一种研磨带及研磨设备的制作方法

文档序号:13750336阅读:252来源:国知局

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种研磨带及研磨设备。



背景技术:

在TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display,薄膜晶体管液晶显示器)制程中,在贴附偏光片前需要对玻璃基板表面进行清洗,以保证贴附偏光片制成的良率。

目前现有的玻璃基板研磨设备主要是采用研磨带清洗方式,研磨带由电机驱动进行转动,以研磨玻璃基板,在研磨带的工作区域上端喷洒高压水汽二流体,使研磨带和玻璃基板接触,保证一定的接触压力。

但是现有技术中研磨带上的研磨材颗粒图案排布单一,清洗能力弱,不能有效去除玻璃表面异物,且在清洗过程中,被研磨掉的异物容易聚集在研磨带表面,对玻璃表面二次污染,造成研磨带清洗能力下降,使得研磨带寿命偏低,研磨效果差,造成良率降低。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种研磨带及研磨设备,能够对异物有效去除,避免异物堆积残留,使得研磨效果显著提升。

本发明所提供的技术方案如下:

一种研磨带,用于研磨基板;所述研磨带包括带状的柔性基材层及设置在所述柔性基材层上的研磨层;所述研磨层包括在所述柔性基材层的延伸方向上重复排列的多个研磨单元,每一所述研磨单元包括:

异物分割区,包括能够对基板表面的异物进行分割的第一研磨图案;

异物引导排出区,包括能够将基板表面的异物引导至预定区域的第二研磨图案;

及,异物去除区,包括能够将基板表面的异物去除掉的第三研磨图案;

所述异物分割区、所述异物引导排出区、所述异物去除区沿所述柔性基材层的延伸方向依次排列。

进一步的,所述第一研磨图案包括多个第一研磨颗粒,多个第一研磨颗粒从远离所述异物引导排出区的一侧至靠近所述异物引导排出区的一侧分布有多行,每行第一研磨颗粒间隔设置,且相邻两行第一研磨颗粒交错设置,所述第一研磨颗粒包括远离所述异物引导排出区的第一端和靠近所述异物引导排出区的第二端,所述第一端包括能够对基板表面的异物进行分割的第一尖角结构。

进一步的,所述第一研磨颗粒的第二端包括能够将异物向靠近所述异物引导排出区方向引导的第二尖角结构。

进一步的,所述第一研磨颗粒的形状为菱形结构或三角形结构或凸多边形结构,且多个所述第一研磨颗粒的形状相同或不同。

进一步的,所述第二研磨图案包括多根平行间隔设置的研磨条,任意相邻的两根所述研磨条之间包括沟槽,且所述研磨条的延伸方向与所述柔性基材层的延伸方向之间包括第一夹角,用于将基板表面的异物引导至预定区域。

进一步的,所述第一夹角为45°。

进一步的,所述第三研磨图案包括多个第二研磨颗粒,多个第二研磨颗粒间隔分布,且多个第二研磨颗粒在第一投影面上的投影无间隙,所述第一投影面与所述柔性基材层所在平面平行,且与所述柔性基材层的延伸方向垂直。

进一步的,所述第三研磨图案包括从靠近所述异物排出区的一侧至远离所述异物排出区的一侧依次间隔设置的多个V字形结构,每一所述V字形结构以所述柔性基材层的延伸中心轴为对称轴对称分布,且每一所述V字形结构包括间隔设置的多个第二研磨颗粒,相邻的两个所述V字形结构中的第二研磨颗粒交错设置。

进一步的,所述第二研磨颗粒包括靠近所述异物引导排出区的第三端和远离所述异物引导排出区的第四端,所述第三端包括能够对基板表面的异物进行分割的第三尖角结构。

进一步的,所述柔性基材层包括多个透水孔,所述透水孔用于使得水气二流体透过所述柔性基材层冲洗基板表面。

一种研磨设备,包括如上所述的研磨带及驱动所述研磨带行进的驱动机构,其中所述异物分割区、所述异物引导排出区、所述异物去除区沿所述研磨带的行进方向依次排列。

本发明所带来的有益效果如下:

本发明所提供的研磨带,在研磨带上研磨层分为异物分割区、异物引导排出区和异物去除区,分别具有不同的研磨图案,在对基板进行研磨时,使得研磨带上的异物分割区、异物引导排出区和异物去除区依次对玻璃基板进行研磨,实现三步法研磨,与现有技术中研磨带上研磨图案单一相比,可以对异物进行有效去除,研磨效果好。

此外,在本发明所提供的优选实施例中,所述研磨带的柔性基材层上设计有透水孔,在研磨带里侧喷洒高压水气混合体,水汽混合体通过透水孔可以到达玻璃基板表面,一方面是增强研磨效果,使异物脱离玻璃基板表面,另一方面是将研磨下来的异物及时排出研磨带,避免异物堆积残留,使得研磨效果显著提升。

附图说明

图1表示本发明实施例中提供的研磨带的局部结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

针对现有技术中研磨带研磨图案单一,研磨效果差的技术问题,本发明实施例中提供了一种研磨带,可以对异物有效去除,避免异物堆积残留,使得研磨效果显著提升。

如图1所示,本发明所提供的研磨带包括带状的柔性基材层100及设置在所述柔性基材层100上的研磨层;所述研磨层包括在所述柔性基材层100的延伸方向上重复排列的多个研磨单元,每一所述研磨单元包括:

异物分割区200,包括能够对基板表面的异物进行分割的第一研磨图案;

异物引导排出区300,包括能够将基板表面的异物引导至预定区域的第二研磨图案;

及,异物去除区400,包括能够将基板表面的异物去除掉的第三研磨图案;

所述异物分割区200、所述异物引导排出区300、所述异物去除区400沿所述柔性基材层100的延伸方向依次排列。

本发明所提供的研磨带,所述研磨带可以是围设形成一闭合的环状结构,在该研磨带上重复排列多个研磨单元,每一研磨单元分为异物分割区200、异物引导排出区300和异物去除区400,分别具有不同的研磨图案,在对基板进行研磨时,使得研磨带上的异物分割区200、异物引导排出区300和异物去除区400依次对玻璃基板进行研磨,实现三步法研磨,与现有技术中研磨带上研磨图案单一相比,可以对异物进行有效去除,研磨效果好。

以下说明本发明所提供的研磨带的优选实施例。

在本发明所提供的实施例中,优选的,如图1所示,所述第一研磨图案包括多个第一研磨颗粒201,多个第一研磨颗粒201从远离所述异物引导排出区300的一侧至靠近所述异物引导排出区300的一侧依次间隔分布有多行,每行第一研磨颗粒201间隔设置,且相邻两行第一研磨颗粒201交错设置,所述第一研磨颗粒201包括远离所述异物引导排出区300的第一端和靠近所述异物引导排出区300的第二端,所述第一端包括能够对基板表面的异物进行分割的第一尖角结构2011。

上述方案中,所述第一研磨颗粒201为采用研磨材制成的块状结构,所述异物分割区200内间隔排布有多行第一研磨颗粒201,其中每一行第一研磨颗粒201的前端(即第一端)具有第一尖角结构2011,形状尖锐,可以将基板表面的异物进行有效分割,使得异物由大变小,并左右分离,分割的异物一部分通过第一研磨颗粒201之间的间隙直接脱落,另一部分进入下一行第一研磨颗粒201再进行分割,最后未脱落的异物进入异物引导排出区300。

在本发明所提供的实施例中,优选的,如图1所示,所述第一研磨颗粒201的第二端包括能够将异物向靠近所述异物引导排出区300方向引导的第二尖角结构2012。

采用上述方案,所述第一研磨颗粒201的后端(即第二端)具有第二尖角结构2012,由于相邻两行第一研磨颗粒201交错设置,这样,前一行第一研磨颗粒201分割之后的异物,可以被引导至下一行第一研磨颗粒201,有利于异物分割。

在本发明所提供的实施例中,所述第一研磨颗粒201的形状可以为菱形结构,或三角形结构,或凸多边形结构,且所述异物分割区200的多个所述第一研磨颗粒201的形状可以相同,也可以不同。

如图1所示,在本发明所提供的一优选实施例中,所述异物分割区200的多个第一研磨颗粒201中一部分为菱形结构,另一部分为三角形结构。当然可以理解的是,以上仅是一种实现方式,在实际应用中,所述异物分割区200的第一研磨颗粒201的形状可以有其他实现方式,在此不再一一列举。

此外,在本发明所提供的实施例中,优选的,如图1所示,所述第二研磨图案包括多根平行间隔设置的研磨条301,任意相邻的两根所述研磨条301之间形成沟槽302,且所述研磨条301的延伸方向与所述柔性基材层100的延伸方向之间包括第一夹角,用于将基板表面的异物引导至预定区域。

采用上述方案,在所述异物引导排出区300设置有由研磨材制成的条状的研磨条301,相邻两根研磨条301之间构成沟槽302,通过所述异物分割区200未脱落的残留异物,在所述异物引导排出区300可以沿所述沟槽302排出至预定区域,其中如图1所示,所述预定区域可以是研磨带的侧面,使得研磨带和玻璃基板之间无异物残留,保持清洁。

在本发明所提供的实施例中,如图1所示,所述沟槽302可以为直沟槽,优选的,所述第一夹角为45°。上述方案,所述研磨条301的延伸方向相对于所述柔性基材层100的延伸方向倾斜45°设置,沟槽302的排布更有利于异物引导排出。当然可以理解的是,在实际应用中,所述第一夹角并不仅局限于此,可以根据实际情况进行调整。

此外,还需要说明的是,所述沟槽302也并不仅限于直线形沟槽,还可以是弧形沟槽等,采用直线形沟槽与采用弧形沟槽相比,更有利于异物导出。

此外,在现有技术中研磨带上的研磨材通常为呈矩阵排列的多个研磨块,从研磨带侧面角度看,相邻两行研磨块之间具有间隙,不能有效去除玻璃表面异物。

在本发明所提供的实施例中,优选的,如图1所示,所述第三研磨图案包括多个第二研磨颗粒401,多个第二研磨颗粒401间隔分布,且多个第二研磨颗粒401在第一投影面上的投影无间隙,所述第一投影面与所述柔性基材层100所在平面平行,且与所述柔性基材层100的延伸方向垂直。

采用上述方案,所述异物去除区400的第二研磨颗粒401为采用研磨材制成的块状结构,多个第二研磨颗粒401在第一投影面上的投影无间隙,也就是说,从研磨带的侧面角度看不存在间隙,可以更为有效的去除掉异物。

在本发明所提供的实施例中,如图1所示,优选的,所述第三研磨图案包括从靠近所述异物排出区的一侧至远离所述异物排出区的一侧依次间隔设置的多个V字形结构,每一所述V字形结构以所述柔性基材层100的延伸中心轴为对称轴对称分布,且每一所述V字形结构包括间隔设置的多个第二研磨颗粒401,相邻的两个所述V字形结构中的第二研磨颗粒401交错设置。

优选的,所述第二研磨颗粒401包括靠近所述异物引导排出区300的第三端和远离所述异物引导排出区300的第四端,所述第三端包括能够对基板表面的异物进行分割的第三尖角结构。

采用上述方案,相邻的两个V字形结构之间可以形成沟槽,可以起到对异物左右分离引导排出的作用,而所述第二研磨颗粒401的前端(即第三端)具有第三尖角结构,形状尖锐,各第二研磨颗粒401排列位置水平互补,再次对玻璃基板进行研磨清洁,可以保证研磨洁净度,将异物完全去除。

需要说明的是,上述方案仅提供了所述第三研磨图案的一种优选实施方式,在实际应用中,所述第三研磨图案的具体实现结构可以不仅局限于此。

此外,在现有技术中的研磨设备,其研磨带是由电机驱动进行转动,而对玻璃基板进行研磨,在研磨带的工作区域上方喷洒高压水汽二流体,以向研磨带上施加正压力于玻璃基板上。

在本发明所提供的实施例中,优选的,如图1所示,所述柔性基材层100包括多个透水孔500,所述透水孔500用于使得水气二流体透过所述柔性基材层100冲洗基板表面。采用上述方案,所述研磨带的柔性基材层100上设计有透水孔500,在研磨带里侧喷洒高压水气混合体,水汽混合体通过透水孔500可以到达玻璃基板表面,一方面是增强研磨效果,使异物脱离玻璃基板表面,另一方面是将研磨下来的异物及时排出研磨带,避免异物堆积残留,使得研磨效果显著提升。

其中,在本发明所提供的优选实施例中,所述异物分割区200在多个第一研磨颗粒201之间的间隙处设置所述透水孔500,在由所述透水孔500透过的水汽二流体作用下,异物可以通过第一研磨颗粒201之间的间隙排出;所述异物引导排出区300在多根研磨条301之间的间隙处设置所述透水孔,异物在沟槽302和水汽二流体作用下排出,使得研磨带和玻璃基板之间无异物残留,保持清洁;所述异物去除区400在多个第二研磨颗粒401之间的间隙处设置所述透水孔500,在由所述透水孔500透过的水汽二流体作用下,异物可以通过第一研磨颗粒201之间的间隙排出。

此外,本发明的实施例中还提供了一种研磨设备,包括如上所述的研磨带及驱动所述研磨带行进的驱动机构,其中所述异物分割区200、所述异物引导排出区300、所述异物去除区400沿所述研磨带的行进方向依次排列。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

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