且接触所述遮挡构件的侧表面。
19.如权利要求16所述的掩膜组件，其中 所述第一驱动构件和所述第二驱动构件中的每个驱动构件包括铁饼形的磁性构件，该铁饼形的磁性构件包括交替设置的N极部分和S极部分，并且所述磁性构件被构造为因磁力而旋转。
20.—种沉积装置,包括: 被构造为使沉积材料沉积的多个沉积源； 容纳所述多个沉积源的沉积室； 用于测试沉积过程的掩膜组件，该掩膜组件被构造为联接到基底基板同时移动通过所述沉积室，同时所述多个沉积源将所述沉积材料沉积在所述基底基板上；和传送单元，被构造为将所述掩膜组件移动通过所述沉积室； 其中所述掩膜组件包括: 支撑构件，具有被构造为允许沉积材料经过的第一开口，同时支撑基底基板，所经过的沉积材料沉积在所述基底基板上； 遮挡构件，被容纳在所述支撑构件中，并且具有比所述第一开口小的第二开口 ；和驱动构件，被构造为根据所述掩膜组件的移动来改变所述第二开口相对于所述基底基板的位置。
21.如权利要求20所述的沉积装置，其中所述传送单元包括被构造为将所述掩膜组件移动通过所述沉积室的多个辊子。
22.如权利要求20所述的沉积装置，其中所述驱动构件被构造为根据所述掩膜组件的移动而旋转，并且 所述第二开口相对于所述基底基板的位置被构造为因所述驱动构件的旋转而改变。
23.如权利要求22所述的沉积装置，其中所述沉积室包括: 装载区，被构造为将所述基底基板联接到所述掩膜组件； 沉积区，所述多个沉积源被容纳在该沉积区中；和 卸载区，被构造为将所述基底基板与所述掩膜组件分离。
24.如权利要求23所述的沉积装置，其中 所述驱动构件包括多个小齿轮，并且 所述多个小齿轮中的一个小齿轮被构造为接触所述遮挡构件的侧表面，以便改变所述第二开口相对于所述基底基板的位置。
25.如权利要求24所述的沉积装置，其中所述沉积室包括在所述沉积区的侧壁上的多个传送架，以便对应于所述多个沉积源或者对应于所述多个沉积源之间的空间。
26.如权利要求25所述的沉积装置，其中所述多个小齿轮中的另一个小齿轮被构造为接触所述多个传送架，以便改变所述第二开口相对于所述基底基板的位置。
27.如权利要求26所述的沉积装置，进一步包括: 返回单元，该返回单元被构造为将所述掩膜组件从所述卸载区返回到所述装载区；和 容纳所述返回单元的返回室。
28.如权利要求27所述的沉积装置，其中所述返回室包括在所述返回室的侧壁上的返回架。
29.如权利要求23所述的沉积装置，其中 所述驱动构件包括铁饼形磁性构件，该铁饼形磁性构件包括交替设置的N极部分和S极部分，并且 所述沉积室包括在与所述多个沉积源对应的所述沉积区的侧壁上的多个磁性传送构件，每个磁性传送构件包括交替设置的N极部分和S极部分。
30.如权利要求23所述的沉积装置，其中所述支撑构件包括: 具有所述第一开口的底部部分；和 从所述底部部分弯曲以便支撑所述基底基板的侧壁。
31.如权利要求30所述的沉积装置，其中所述遮挡构件被构造为根据所述掩膜组件的移动沿与所述掩膜组件移动的方向相反的方向相对于所述基底基板移动。
32.如权利要求30所述的沉积装置，其中所述遮挡构件包括被构造为因所述掩膜组件的移动而旋转的可旋转构件。
33.一种使用掩膜组件用于沉积过程的测试方法，所述测试方法包括: 使所述掩膜组件进入沉积室的容纳多个沉积源的沉积区中，所述掩膜组件包括支撑基底基板的支撑构件以及具有开口的遮挡构件； 将来自所述多个沉积源的相应的多个沉积材料沉积在所述基底基板上； 将所述掩膜组件移动通过所述沉积区；并且 根据所述掩膜组件的移动改变所述遮挡构件的所述开口相对于所述基底基板的位置。
34.如权利要求33所述的测试方法，进一步包括: 使所述掩膜组件离开所述沉积区，以及将所述掩膜组件从所述沉积区的出口返回到所述沉积区的入口。
35.如权利要求33所述的测试方法，其中改变所述遮挡构件的所述开口的位置包括，相对于所述基底基板沿与所述掩膜组件移动的方向相反的方向移动所述遮挡构件。
36.如权利要求33所述的测试方法，其中改变所述遮挡构件的所述开口的位置包括，根据所述掩膜组件的移动旋转所述遮挡构件。
37.如权利要求33所述的测试方法，其中所述多个沉积材料包括对应的多个不同的沉积材料。`
【文档编号】C23C14/00GK103668046SQ201310189944
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年5月21日 优先权日:2012年9月4日
【发明者】金珉镐, 车裕敏, 朴锡焕 申请人:三星显示有限公司