一种在LED灯带表面形成纳米层的设备及方法与流程

文档序号:12415782阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种在LED灯带表面形成纳米层的设备,其特征在于:包括升华炉、裂解炉、沉积罐、冷阱和真空泵;所述升华炉的输入端与裂解炉的输入端连通,所述裂解炉的输出端与沉积罐的输入端连接,所述沉积罐内形成涂装空间,在涂装空间的底部设有用于放置LED灯带的托盘,所述沉积罐的输入端位于沉积罐的上部,所述沉积罐的中部设有余料输出口,所述余料输出口与冷阱顶部的输入口连通,所述冷阱内的底部设有收集盘,所述真空泵的输入端与冷阱连通。

2.根据权利要求1所述的一种在LED灯带表面形成纳米层的设备,其特征在于:所述沉积罐为圆柱体,托盘的底部设有驱动托盘旋转的旋转电机。

3.根据权利要求1所述的一种在LED灯带表面形成纳米层的设备,其特征在于:所述升华炉包括第一炉体和对第一炉体加热到150-200℃的第一加热装置。

4.根据权利要求1所述的一种在LED灯带表面形成纳米层的设备,其特征在于:所述升裂解炉包括第二炉体和对第二炉体加热到650-700℃的第二加热装置。

5.一种如权利要求1所述的在LED灯带表面形成纳米层的设备的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将派瑞林粉末放入升华炉内,升华炉内的工作温度为150~200℃,真空度为1Torr;

(2)派瑞林经升华炉气化后进入裂解炉中,裂解炉内的工作温度为650-700℃,真空度为0.5Torr;

(3)气化的派瑞林在裂解炉中裂解形成单体对二甲苯蒸气并进入沉积罐内的涂装空间内,对处于托盘上的LED灯带进行涂装,沉积罐的工作温度为35~45℃,真空度为0.5Torr;

(4)沉积罐内多余的单体对二甲苯蒸气通过余料输出口进入冷阱中进行收集,冷阱的工作温度为-(80~60)℃,真空度为0.001~0.01Torr。

6.根据权利要求5所述的在LED灯带表面形成纳米层的制造方法,其特征在于:所述LED灯带卷绕成盘状放置在托盘上。

7.根据权利要求5所述的在LED灯带表面形成纳米层的制造方法,其特征在于:调整单体对二甲苯蒸气的沉积时间,使在LED灯带表面1小时沉积1纳米的厚度。

8.根据权利要求7所述的在LED灯带表面形成纳米层的制造方法,其特征在于:沉积罐的工作时间为20~26小时。

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