1.一种草绿色双银低辐射节能窗膜，在阳光下呈草绿色，其特征在于，所述窗膜的膜层结构由内向外依次为：
柔性透明PET基材层(1)，厚度为23微米～50微米，其可见光透光率≥89％，雾度≤1.5；
第一高折射率层(2)，厚度为33nm～35nm，折射率为2.36，所述第一高折射率层(2)由Nb2O5构成；
第一金属氧化物层(3)，厚度为3nm～6nm，所述第一金属氧化物层(3)由ZnO:Al构成；
第一银合金层(4)，厚度为9nm～11nm，所述第一银合金层(4)由96％的Ag，4％的Cu构成；
第一阻隔层(5)，厚度为0.5nm～0.8nm，所述第一阻隔层(5)由Ti构成；
第二高折射率层(6)，厚度为66nm～70nm，折射率为2.36，所述第二高折射率层(6)由Nb2O5构成；
第二金属氧化物层(7)，厚度为6nm～8nm，所述第二金属氧化物层(7)由ZnO:Al构成；
第二银合金层(8)，厚度为14.5nm～16.5nm，所述第二银合金层(8)由98％的Ag，2％的Pd构成；
第二阻隔层(9)，厚度为0.7nm～1nm，所述第二阻隔层(9)由Ti构成；
第三高折射率层(10)，厚度为29nm～32nm，折射率为2.36，所述第三高折射率层(10)由Nb2O5构成。
2.根据权利要求1所述的草绿色双银低辐射节能窗膜，其特征在于，所述第一金属氧化物层(3)的厚度小于等于所述第一银合金层(4)的厚度的2/3；所述第二金属氧化物层(7)的厚度小于等于所述第二银合金层(8)的厚度的2/3。
3.根据权利要求1所述的草绿色双银低辐射节能窗膜，其特征在于，所述第一阻隔层(5)的厚度小于等于所述第一银合金层(4)的厚度的1/5；所述第二阻隔层(9)的厚度小于等于所述第二银合金层(8)的厚度的1/5。
4.根据权利要求1所述的草绿色双银低辐射节能窗膜，其特征在于，所述柔性透明PET基材层(1)的厚度为23微米；所述第一高折射率层(2)的厚度为34nm；所述第一金属氧化物层(3)的厚度为5nm；所述第一银合金层(4)的厚度为10nm；所述第一阻隔层(5)的厚度为0.6nm；所述第二高折射率层(6)的厚度为68nm；所述第二金属氧化物层(7)的厚度为7nm；所述第二银合金层(8)厚度为14.7nm；所述第二阻隔层(9)的厚度为0.9nm；所述第三高折射率层(10)的厚度为30nm。
5.根据权利要求4所述的草绿色双银低辐射节能窗膜，其特征在于，所述草绿色双银低辐射节能窗膜在可见光范围的透光率为74.3％、在波长为780nm～2500nm的红外光范围的透光率为9.3％、在波长为950nm波长处的红外阻隔率为82.5％、在波长为1400nm波长处的红外阻隔率为95％。
6.一种根据权利要求1～5中任一项所述的草绿色双银低辐射节能窗膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)提供柔性透明PET膜作为所述柔性透明PET基材层(1)；
(2)通过双旋转阴极、中频反应磁控溅射的方式在所述柔性透明PET基材层(1)上沉积所述第一高折射率层(2)；
(3)通过单旋转阴极、直流反应磁控溅射的方式在所述第一高折射率层(2)上沉积所述第一金属氧化物层(3)；
(4)通过单平面阴极、直流反应磁控溅射的方式在所述第一金属氧化物层(3)上沉积所述第一银合金层(4)；
(5)通过单平面阴极、直流反应磁控溅射的方式在所述第一银合金层(4)上沉积所述第一阻隔层(5)；
(6)通过双旋转阴极、中频反应磁控溅射的方式在所述第一阻隔层(5)上沉积所述第二高折射率层(6)；
(7)通过单旋转阴极、直流反应磁控溅射的方式在所述第二高折射率层(6)上沉积所述第二金属氧化物层(7)；
(8)通过单平面阴极、直流反应磁控溅射的方式在所述第二金属氧化物层(7)上沉积所述第二银合金层(8)；
(9)通过单平面阴极、直流反应磁控溅射的方式在所述第二银合金层(8)上沉积所述第二阻隔层(9)；
(10)通过双旋转阴极、中频反应磁控溅射的方式在所述第二阻隔层(9)上沉积所述第三高折射率层(10)。
7.根据权利要求6所述的草绿色双银低辐射节能窗膜的制备方法，其特征在于，在磁控溅射沉积镀膜时，所有腔室内的温度分别恒定在-15℃～15℃。
8.根据权利要求6所述的草绿色双银低辐射节能窗膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)、步骤(3)、步骤(6)、步骤(7)、步骤(10)均包括：相应腔室中通入体积比为10:1～100:1的氩气和氧气的混合气体，设定溅射真空度10-6Torr，镀膜稳定气压为10-3Torr；双旋转阴极、中频反应磁控溅射功率为20Kw～50Kw；单旋转阴极、直流反应磁控溅射功率为2Kw～5Kw。
9.根据权利要求6所述的草绿色双银低辐射节能窗膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)、步骤(5)、步骤(8)、步骤(9)均包括：相应腔室中通入纯度不小于99.99％的氩气，设定溅射真空度10-6Torr，镀膜稳定气压为10-3Torr；单平面阴极、直流反应磁控溅射功率为0.5Kw～8Kw。