一种真空镀膜衬底底座的制作方法

文档序号:11507200阅读:250来源:国知局

本发明涉及一种真空镀膜衬底底座,属于真空镀膜装置技术领域。



背景技术:

真空镀膜装置被广泛应用于各种平面镀膜领域,但是对于立体异形结构的镀膜,往往需要复杂的衬底旋转、翻转等复杂机构的支持,现有的真空镀膜衬底底座难以实现这一要求。



技术实现要素:

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种真空镀膜衬底底座,可使衬底底座在加工过程中能够旋转、翻转,达到改善真空镀膜工艺对非平面结构的台阶覆盖率,尤其是深孔镀膜情况下的改善深孔内壁膜厚均匀性。

为解决上述技术问题,本发明提供一种真空镀膜衬底底座,包括衬底托盘、转轴和传动轴,所述传动轴与旋转机构连接,所述衬底托盘通过设置于中心处的转轴与传动轴相连,所述衬底托盘底部设置有以托盘中心为圆心的圆环形凹槽,所述衬底托盘底部还设置有角度调节杆,所述角度调节杆一端固定在设备底座上,另一端为接触球端,所述接触球端可在圆环形凹槽内滑动。

所述传动轴包括旋转机构连接轴和关节盖帽,所述旋转机构连接轴的末端为关节球体,所述关节球体被球关节盖帽包合,所述球关节盖帽与转轴相连。

所述转轴包括结构连接螺钉,所述结构连接螺钉一端与衬底托盘固定连接,另一端与传动轴转动连接。

所述结构连接螺钉通过固定螺钉固定在衬底托盘的底部。

所述衬底托盘圆心处设置有螺钉沉孔,所述固定螺钉安装于螺钉沉孔内。

所述衬底托盘的边缘设置有样品限位环。

所述球关节盖帽包括上盖帽和下盖帽,所述上盖帽上设置有容纳转轴的凹孔。

本发明所达到的有益效果:

1.真空镀膜进行时,传动轴与旋转机构连接并不断旋转,放于衬底托盘上的样品以传动轴为中心对称轴在俯视平面内做圆周运动,另一方面,由于衬底托盘与角度调节杆滑动接触,从而使衬底托盘在角度调节杆限位作用下,将圆周运动转为在其所在的平面内做自转运动,以实现改善真空镀膜工艺对非平面结构的台阶覆盖率,尤其是深孔镀膜情况下的改善深孔内壁膜厚均匀性。

2.角度调节杆上接触球端的接触角度可随着调节杆的弯折和高度而变化,进而对衬底托盘的倾斜角度进行调节,实现对真空镀膜工艺中不同孔径比的样品的均匀镀膜。

因此,本发明所提供的一种真空镀膜衬底底座,可以实现衬底底座的简单的类行星式转动,以使衬底底座在加工过程中能够旋转、翻转,达到改善真空镀膜工艺对非平面结构的台阶覆盖率,尤其是深孔镀膜情况下的改善深孔内壁膜厚均匀性。

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。

如图1所示的一种真空镀膜衬底底座,包括衬底托盘1、转轴和传动轴,所述传动轴与旋转机构连接,所述衬底托盘1通过设置于中心处的转轴与传动轴相连,所述衬底托盘1底部设置有以托盘中心为圆心的圆环形凹槽1-3,所述衬底托盘底部还设置有角度调节杆5,所述角度调节杆5一端固定在设备底座上,另一端为接触球端5-1,所述接触球端5-1可在圆环形凹槽1-3内滑动。

所述传动轴包括旋转机构连接轴4和关节盖帽3,所述旋转机构连接轴4的末端为关节球体4-1,所述关节球体4-1被球关节盖帽3包合,所述球关节盖帽3与转轴相连。

所述转轴包括结构连接螺钉2,所述结构连接螺钉2一端与衬底托盘1固定连接,另一端与传动轴转动连接。

所述结构连接螺钉2通过固定螺钉1-4固定在衬底托盘1的底部。

所述衬底托盘1圆心处设置有螺钉沉孔1-1,所述固定螺钉1-4安装于螺钉沉孔1-1内,以避免固定螺钉1-4安装后高于衬底托盘1表面,使真空镀膜的样品被顶起。

所述衬底托盘1的边缘设置有样品限位环1-2,防止在旋转过程中样品被甩出衬底托盘1。

所述球关节盖帽3包括上盖帽3-1和下盖帽3-2,所述上盖帽3-1上设置有容纳转轴的凹孔,由于球关节盖帽3在转动中容易发生磨损。这一结构使球关节盖帽3易于安装拆卸,便于维护更换。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种真空镀膜衬底底座,包括衬底托盘、转轴和传动轴,所述传动轴与旋转机构连接,所述衬底托盘通过设置于中心处的转轴与传动轴相连,所述衬底托盘底部设置有以托盘中心为圆心的圆环形凹槽,所述衬底托盘底部还设置有角度调节杆,所述角度调节杆一端固定在设备底座上,另一端为接触球端,所述接触球端可在圆环形凹槽内滑动。本发明可以实现衬底底座的简单的类行星式转动,以使衬底底座在加工过程中能够旋转、翻转,达到改善真空镀膜工艺对非平面结构的台阶覆盖率,尤其是深孔镀膜情况下的改善深孔内壁膜厚均匀性。

技术研发人员:冯斌;任高潮;顾为民;金浩;王德苗
受保护的技术使用者:苏州求是真空电子有限公司
技术研发日:2016.12.12
技术公布日:2017.08.18
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