生产设备和生产方法
【专利摘要】提供生产设备用于在箔(FO)上生产产品。该生产设备包括有洁净室形成的沉积区(10)，其中排列至少第一和第二沉积设备(21，22)用于在箔上沉积一层材料。生产设备还包括至少一个加工设备(31)用于加工所述沉积的层，所述加工设备排列在所述沉积区以外并且包括具有远离所述沉积区、朝向转向设备(41)的第一路径(31a)和从所述转向设备回到所述沉积区的第二路径(31b)的加工轨迹。
【专利说明】生产设备和生产方法
[0001]发明背景发明领域
[0002]本发明涉及生产设备。
[0003]本发明还涉及生产方法。
【背景技术】
[0004]卷对卷(roll to roll)工艺已经证明是非常有效的生产基于箔的产品的方式。这类产品的示例是光电子产品，如(O)Led、显示板、电致变色装置和光伏装置。这类产品的其他示例是电池、有机电路等。这种卷对卷工艺通常包括对各种可能带图案的、功能性的层进行沉积和对这些层进行加工，例如固化或干燥。希望生产设备能够易于配置成能够生产不同的产品或一种产品的不同变种。也希望对于洁净室设备的要求是适度的。为了促进新产品的快速开发，也希望当需要时可能通过添加元件来容易地扩大生产线并且不需要重新排列生产线上已有的配置。最后，对于更先进的产品(例如，对于第二代和第三代产品)，希望能够易于向配置中添加额外的沉积和加工步骤。
[0005]注意到WO 2005/116552公开了用药剂涂覆支持物膜的设备，尤其是用于生产具有透皮作用的石膏。该设备包括支持物膜的解绕工段，向支持物膜施涂液体或糊状药剂的施涂工段，用于对支持物膜上施涂的药剂进行干燥的干燥工段和用于覆盖支持物膜的绕卷工段。该装置包括施涂模块和相邻排列的至少一个干燥模块，从而施涂模块含有解绕工段、施涂工段和绕卷工段，而线上的一个或几个干燥模块形成干燥工段。
【发明内容】
[0006]按照本发明的第一方面，提供了如权利要求1中所述的生产设备。在按照本发明的生产设备中，至少一个用于加工的加工设备被安排在沉积区之外。另外，加工设备包括具有远离沉积区、并朝向转向设备的第一路径和从所述转向设备回到所述沉积区的第二路径的加工轨迹。以这种方式，至少第一和第二沉积设备可以在较紧凑的空间中互相靠近地放置。这促进了通过省略沉积设备中的一个或多个来适应生产工艺，当不使用沉积设备中的一个或多个时，箔不必被引导通过不需要的大距离。同样，也能易于适应随后的沉积步骤之间的加工轨迹的长度和组成，而不需要重新排列沉积设备，因为加工轨迹在与沉积步骤之后的轨迹的横向方向上延伸。如果需要，可以易于通过添加一个或多个沉积和干燥设备来延伸生产设备。按照本发明的生产设备的可适应性质促进生产不同的产品和/或一种产品的不同变种。延伸干燥轨迹设备的长度的自由度促进了对加工速度的适应。如果需要较高的加工速度，可以自由地延伸加工长度，使得有效加工时间仍然足够长以实现需要的加工效果。在生产设备的一个实施方式中，在加工轨迹中，具有沉积层的箔的一面朝上(上方)。这种配置的优势是总是可以在背侧上支持基材，防止由于重力而弯垂并且增强幅(web)的稳定性。
[0007]在按照第一方面的生产设备的实施方式中，沉积区是具有出口和入口的洁净室，其中所述第一路径导向远离所述出口的第一方向并且从导向回到所述入口。
[0008]由于在沉积区中沉积设备的紧凑排列，限定沉积区的洁净室可以较小。对于这类沉积设备，这促进了维持较严格的环境要求，使得洁净室设备的要求是适度的。
[0009]按照本发明的第二方面，提供了如权利要求15中所述在箔上生产产品的方法。
[0010]注意到W002/31216A2描述了溅射涂覆设备，其至少包括第一溅射涂覆线和第二溅射涂覆线。在某些实施方式中，第一和第二溅射涂覆线可以互相平行地运行以独立地形成涂覆系统和各自的涂覆制品。然而，可以采用这两条涂覆线以互相串联运行来形成一个涂覆制品。在后一种情况中，当希望采用互相串联的这两条涂覆线时，在第一条线的末端和第二条线的末端之间提供过渡区以选择性地将第一条线的输出和第二条线的输入相连。W002/31216A2并没有描述卷对卷生产设备，其包括在共同条件的空间内各种沉积工段的紧凑排列。
[0011]附图简要说明
[0012]参考附图更详细地描述了这些和其他方面。其中:
[0013]图1显示了非按照本发明的生产设备，
[0014]图2显示了按照本发明的生产设备的第一实施方式，
[0015]图2A显示了所述第一实施方式的实施方式中的细节，
[0016]图3显示了按照本发明的生产设备的第二实施方式，
[0017]图3A显示了更详细地显示了第二实施方式的部分，
[0018]图3B显示了图3A的生产设备的重新排列，
[0019]图4是沉积设备的一个实施方式的示意图，
[0020]图5是按照本发明的生产设备的第三实施方式的部分的示意图，
[0021 ] 图5A是按照图5中的VA视图的细节，
[0022]图6显示了按照本发明的生产设备的第四实施方式，
[0023]图7显示了按照本发明的生产设备的第五实施方式，
[0024]图8显示了按照本发明的第二方面的生产方法。
【具体实施方式】
[0025]除非另外说明，不同附图中的相同附图标记表示相同的元件。
[0026]在以下详细描述中，为了提供对本发明的透彻理解，陈述了许多具体的细节。但是，本领域技术人员应理解的是，本发明可以在没有这些具体细节的情况下实施。在其它情况中，为了不混淆本发明的各方面，没有详细描述众所周知的方法、过程和组合物。
[0027]在此将参照附图更完整地描述本发明，附图中给出了本发明的实施方式。但是，本发明可以以许多不同的方式实施，不应被解读成限定于在此提出的实施方式。相反，这些实施方式使得说明透彻而完整，能够向本领域技术人员完全地展示本发明的范围。在图中，为了清晰起见，放大了层和区域的尺寸和相对尺寸。
[0028]本文所用的术语仅仅用来描述具体的实施方式，而不是用于限制本发明。如本文所用，单数形式的“一个”、“一种”和“该”也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。还应当理解，在说明书中，术语“包含”和/或“包括”表示存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但是并不排除存在或加入一种或多种其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的情况。
[0029]而且，除非明确说明意思相反，否则“或”表示包含的或和不排除的或。例如，以下任何一个条件都满足条件A或B:A为真(或存在)且B为假(或不存在),A为假(或不存在)且B为真(或存在)，以及A和B都为真(或存在)。
[0030]应理解当一个元件与另一个元件或层“偶联”时，其可以直接与另外的元件偶联或可以存在插入物。相反地，当描述一种元件与另一元件之间“直接相连”时，则不存在插入元件或层。
[0031]应当理解，尽管在本文中用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件或区域，但是这些元件、部件或区域不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、部件或区域与另一个区、层或区域。因此，下文讨论的第一元件、部件、区域也可以记作第二元件、部件、区域，而不会背离本发明的内容。
[0032]在此参考截面说明描述本发明的实施方式，这些截面说明是本发明的理想化实施方式(和中间结构)的示意性说明。因此，可以考虑根据制造技术和/或容差而对所示的形状进行变化。因此，本发明的实施方式不应理解为仅限于图中所示的具体形状，而是应该包括例如由于制造导致的形状偏差。
[0033]除非另外定义，否则，本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有本发明所属领域普通技术人员通常所理解的同样含义。还应当理解，常用字典中定义的术语的含义应当理解为与其在相关领域中的定义一致，除非本文中有另外的表述，否则不应理解为理想化或者完全形式化的含义。本文中述及的所有出版物、专利申请、专利和其他参考文献都通过引用全文纳入本文。在抵触的情况下，以本说明书(包括定义在内)为准。此夕卜，材料、方法和实施例都仅是说明性的，并不意在构成限制。
[0034]在下面的说明中，描述了本发明的实施例。为了比较，首先参考图1描述了非按照本发明的生产。
[0035]以所有的生产步骤都在单个生产空间中进行的方式构建图1所示的现有R2R(中试)系统。由于该生产通常包括要求高质量的洁净室环境的沉积步骤，所以整个生产空间需要符合这一要求，这是昂贵的。在该示例中，生产空间的长度LO为50m，宽度WO为10m。在生产空间中，大量的卷对卷生产设备PU P2、P3、P4互相连接地排列。在该示例中，经过生产工艺的箔通过转向设备Tl (例如，包括空气浮轴承)从生产设备Pl导向生产设备P2、生产设备P3并且通过第二转向设备T2导向生产设备P4。生产设备是例如第一沉积线Pl，用于水基沉积的第二沉积线P2，用于溶剂基沉积的第三沉积线P3和用于图案化沉积的第四沉积线P4。沉积线P1-P4各自包括用于沉积层的沉积设备和例如用于对沉积的层进行固化或干燥的加工设备。
[0036]在图1所示的R2R系统中，难以改变使用沉积线的组合。例如，如果需要使用沉积线Pl和P3，幅(箔)总是需要通过工艺P2，带来额外的材料损失和另外的污染的风险。
[0037]如图1所示的布局的另一个缺点在于，完整的沉积线必须位于洁净室环境中(例如10.000级)。对于加工线，其具有4x50m的覆盖面积，这变得非常昂贵。对于OLED和OPV装置的加工，局部的洁净水平必须好于1000级(可能甚至是100或10)。这只能通过对各R2R系统和系统之间各自连接进行封闭来实现。
[0038]图2显不了按照本发明的第一实施方式,在箔FO上生产产品的生产设备的第一实施方式。该生产设备包括沉积区10，其中排列至少第一和第二沉积设备21，22用于在箔FO上沉积一层材料。该生产设备还包括至少一个加工设备31用于加工沉积的层。在沉积区10以外的加工区60中排列加工设备31。
[0039]在所示的实施方式中，沉积区10定义为洁净室，通过壁11与加工区分开。
[0040]加工设备31包括穿过洁净室10的壁11远离出口 I la、朝向转向设备41的第一方向(-X)上的第一途径31a的加工轨迹。加工设备31包括从所述转向设备41返回朝向所述洁净室的入口 Ilb的第二方向(+X)上的第二途径31b。箔在第一再导向设备51a中被再导向为其原始方向的横向方向，其原始方向是从沉积设备21朝向壁上的出口 11a。第二再导向设备51b将其原始方向的横向方向上的箔从壁11上的入口 Ilb导向第二沉积设备。第一和/或第二沉积设备21，22包括沉积单元，例如印刷设备，如喷墨打印机、柔性版印刷机、凹版印刷机、胶印机、转动丝网印刷机或涂覆设备，用于例如狭缝涂覆、模头涂覆、吻合涂覆或喷涂。
[0041]在另一个实施方式中，沉积区10和加工区60并不在物理上分开，但是封闭于共同的洁净室内。
[0042]加工设备用于通过沉积设备对沉积在箔上的层进行加工。加工设备的一般示例是干燥设备、烧结设备、退火设备、固化设备、融合设备和消融设备。这类加工设备通常引入(灰尘)颗粒。将这些设备排列在洁净室外防止这些颗粒进入洁净室。在具有远离洁净室朝向转向设备的第一途径31a和返回洁净室10的第二部分31b的加工设备的排列中，加工设备延伸的方向(-X，x)相对于沉积突进延伸的方向(y)(即沿着排列沉积设备21，22的途径)横向。这使得可以根据需要容易地改变加工设备31的长度，而不需要改变沉积设备21，22的配置。此外，由于加工设备31排列在洁净室10以外，洁净室本身可以是紧凑的。为了防止灰尘从壁11以外的环境中进入洁净室10，可以用外壳35包封加工设备31和/或出口 Ila和入口 Ilb可以去偶槽(decoupling slot)进行，如之前的申请W0/2011/028119中所述。在所示的实施方式中，转向设备41与加工设备31 —起排列在外壳35内。
[0043]如图2A所示，加工设备31可以由模块31a、31b、...31n组成。干燥器设备可以由例如多个干燥器模块组成，其各自具有1.5-2m的长度L31x。这使得干燥器易于适应之前的沉积过程所设定的要求。也可以在加工轨迹31中添加额外的加工设备，而不需要重新排列沉积设备21，22。
[0044]在所示的实施方式中，在加工室60中排列加工设备31。加工室60通常具有比洁净室10的等级高至少10个等级的洁净室等级。例如，在所示的实施方式中，洁净室10的洁净室等级为1000，而加工室60的等级为10000或更高。如上述，具有最严格的洁净室等级的洁净室10本身可以是紧凑的。
[0045]在一个实施方式中，洁净室10的面积仅仅是洁净室10和加工室60所占总面积的三分之一。例如，洁净室10和加工室60各自具有10-40m的宽度W，而加工室具有20-40m的长度L60并且洁净室10具有5-15m的长度LlO。例如，洁净室10和加工室60各自具有20m的宽度W，而加工室具有30m的长度L60并且洁净室10具有8m的长度L10。因此，洁净室10的面积与总面积之比为约0.21。
[0046]可以易于用另外的沉积设备和加工设备来延伸具有两个沉积设备21，22和单个加工设备31的图2的排列。下一个加工设备可各自通过与图2所示相似的再导向设备与沉积设备的输出相连。同样，下一个沉积设备可各自通过图2所示的再导向设备51与加工设备的输出相连。
[0047]图3显示了按照本发明的第二实施方式，在箔FO上生产产品的生产设备。其中与图2中的那些对应的部分具有相同的附图标记。
[0048]在这个情况中，四个沉积设备21-24排列在洁净室10中。生产设备具有排列在所述洁净室10以外的加工设备32，33用于加工沉积的层。另外的加工设备32具有远离所述洁净室10、朝向转向设备42的第一方向上的第一途径32a和从所述转向设备回到所述洁净室10的第二途径32b。同样，另外的加工设备33具有远离所述洁净室10、朝向转向设备43的第一方向上的第一途径33a和从所述转向设备回到所述洁净室10的第二途径33b。
[0049]如图4所示，例如沉积设备21可以另外包括除了用于以任选图案化的层来沉积材料的沉积单元213之外的解绕单元211、第一清洁/比对单元212、后固化单元214、第二清洁/比对单元215和绕卷单元216。后固化单元使得能够对例如OPV掺混物进行额外的固化，其可以导致PV电池的较高效能(性能)。在各沉积设备之前，需要比对设备以将箔再次校正到需要的位置(横向)并且以这种方式防止后续的加工步骤之间的未对准。
[0050]生产设备还具有第一和第二再导向设备51a，b用于将箔从洁净室10的入口 Ilb再导向到第二沉积设备22。在其从入口 Ilb到再导向设备51a,b的途径上,可以将箔导向通过沉积设备的单元，例如后固化单元214或第二清洁/比对单元215。如图3所示，生产设备还具有再导向设备52a，b用于将箔从洁净室10的入口 12b再导向到另一个沉积设备23。
[0051]在所示的实施方式中，只向第一沉积设备21提供了绕卷单元211用于提供待加工的箔。箔，例如像PEN或PET的聚合物，可能已经通过清洁或施涂涂层等制备。只有最后的沉积设备23具有绕卷单元(216)用于绕卷箔。通常排列第一清洁/比对单元212用于在发生沉积之前清洁和/或比对箔。如果箔已经是干净的，则可省略单元212，并且例如在沉积工艺是均匀沉积工艺的情况中不需要比对。
[0052]另外的洁净室可以存在于例如洁净室10的另一侧，与加工区60相对用于另外的生产步骤，例如纳米印刷和层叠的卷对卷生产步骤。另外的洁净室可以具有比洁净室10严格程度低的洁净室等级，例如洁净室等级比洁净室10的等级高至少10倍。例如，与洁净室的1000等级相比，另外的洁净室可能具有10000的等级。
[0053]在所示的实施方式中，加工室60具有7-10m的高度，例如8m，同时洁净室10和另外的洁净室具有例如2.5-3m的正常高度。对于特定的加工装置，如多边形干燥器，加工室可能需要较大的高度。在图3所示的实施方式中，如图3A更详细地显示，生产设备包括洁净室10中的第一子区10a，其中排列所有的沉积设备21-24，包括排列了至少第一和第二沉积设备21，22。在与第一子区1a分离的洁净室10的第二子区1b中，排列了再导向设备51a、51b、52a、52b，包括排列了至少第一和第二再导向设备。
[0054]由于其更好地促进生产设备的再配置，该实施方式是特别有优势的。例如，这通过参考图3B来说明。由于在这种排列中，在与第一子区1a分离的第二子区1b中排列再导向设备，因此易于选择沉积和加工设备的子集来得到特定的产品或一种产品的特定变种。例如，在图3B所不的实施方式中，再导向设备将箔FO从沉积设备21的输出直接再导向到沉积设备23，其中跳过沉积设备22和加工设备32。再导向设备51a、51b、52a、52b可以在例如沿着Z-方向延伸的导轨上可移动地排列。或者，再导向设备可移动地在Z-方向上连接或排列，使得它们可以从第二子区1b中箔FO的途径中移出。
[0055]图5更详细地显示了转向设备41的实施方式。转向设备41包括用于箔FO的第一和第二引导棒411,412。第一和第二引导棒411,412各自具有相对于第一方向31a倾斜的方向，并且第一和第二引导棒411,412为互相横向排列。这种排列使得可以在较短的距离内将箔FO从第一途径31a转向第二途径31b，同时防止与箔的涂覆面，即运载沉积的层的箔FO的一面相接触。与涂覆面相反的箔的一面滑过引导棒的表面，或者引导棒设置有空气浮轴承使得箔漂浮通过其表面。
[0056]在所示的实施方式中，转向设备41包括对比设备413。对比设备413用相应的支持物束414，415使引导棒定位并且用其控制相对距离D，使其限定在箔的第一方向31a (-X)和第二方向31b(x)中的中线之间。在所示的实施方式中，加工设备31的第一和第二途径31a，31b在小于20倍的距离D处互相平行排列。在更优选的实施方式中，距离D甚至可小于箔FO的宽度的10倍。
[0057]所不的实施方式包括再导向设备51,其具有再导向棒511和一对转向棍512a, b,其中只有前者示于图5。图5中VA的侧视图示于图5A。箔FO具有正面fol，其设置有由沉积设备21提供的(任选带图案的)层。箔随后由再导向棒511从方向+y再导向为方向+Xo在再导向之后，箔的反面fo2朝上。箔FO随后通过一对转向棍512a,b再导向到-X方向，其为的沉积设备31的方向。由此，箔FO转向使得其正面fol再次朝上，从而可以由支持辊318在其反面fo2支持箔。
[0058]在所不的实施方式中，再导向设备52也设置有对比设备523。再导向设备52包括引导棒521，其由一对支持束524支持，受到比对设备523的控制。在这种方式中，转向设备41和再导向设备52也用作比对箔F0。例如，比对设备413，523各自包括用于感应箔的位置的位置传感器，用于移动支持束414、415、524的致动器，和控制器，例如PID控制器，用于基于传感器所得的数据来控制致动器。
[0059]如图5A所示，再导向设备51的所有部分，即再导向棒511和转向辊512a，b在其反面fo2上支持箔F0，由此防止与箔的涂覆面fol接触。相似地，转向设备的引导棒411、412在其反面fo2上支持箔F0。这也适用于支持辊318。除了额外的比对设备523，再导向设备52与再导向设备51相同。由此，在按照本发明的排列中实现了沿着整条加工轨迹避免与箔FO的涂覆的正面fol接触。
[0060]图6显示了按照本发明的生产设备的第四实施方式。在图6的实施方式中，生产设备在沉积区10的相对侧上有加工区60。箔FO随后被引导沿着沉积设备21、22、23、24、25通过加工设备31、32、33和34。离开沉积设备25后，箔FO被引导通过加工设备35到包装设备80。
[0061]图7显示了按照本发明的生产设备的第五实施方式，其中加工设备包括加工区60，其以U-形在沉积区10周围延伸。箔FO随后被引导沿着沉积设备21、22、23、24、25、26、27通过加工设备31、32、33、34、35和36。离开沉积设备27后，箔FO引导通过加工设备37到包装设备80。
[0062]图8显示了按照第二方面在箔上生产产品的方法。所述方法包括以下步骤:
[0063]-用第一沉积步骤在沉积区中在箔上沉积SI第一层，
[0064]-在沉积区外沿着远离所述沉积区的第一方向上的第一路径引导S2含有所述第一层的箔并且沿着朝向所述沉积区的第二路径转回，同时沿着第一和/或第二路径对所述第一层进行加工S3,
[0065]-在转到所述的沉积区后用第二沉积步骤在箔上沉积S4第二层。
[0066]在权利要求中，术语“包含”并不排除其它要素或步骤，不定冠词“一种”或“一个”并不排除多个。单一部件或其它单元可实现如权利要求所述的几项功能。权利要求中的任意参考文献标记并不构成对范围的限制。
【权利要求】
1.一种用于在箔(FO)上生产产品的生产设备，所述生产设备包括沉积区(10)，其中排列第一沉积设备(21)用于在所述箔上沉积材料层，所述生产设备还包括至少一个加工设备(31)用于加工所述沉积的层，所述加工设备排列在所述沉积区以外并且包括具有远离所述沉积区、朝向转向设备(41)的第一方向上的第一路径(31a)和从所述转向设备回到所述沉积区的第二路径(31b)的加工轨迹，所述生产设备还包括再导向设备(51a，51b)用于在所述沉积区内对所述箔进行再导向，其中所述沉积区(10)是具有出口(Ila)和入口(Ilb)的洁净室，其中所述第一路径(31a)导向远离所述出口(Ila)的第一方向并且带回所述入口 (lib), 其特征在于，在所述沉积区至少排列第二沉积设备(22)，所述箔被引导沿着所述第一和所述至少第二沉积设备通过所述加工设备。
2.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，第一和第二再导向设备(51a,51b)对所述箔进行再导向，从而朝向所述至少第二沉积设备(22)的输入。
3.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，所述沉积区包括第一子区(1a)和第二子区(10b)，其中所述第一子区中排列所述第一和所述至少第二沉积设备(21，22)并且所述第二子区中排列至少第一和第二再导向设备51a，51b，所述第二子区与所述第一子区分离。
4.如权利要求1所述的生产设备，所述生产设备包括互相一字排列的至少3个沉积设备(21、22、23、24)。
5.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，在所述箔(FO)宽度的至多20倍，优选至多10倍的距离⑶上互相平行排列所述加工设备(31)的第一和第二路径(31a，31b)。
6.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，所述转向设备(41)包括用于所述箔的第一和第二引导棒(411，412)，其各自具有与所述第一方向(-X)相倾斜的方向，并且所述第一和第二引导棒互相横向排列。
7.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，所述转向设备(41)和所述加工设备(31)有共同的外壳(35)。
8.如权利要求1所述的生产设备，所述生产设备包括比对设备(413;523)，其整合到转向设备(41)和/或再导向设备(52)中。
9.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，所述至少一个加工设备(31)的轨迹由外壳(35)封闭，排列在加工室￠0)中，所述加工室的洁净室等级比所述洁净室(10)的等级高至少10倍。
10.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，所述第一和/或所述第二沉积设备(21，22)选自印刷设备和涂覆设备。
11.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，所述至少一个加工设备(31)选自干燥设备、烧结设备、退火设备、固化设备和融合设备、消融设备。
12.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，除了用于在所述箔(FO)上沉积层的沉积单元(213)以外，所述第一和所述第二沉积设备(21，22)中的一个或多个还包括解绕单元(211)、第一清洁/比对单元(212)、第一比对单元(212)、后固化单元(214)、检查单元、第二清洁/比对单元(215)和绕卷单元(216)中的一种或多种。
13.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，在加工室￠0)中排列所述加工轨迹，并且其中所述洁净室(10)的面积至多为所述洁净室(10)和所述加工室￠0)所占总面积的三分之一。
14.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，所述转向设备包括空气浮轴承。
15.用于在箔上生产产品的方法，所述方法包括以下步骤: -用第一沉积步骤在成为洁净室的沉积区中在所述箔上沉积(SI)第一层， -在所述沉积区外沿着远离所述沉积区的第一方向上的第一路径引导(S2)含有所述第一层的箔并且沿着朝向所述沉积区的第二路径转回，同时沿着所述第一和/或第二路径对所述第一层进行加工(S3)， 其特征在于 -在转到所述沉积区后用第二沉积步骤在所述箔上沉积(S4)第二层。
【文档编号】C23C14/56GK104203433SQ201380014696
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2013年2月6日 优先权日:2012年2月7日
【发明者】I·G·德弗里斯, H·A·J·M·安德生, A·朗根 申请人:荷兰应用自然科学研究组织Tno