本实用新型涉及电弧离子镀技术领域，尤其涉及一种电弧离子镀设备的双靶结构。
背景技术：
真空涂层设备中，由于空间的限制，常规的涂层设备均采用两列平行的蒸发源结构，一列蒸发源用来装轰击及打底层的靶材，比如Ti靶或Cr靶，另一列装需要涂层的靶材，比如TiAl或CrAl靶材，这样会限制了涂层种类，一般只能涂一种复合膜，同时由于涂层阶段只有一列靶工作，涂层效率较低。
技术实现要素：
本实用新型提供了一种电弧离子镀设备的双靶结构。在真空涂层设备中，采用独特的双靶结构，可以增加涂层种类，提高涂层效率，相同功能下降低涂层设备的造价。
为了达到上述目的，本实用新型提供的一种电弧离子镀设备的双靶结构。在一个蒸发源法兰设置两个靶位，在两个靶位中间，设置一台弧电源，即同一个蒸发源共用一台弧电源。
优选的，每个靶位上装配平行的两列靶材位，即可同时装配4列平行的靶材位。
优选的，除了打底和轰击靶材位以外，剩余三列靶材位中的两列装相同的涂层靶材。
优选的，除了打底和轰击靶材位以外，剩余三列靶材位装不同的靶材。
有益效果：涂层相同的涂层厚度，比如涂层厚度3微米，涂层时候从360min缩短到200min；可以扩展涂层种类，复合膜从2种材料扩展到4种材料；可以减少更换靶材的时间，提高工作效率。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的一种电弧离子镀设备的双靶结构图。
具体实施方式
为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。
请参照图1，本实施例的电弧离子镀设备的双靶结构，在一个蒸发源法兰1设置两个靶位2，在两个靶位2中间，设置一台弧电源3，即同一个蒸发源共用一台弧电源3。
每个靶位2上装配平行的两列靶材位，即可同时装配4列平行的靶材位。
除了打底和轰击靶材位以外，剩余三列靶材位中的两列装相同的涂层靶材，例如TiAl靶材，这样可以有效地提高涂层效率。
除了打底和轰击靶材位以外，剩余三列靶材位装不同的靶材。除了打底和轰击靶材以外，剩余3列靶材位，也可以装3种不同的靶材，可以扩展涂层的种类。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。