技术总结
本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积生长石墨烯的方法，是一种利用等离子体增强化学气相沉积设备以甲烷作为前驱体来制备少层石墨烯的工艺。采用多靶蒸发薄膜设备，使用高纯度靶材(99.95％)，沉积条件如下：基片温度为190‑210℃；蒸发压强为2×10‑3Pa，溅射强度为9；将清洗干净的石英片表面镀上薄膜。将镀有薄膜的石英片放入管式炉内，通入保护气体H2和Ar，快速升温至600～1000℃，退火处理后通入甲烷作为生长前驱体，气体浓度为10～100sccm，进行生长，随后快速冷却至室温。将反应完的样品取出，放入刻蚀液中刻蚀，将石英片表面的薄膜刻蚀干净，即可获得大面积无需转移的高质量石墨烯结构。本发明大大降低了石墨烯的制备成本，为推进石墨烯的工业应用奠定基础。
技术研发人员：张振宇;郭梁超;杜岳峰;王博;郭东明
受保护的技术使用者：大连理工大学
文档号码：201611140858
技术研发日：2016.12.12
技术公布日：2017.05.31