非晶合金表面低损伤光滑制备方法
【专利摘要】本发明公开了非晶合金表面低损伤光滑制备方法。具体步骤如下：首先，需要进行化学机械法，对非晶合金表面进行抛光；其次，加入纯度百分百的丙三醇于表面，然后去除金属穴，改善抛光状态；用石蜡片将底衬的相邻部位进行研磨；对衬底进行滚压和磨粒；将黏贴的工件置于抛光液中，再次抛光；塑型，即可。所述研磨和抛光试验在石蜡底座机床上进行；所述磨粒需要与工件表面接触无损伤。本发明的有益效果是：通过此方法制备，表面粗糙度适宜，材质均匀致密，分布有序，且间隔一致，可以实现低损伤且高光滑的制备。
【专利说明】 非晶合金表面低损伤光滑制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及制造领域，具体涉及非晶合金表面低损伤光滑制备方法。
【背景技术】
[0002]非晶合金是由超急冷凝固，合金凝固时原子来不及有序排列结晶，得到的固态合金是长程无序结构，没有晶态合金的晶粒、晶界存在。这种非晶合金具有许多独特的性能，由于它的性能优异、工艺简单，从80年代开始成为国内外材料科学界的研究开发重点。I960年美国Duwez教授发明用快淬工艺制备非晶态合金为始。其间，非晶软磁合金的发展大体上经历了两个阶段:第一个阶段从1967年开始，直到1988年。1984年美国四个变压器厂家在IEEE会议上展示实用非晶配电变压器则标志着第一阶段达到高潮，到1989年，美国AlliedSignal公司已经具有年产6万吨非晶带材的生产能力，全世界约有100万台非晶配电变压器投入运行，所用铁基非晶带材几乎全部来源于该公司。从1988年开始，非晶态材料发展进入第二阶段。这个阶段具有标志性的事件是铁基纳米晶合金的发明。1988年日本日立金属公司的Yashiwa等人在非晶合金基础上通过晶化处理开发出纳米晶软磁合金(Finemet)。1988年当年，日立金属公司纳米晶合金实现了产业化，并有产品推向市场。1992年德国VAC公司开始推出纳米晶合金替代钴基非晶合金，尤其在网络接口设备上，如ISDN,大量采用纳米晶磁芯制作接口变压器和数字滤波器件。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术缺陷，提供一种技术方案:
非晶合金表面低损伤光滑制备方法，具体步骤如下:
首先，需要进行化学机械法，对非晶合金表面进行抛光；
其次，加入纯度百分百的丙三醇于表面，然后去除金属穴，改善抛光状态；
用石蜡片将底衬的相邻部位进行研磨；
对衬底进行滚压和磨粒；
将黏贴的工件置于抛光液中，再次抛光；
塑型，即可。
[0004]本发明中，所述研磨和抛光试验在石蜡底座机床上进行。
[0005]本发明中，所述磨粒需要与工件表面接触无损伤。
[0006]本发明的有益效果是:通过此方法制备，表面粗糙度适宜，材质均匀致密，分布有序，且间隔一致，可以实现低损伤且高光滑的制备。
【具体实施方式】
[0007]非晶合金表面低损伤光滑制备方法，具体步骤如下:
首先，需要进行化学机械法，对非晶合金表面进行抛光；
其次，加入纯度百分百的丙三醇于表面，然后去除金属穴，改善抛光状态； 用石蜡片将底衬的相邻部位进行研磨；
对衬底进行滚压和磨粒；
将黏贴的工件置于抛光液中，再次抛光；
塑型，即可。
[0008]所述研磨和抛光试验在石蜡底座机床上进行。
[0009]所述磨粒需要与工件表面接触无损伤。
[0010]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明披露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.非晶合金表面低损伤光滑制备方法，其特征在于，具体步骤如下: 首先，需要进行化学机械法，对非晶合金表面进行抛光； 其次，加入纯度百分百的丙三醇于表面，然后去除金属穴，改善抛光状态； 用石蜡片将底衬的相邻部位进行研磨； 对衬底进行滚压和磨粒； 将黏贴的工件置于抛光液中，再次抛光； 塑型，即可。
2.如权利要求1所述的非晶合金表面低损伤光滑制备方法，其特征在于，所述研磨和抛光试验在石蜡底座机床上进行。
3.如权利要求1所述的非晶合金表面低损伤光滑制备方法，其特征在于，所述磨粒需要与工件表面接触无损伤。
【文档编号】B24B1/00GK103737437SQ201310601660
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年11月25日 优先权日:2013年11月25日
【发明者】丁小淇 申请人:丁小淇