1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
工艺腔室，形成用于蒸镀薄膜的反应空间；
喷头，向所述反应空间供应工艺气体；
基板支撑部，设置于所述工艺腔室，支撑基板；
调平装置，根据蒸镀到所述基板上的所述薄膜使所述基板支撑部上下移动，用以调节所述喷头与所述基板支撑部之间的工艺间隙；
传感器，测定所述基板支撑部的倾斜度；
倾斜装置，调节所述基板支撑部的倾斜度；及
控制部，能够利用由所述传感器输入的所述基板支撑部的倾斜度信息及已设定的基准倾斜度信息，控制所述倾斜装置的驱动，以对安放于所述基板支撑部上面的所述基板均匀地蒸镀所述薄膜。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
若蒸镀到所述基板上的所述薄膜为种类不同的双重膜，
所述控制部为，
利用用于蒸镀第1薄膜而移动到第1高度的所述基板支撑部的第1倾斜度信息及已设定的第1基准倾斜度信息，控制所述倾斜装置的驱动，
利用用于蒸镀第2薄膜而移动到第2高度的所述基板支撑部的第2倾斜度信息及已设定的第2基准倾斜度信息，控制所述倾斜装置的驱动。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述倾斜装置包括：
倾斜板，与所述工艺腔室隔离地设置于所述工艺腔室的下方，与所述调平装置相连；及
第1、2、3倾斜部，在所述工艺腔室与所述倾斜板之间设置多个，调整所述倾斜板的倾斜度。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述调平装置包括：
调平板，与所述基板支撑部结合；及
调平驱动装置，与所述调平板结合而调节所述基板支撑部的高度，上 部与所述倾斜板连接。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1、2、3倾斜部以内角为60度的三角形式布置于所述工艺腔室下面。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述倾斜装置还包括用于限制驱动范围的限制装置，
所述控制部根据所述限制装置限制所述倾斜装置的倾斜范围，用以防止因倾斜导致的损伤。
7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1倾斜部为固定高度的固定型结合结构，
所述第2、3倾斜部为能够调节高度的高度调节型结合结构。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第2、3倾斜部包括：
螺母部件，固定到所述工艺腔室；
升降螺杆，与所述螺母部件螺纹结合而升降；
驱动装置，结合到所述升降螺杆而根据所述升降螺杆的旋转运动而升降；及
结合部件，通过轴承而与所述升降螺杆结合，与所述倾斜板结合而根据所述升降螺杆的升降而使所述倾斜板升降。
9.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1、2、3倾斜部为能够调节高度的高度调节型结合结构。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第1、2、3倾斜部包括：
螺母部件，固定到所述工艺腔室；
升降螺杆，与所述螺母部件螺纹结合而升降；
驱动装置，结合到所述升降螺杆而根据所述升降螺杆的旋转运动而升降；及
结合部件，根据轴承而与所述升降螺杆结合，与所述倾斜板结合而根据所述升降螺杆的升降而使所述倾斜板升降。
11.一种基板处理方法，作为利用权利要求1的基板处理装置的基板 处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
调平步骤，所述基板被引入所述工艺腔室，之后随着蒸镀到所述基板上的薄膜移动所述基板支撑部，用以调节所述喷头与所述基板支撑部之间的所述工艺间隙；
感应步骤，测定已调节高度的所述基板支撑部的倾斜度；
倾斜步骤，利用通过所述感应步骤测定的倾斜度值及已设定的基准倾斜度信息，调整所述基板支撑部的倾斜度；
工艺步骤，在所述倾斜步骤之后，对所述基板喷射工艺气体而蒸镀所述薄膜；及
搬出步骤，将已完成所述薄膜蒸镀的所述基板搬出到所述工艺腔室外部。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
所述倾斜装置包括：
倾斜板，与所述工艺腔室隔离地设置于所述工艺腔室的下方，与所述调平装置相连；及
第1、2、3倾斜部，在所述工艺腔室与所述倾斜板之间设置多个，调整所述倾斜板的倾斜度，
其中，所述倾斜步骤通过控制所述第1、2、3倾斜部中的至少一个倾斜部的高度，调整所述基板支撑部的倾斜度。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，
若蒸镀到所述基板的所述薄膜为互不相同的双重膜，
则所述调平步骤包括：
第1调平步骤，为蒸镀第1薄膜而将所述基板支撑部移动到第1高度；及
第2调平步骤，为蒸镀第2薄膜而将所述基板支撑部移动到第2高度，
其中，所述感应步骤包括：
第1感应步骤，在所述第1调平步骤之后，测定所述基板支撑部的倾斜度；及
第2感应步骤，在所述第2调平步骤之后，测定所述基板支撑部的倾斜度。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
所述倾斜步骤包括：
第1倾斜步骤，在所述第1调平步骤之后，利用由所述第1感应步骤测定的所述基板支撑部的第1倾斜度值与已设定的第1基准倾斜度信息，控制所述第1、2、3倾斜部中的至少一个倾斜部，从而调整所述基板支撑部的倾斜度；及
第2倾斜步骤，在所述第2调平步骤之后，利用由所述第2感应步骤测定的所述基板支撑部的第2倾斜度值及已设定的第2基准倾斜度信息，控制所述第1、2、3倾斜部中的至少一个倾斜部，从而调整所述基板支撑部的倾斜度。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，
所述工艺步骤包括：
第1薄膜形成步骤，在所述第1倾斜步骤之后，形成第1薄膜；及
第2薄膜形成步骤，在所述第2倾斜步骤之后，形成第2薄膜。