一种PECVD镀膜装置的制作方法

本实用新型涉及镀膜装置技术领域，尤其涉及一种PECVD镀膜装置。

背景技术：

在晶体硅太阳能电池的生产过程中，需要在电池表面制作能够减少光在硅片表面反射率的减反射膜，可以显著提高晶体硅太阳能电池的转化效率。目前的晶体硅太阳能电池生产中制作减反射膜的设备一般采用管式PECVD镀膜设备，在制作减反射膜的过程中，工艺气体均采用沉积腔一端进气，另一端抽气的输送方式。这样，当工艺气体由进气端运动到抽气端时，成分发生变化，浓度也随之下降，影响沉积效果。主要表现为：一、薄膜的厚度均匀性差；二、薄膜的折射率会随气流的方向呈递减趋势。这样在一定程度上增加了电池不良品的产生几率，同时增大了太阳电池的短路电流、开路电压和电池效率的分布区间。目前，其改善方案是提供足够多的反应气体以保证薄膜的性能，这样势必造成了气体的浪费。

技术实现要素：

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在镀膜不均匀的缺点，而提出的一种PECVD镀膜装置。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

设计一种PECVD镀膜装置，包括镀膜室，镀膜室顶部连接送气装置，镀膜室连接真空装置，镀膜室内设有射频电极，射频电极电连接有电源系统和石墨舟，所述镀膜室顶部送气装置的进气口的两边均设有滑轨，所述滑轨内卡装有出气板，所述出气板为一面开口的长方体，所述出气板开口的两边向外翻折形成勾边，所述勾边卡在滑轨内，所述出气板底部两端和中部均设有出气孔，所述镀膜室顶部设有电机，所述电机通过减速齿轮组和曲柄滑块机构与出气板侧面连接。

优选的，所述减速齿轮组包括设在电机端部的传动齿轮和通过轴承安装在镀膜室上的转轴，所述转轴端部固定有驱动齿轮，所述驱动齿轮与传动齿轮啮合。

优选的，所述曲柄滑块机构包括固定在转轴另一端的第二连杆，所述第二连杆铰接有第一连杆，所述第一连杆铰接有推杆，所述推杆固定在出气板侧面。

优选的，所述真空装置包括真空泵，所述真空泵通过管道与镀膜室内部连通，所述真空泵通过管道连接有尾气焚烧装置。

优选的，所述镀膜室侧面开设有活动门，所述活动门上设有门锁。

优选的，所述电源系统可以是1000W可调射频电源。

本实用新型提出的一种PECVD镀膜装置，有益效果在于：设有三个出气孔，且设有驱动出气孔位置来回移动的装置，这样镀膜气体在镀膜室内的分布更加均匀，使硅片镀膜的质量得到保证，且无需增加气体供应量节约了成本。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种PECVD镀膜装置的结构示意图；

图2为本实用新型提出的一种PECVD镀膜装置的出气板的结构示意图；

图3为本实用新型提出的一种PECVD镀膜装置的电机处的结构示意图；

图4为本实用新型提出的一种PECVD镀膜装置的曲柄滑块机构的结构示意图。

图中：出气板1、出气孔2、送气装置3、电机4、电源系统5、射频电极6、石墨舟7、加热器8、真空泵9、尾气焚烧装置10、活动门11、镀膜室12、转轴13、滑轨14、传动齿轮15、驱动齿轮16、推杆17、第一连杆18、第二连杆19。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

参照图1-4，一种PECVD镀膜装置，包括镀膜室12，镀膜室12顶部连接送气装置3，镀膜室12连接真空装置，镀膜室12内设有射频电极6，射频电极6电连接有电源系统5和石墨舟7，电源系统5可以是1000W可调射频电源，硅片放置在石墨舟7内部，通过射频电极6放电将材料气体电离后在硅片表面形成镀膜。

镀膜室12顶部送气装置3的进气口的两边均设有滑轨14，滑轨14内卡装有出气板1，出气板1为一面开口的长方体，出气板1开口的两边向外翻折形成勾边，勾边卡在滑轨14内，出气板1底部两端和中部均设有出气孔2，镀膜室12顶部设有电机4，电机4通过减速齿轮组和曲柄滑块机构与出气板1侧面连接。出气板1来回运动，控制气体均匀扩散到整个镀膜室12内。

减速齿轮组包括设在电机4端部的传动齿轮15和通过轴承安装在镀膜室12上的转轴13，转轴13端部固定有驱动齿轮16，驱动齿轮16与传动齿轮15啮合。电机4提供驱动力，传动齿轮15和驱动齿轮16将转速降低。

曲柄滑块机构包括固定在转轴13另一端的第二连杆19，第二连杆19铰接有第一连杆18，第一连杆18铰接有推杆17，推杆17固定在出气板1侧面。曲柄滑块机构驱动出气板1沿滑轨14来回运动。

真空装置包括真空泵9，真空泵9通过管道与镀膜室12内部连通，真空泵9通过管道连接有尾气焚烧装置10。镀膜尾气中的有害气体经过焚烧处理，更加环保。

镀膜室12侧面开设有活动门11，活动门11上设有门锁。

工作流程：镀膜时，硅片被放置在石墨舟7内部，送气装置3将材料气体通过管道输送到镀膜时12内部，经出气板均匀布气后，经过石墨舟7内部与硅片接触，再通过射频电极6放电将材料气体电离后在硅片表面形成镀膜。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。