1.一种高储能密度高导热率的相变储能低熔点合金，其特征在于该合金中包含以下重量百分含量的各组分：15.6%~16.8%的Sn，11.9%~13.3%的In，17.8%~19.3%的Pb，6.9%~8.2%的Cd，42.5%~45.3%的Bi，0.3%~0.9%的镀石墨烯的铜粉。
2.如权利要求1所述的高储能密度高导热率的相变储能低熔点合金，其特征是：所述镀石墨烯的铜粉的颗粒直径为15~2000纳米。
3.一种高储能密度高导热率的相变储能低熔点合金的制备方法，其特征在于该制备方法包括以下步骤：
a、将Sn、In、Pb、Cd与Bi放入真空感应熔炼炉的坩埚内，关闭炉门，对真空感应熔炼炉进行抽真空处理，使炉内压强低于5×10-3Pa；
b、然后向真空感应熔炼炉内加入惰性气体作为保护气体，加压至0.5~0.6个大气压，开始通电熔炼，熔炼温度控制在400~430℃，使坩埚内内的待熔物料完全熔化，立刻关闭加热电源；
c、熔炼完毕后，降温至室温状态，然后从炉中取出熔炼获得的合金半成品，将合金半成品通过水浴加热至65~80℃，使合金半成品再次熔化，并加入预备好的镀有石墨烯的铜粉，并用玻璃棒搅拌均匀，同时水浴自然冷却，直至冷却凝固，即可得到高储能密度高导热率的相变储能低熔点合金。
4.如权利要求3所述的高储能密度高导热率的相变储能低熔点合金的制备方法，其特征是：所述惰性气体为氮气或者氩气。