本发明涉及一种电阻材料，特别是涉及一种低介电常数碳膜电阻。
背景技术：
碳膜电阻器是膜式电阻中的一种。它是采用高温真空镀膜技术将碳紧密附在瓷棒表面形成碳膜，然后加适当接头切割，并在其表面涂上环氧树脂密封保护而成的。其表面常涂以绿色保护漆。碳膜的厚度决定阻值的大小，通常用控制膜的厚度和刻槽来控制电阻器。
当前，随着电子线路高频化的发展，各种高速数据传输线路及接口如：HDMI、USB3.0等得到了越来越广泛的使用。为了减少此类线路中传输信号的损耗，需要尽可能减小其中所使用电阻的电容量，但是电阻的介电常数与电压梯度呈反增长关系，降低介电常数的同时会使得电压梯度超出正常范围，因此，现有电阻的介电常数一般都高于300。
技术实现要素：
为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种具有良好性能的低介电常数碳膜电阻。
为了解决上述问题，本发明所采取的技术方案是：
一种低介电常数碳膜电阻，其特征在于：包括如下组分及重量份数：
40～50石墨；
18～30PA6；
20～25滑石粉；
8～20增韧剂；
12～18阻燃剂；
30～40Mn2O3；
3～11Al2O3 ；
3～8 AgNO3 ；
2～4B2O3；
1～3Bi2O3 ；
1～2SiO2。
前述的一种低介电常数碳膜电阻，其特征在于：所述AgNO3为6份。
前述的一种低介电常数碳膜电阻，其特征在于：所述石墨为45份。
前述的一种低介电常数碳膜电阻，其特征在于：所述增韧剂为15份。
前述的一种低介电常数碳膜电阻，其特征在于：所述滑石粉为23份。
前述的一种低介电常数碳膜电阻，其特征在于：所述PA6为26份。
前述的一种低介电常数碳膜电阻，其特征在于：所述Mn2O3为35份。
前述的一种低介电常数碳膜电阻，其特征在于：所述Al2O3为7份。
前述的一种低介电常数碳膜电阻，其特征在于：所述Bi2O3为2份。
前述的一种低介电常数碳膜电阻，其特征在于：所述SiO2为1.5份。
本发明所达到的有益效果：本发明低介电常数碳膜电阻，采用此配方能做到高阻值、低B值之配方组合：可在较宽温度范围内使用，即可在高、低温时同时使用；电性能、机械性能及可靠性方面的性能均有明显的提升，并可以将电阻瓷体的相对介电常数控制在50-100以内，电位梯度也保持在正常500-900v/mm 之间，具有优良的综合性能。
具体实施方式
以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
一种低介电常数碳膜电阻，其特征在于：包括如下组分及重量份数：
45份石墨；
26份PA6；
23份滑石粉；
15份增韧剂；
15份阻燃剂；
35份Mn2O3；
7份Al2O3 ；
6份AgNO3 ；
3份B2O3；
2份Bi2O3 ；
1.5份SiO2。
综上所述：本发明低介电常数碳膜电阻，采用此配方能做到高阻值、低B值之配方组合：可在较宽温度范围内使用，即可在高、低温时同时使用；电性能、机械性能及可靠性方面的性能均有明显的提升，并可以将电阻瓷体的相对介电常数控制在50-100以内，电位梯度也保持在正常500-900v/mm 之间，具有优良的综合性能。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。