本实用新型涉及一种清洗基片装置，具体地说本实用新型涉及一种电弧离子源清洗基片装置。
背景技术：
公知的，现有的电弧离子源基片的清洗装置主要采用空心阴极或考夫曼离子源等进行清洗，但是空心阴极工作面积小，生产成本较高；由于考夫曼离子源是应用较早的离子源，虽然这种离子源产生的离子方向性强，离子能量带宽集中，可广泛应用于真空镀膜中，但是灯丝的消耗会对基片带来污染，而使用氧气和反应气体时，兼容性差，灯丝寿命和稳定性会大大下降，同时产生的C、F沉积构成的绝缘层会导致离子源不能正常工作，且工作气压与镀膜气压不一致。
技术实现要素：
为了克服背景技术中的不足，本实用新型公开了一种电弧离子源清洗基片装置，通过设置电弧离子源挡板及偏压电源，实现了多弧离子源清洗基片的目的。
为实现上述发明目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种电弧离子源清洗基片装置，包括真空室、工件架、电弧离子源组件A和电弧离子源组件B，在真空室内设有工件架，在真空室内的一侧壁上设有耐高温挡板，在真空室的外部设有并排间隔设置的电弧离子源组件A与电弧离子源组件B，在电弧离子源组件A与电弧离子源组件B上均设有进气口。
所述的电弧离子源清洗基片装置，在耐高温挡板的下部设有接偏压电源，在接偏压电源上设有电极引入口。
所述的电弧离子源清洗基片装置，在真空室内的工件架放置被清洗基片。
由于采用了上述技术方案，本实用新型具有如下优越性：
本实用新型所述的电弧离子源清洗基片装置，通过在真空室内设置耐高温挡板，在耐高温挡板的下部设置偏压电源，实现了清洗能量高、工作稳定、使用成本低的有益效果。
【附图说明】
图1是本实用新型的结构示意图；
在图中：1、耐高温挡板；2、电弧离子源组件A；3、进气口；4、电弧离子源组件B；5、电极引入口；6、接偏压电源；7、真空室；8、工件架。
【具体实施方式】
通过下面的实施例可以更详细的解释本实用新型，本实用新型并不局限于下面的实施例；
结合附图1所述的电弧离子源清洗基片装置，包括真空室7、工件架8、电弧离子源组件A2和电弧离子源组件B4，在真空室7内设有工件架8，在真空室7内的一侧壁上设有耐高温挡板1，在真空室7的外部设有并排间隔设置的电弧离子源组件A2与电弧离子源组件B4，在电弧离子源组件A2与电弧离子源组件B4上均设有进气口3。
所述的电弧离子源清洗基片装置，在耐高温挡板1的下部设有接偏压电源6，在接偏压电源6上设有电极引入口5。
所述的电弧离子源清洗基片装置，在真空室7内的工件架8放置被清洗基片。
实施本实用新型所述的电弧离子清洗基片装置，在使用时，通过进气口3往真空室7中充入工作气体氩气，通过电极引入口5给耐高温挡板1接入偏压电源6，打开电弧离子源组件A2和电弧离子源组件B4，实现对工件架8基片的清洗。
本实用新型未详述部分为现有技术。
为了公开本实用新型的发明目的而在本文中选用的实施例，当前认为是适宜的，但是，应了解的是，本实用新型旨在包括一切属于本构思和实用新型范围内的实施例的所有变化和改进。