技术总结
本发明公开了一种PECVD镀膜装置，包括双层石英管，双层石英管端部设有法兰，双层石英管内腔设有镀膜腔，镀膜腔外壁上固定有感应线圈，法兰上设有第一工艺进气口和第二工艺进气口，且第一工艺进气口、第二工艺进气口连接设置在镀膜腔内部的气体稳流装置，双层石英管一侧和底部均开有通孔，且侧壁的通孔内穿设抽真空管，且抽真空管连通镀膜腔，底部的通孔内穿设有尾气排放管，且尾气排放管连通镀膜腔，本发明结构原理简单，能够提高硅片镀膜的均匀性，且工作效率高。
技术研发人员：陈德榜
受保护的技术使用者：温州海旭科技有限公司
文档号码：201611145208
技术研发日：2016.12.13
技术公布日：2017.05.31