本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩膜板的后处理方法及掩膜板。
背景技术：
平板显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示器件主要包括有源矩阵有机发光二极体(active-matrixorganiclightemittingdiode，amoled)及有机电致发光显示器件(organiclightemittingdisplay，oled)。平板显示器件的制作涉及到在基底上形成薄膜图案的过程，即利用具有图案的蒸镀掩膜板掩膜，并通过真空蒸镀方式在待蒸镀基板上形成所需要的图案。
传统的掩膜板的制作采用双面刻蚀工艺，请参见图1，制作得到的掩膜板100'中形成有若干个开口，而每个开口均是通过对掩膜板的两面同时刻蚀至一定深度后贯穿形成，这就使得每个开口的侧壁上都保留有双面刻蚀的痕迹，即位于两面的刻蚀痕迹交叠处的刻蚀凸部。蒸镀时，将掩膜板100'与基板200'贴合，之后按照图1中箭头的方向(线源的蒸镀方向)进行蒸镀。由于掩膜板100'存在刻蚀凸部(图1中圆圈位置)，蒸镀时会对蒸镀源造成遮挡。当先自左至右蒸镀一次，之后再自右至左蒸镀一次之后，第一区域110'能够被交叠蒸镀，为理想膜厚区域，故为蒸镀有效区域。然而，由于刻蚀凸部的遮挡，第二区域120'只能蒸镀一次，为非理想膜厚区域，不利于应用。
技术实现要素：
本发明的目的是针对于现有技术的不足，提供一种掩膜板的后处理方法及掩膜板，以减少或去除掩膜板表面多余的凸起部分。
为此，在本发明中提供了一种掩膜板的后处理方法，该方法包括如下步骤：提供掩膜板，所述掩膜板的表面具有凸部；以及对至少部分所述凸部进行化学研磨处理。
在其中一个实施例中，所述方法还包括以下步骤：在对至少部分所述凸部进行化学研磨处理之前，在所述掩膜板上形成保护层，所述保护层露出至少部分所述凸部；以及在对至少部分所述凸部进行化学研磨处理之后，去除所述保护层。
在其中一个实施例中，在所述掩膜板上形成保护层的步骤为：在所述掩膜板的表面上形成光刻胶层；以及对所述凸部表面的光刻胶层进行曝光显影，以露出至少部分所述凸部，以形成保护层。
在其中一个实施例中，所述掩膜板上形成有若干开口，所述凸部位于所述开口的侧壁面上；
在其中一个实施例中，所述开口的侧壁面上形成有第一凸部和第二凸部，所述第一凸部靠近所述掩膜板的蒸镀面，所述第二凸部远离所述掩膜板的蒸镀面。
在其中一个实施例中，所述凸部为形成在所述掩膜板外周侧壁面上的毛刺。
在其中一个实施例中，对至少部分所述凸部进行化学研磨处理的步骤为：采用研磨液对至少部分所述凸部进行浸泡式研磨处理。
在其中一个实施例中，对至少部分所述凸部进行化学研磨处理的步骤为：采用研磨液对至少部分所述凸部进行喷淋式研磨处理。
在其中一个实施例中，所述研磨液为[h+]的摩尔含量为0.0001-0.15mol/l，优选为0.001-0.1mol/l的酸性溶液，优选所述研磨液中有效成分选自hcl、hno3、nh4hf2和hclo4中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述研磨液中有效成分包括hcl、hno3和nh4hf2，且hcl、hno3和nh4hf2的质量比为10：(0.65～10)：(0.65～10)。
在其中一个实施例中，所述研磨液的有效成分包括hcl、hno3、nh4hf2和hclo4，且hcl、hno3、nh4hf2和hclo4的质量比为10：(0.65～10)：(0.05～5)：(0.05～5)。
同时，在本发明中还提供了一种掩膜板，其采用根据本发明所述的掩膜板的后处理方法处理得到。
本发明掩膜板的后处理方法能够有效去除或缩小位于掩膜板表面不被期待的、多余的凸起部分。
本发明的掩膜板是采用上述的掩膜板的后处理方法制作得到，由于上述掩膜板的后处理方法中，对凸部进行了化学研磨处理，减少了凸部高度方向的至少部分。例如减少了位于掩膜板上开口的侧壁面上的凸部的至少部分，此时采用本发明的掩膜板进行蒸镀，减少掩膜板开口中侧壁面上凸部的至少部分，减少了对蒸镀源的遮挡，能够增加蒸镀有效区域，有利于减少设计余量，增加开口率，有利于高ppi产品应用。此外，还可以减少毛刺和边角影响效应。
附图说明
图1为采用传统的掩膜板进行蒸镀的示意图；
图2为本发明一实施方式的掩膜板的示意图；
图3为本发明一实施方式的在掩膜板上形成光刻胶的示意图；
图4为本发明一实施方式的对光刻胶曝光显影之后形成保护层的示意图；
图5为本发明一实施方式的对至少部分凸部进行化学研磨处理之后的示意图；
图6为本发明一实施方式的掩膜板的示意图；
图7为采用本发明一实施方式的掩膜板与传统的掩膜板进行蒸镀的对比示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
请参见图2～图5，一实施方式的掩膜板的后处理方法，包括如下步骤：
s10、提供掩膜板100，掩膜板100的表面具有凸部120。
其中，掩膜板100的表面包括掩膜板100的蒸镀面、远离蒸镀面的另一面、以及掩膜板100内部开口的侧壁面、以及所述掩膜板外周侧壁面等各个表面。
请参见图2，本实施方式的掩膜板中，掩膜板100上设有若干开口110，凸部120位于开口110的侧避面上。具体地，在所述开口110的侧壁面上形成有第一凸部121和第二凸部122。其中，第一凸部121靠近掩膜板100的蒸镀面130，第二凸部122远离掩膜板100的蒸镀面130。
需要说明的是，本发明的掩膜板的后处理方法中的凸部120不限于本实施方式中的顶端均为尖端的第一凸部121与第二凸部122，还可以为其他形式。例如，在其他实施方式中，凸部120的顶端还可以为表面具有一定粗糙度的端部。此外，凸部120的个数还可以为一个或者两个以上。
此外，凸部120还可以位于掩膜板100的蒸镀面上；凸部还可以是形成在所述掩膜板外周侧壁面上的毛刺。应用本发明的后处理方法适用于去除，或缩小掩膜板任意位置的凸部120。
s20、在掩膜板100上形成保护层150，保护层150露出至少部分凸部120。
较优地，在掩膜板100上形成保护层150的步骤为：
s21、在掩膜板100的表面上形成光刻胶层140，如图3所示。
可以采用涂布的方式在掩膜板100的表面上形成光刻胶层140。具体地，掩膜板100的两个表面以及开口110的侧壁面上均形成有光刻胶层140。光刻胶层140的厚度可以根据实际情况进行设置。
s22、对凸部120表面的光刻胶层140进行曝光显影，以露出至少部分凸部120，以形成保护层150，如图4所示。
对凸部120表面的光刻胶层140进行曝光显影的区域根据凸部120的大小进行设置，以露出至少部分凸部120为准。
需要说明的是，保护层150不限于上述实施方式中的光刻胶层140，还可以为其他能够对掩膜板100起到保护作用的叠层。
s30、对至少部分凸部120进行化学研磨处理。
其中，化学研磨处理指的是将微观表面的凸起部位通过化学腐蚀的作用首先溶解消除掉，与化学研磨处理之前相比，表面凹凸差变小从而使之表面更趋于平滑的过程。
较优地，对至少部分凸部120进行化学研磨处理的步骤为：采用研磨液对至少部分凸部120进行浸泡式研磨处理。
具体地，将掩膜板200浸入研磨液中，还可以同时采用搅拌等方式辅助研磨。可以根据不同的研磨液调整研磨时间，从而将第一凸部121与第二凸部122的尖端溶解掉，得到端部为平滑过渡的第一凸部121与第二凸部122，类似倒圆角的效果，如图6所示。
较优地，对至少部分凸部120进行化学研磨处理的步骤为：采用研磨液对至少部分凸部120进行喷淋式研磨处理。
具体地，采用研磨液喷淋掩膜板200，由于保护层150将第一凸部121与第二凸部122露出，故可以将第一凸部121与第二凸部122的尖端溶解掉，得到端部为平滑过渡的第一凸部121与第二凸部122，类似倒圆角的效果，如图6所示。喷淋的效果可根据研磨液的浓度以及喷淋的时间调整。
较优地，所述研磨液为[h+]的摩尔含量为0.0001-0.15mol/l，优选为0.001-0.1mol/l的酸性溶液，优选情况下，所述研磨液中[h+]的摩尔含量为0.001mol/l、0.02mol/l、0.05mol/l、0.08mol/l、以及0.1mol/l中的任意一个值，或者选自任意两个值组成的组中。
优选地，所述研磨液中有效成分选自hcl、hno3、nh4hf2和hclo4中的至少一种。掩膜板200的材质优选为因瓦合金(invar)。这些种类的研磨液对于溶解因瓦合金能够起到很好的效果。
更优地，所述研磨液中有效成分包括hcl、hno3、和nh4hf2，且hcl、hno3和nh4hf2的质量比为10：(0.65～10)：(0.65～10)。优选情况下，hcl、hno3和nh4hf2的质量比为10：0.65：0.65、为10：1：1、为10：0.65：10、为10：10：0.65，为1：1：1、或为10：3：5。
更优地，所述研磨液的有效成分包括hcl、hno3、nh4hf2和hclo4，且hcl、hno3、nh4hf2和hclo4的质量比为10：(0.65～10)：(0.05～5)：(0.05～5)。优选情况下，hcl、hno3、nh4hf2和hclo4的质量比为10：0.65：0.05：0.05、为10：0.65：5：5、为10：2：1：1、或为2：2：1：1。
s40、在对至少部分凸部120进行化学研磨处理之后，去除保护层150，得到掩膜板200，如图6所示。
请参见图6，与掩膜板100相比，掩膜板200的第一凸部121与第二凸部122均为平滑过渡。
当然，本发明的掩膜板的后处理方法中，亦可不设置保护层150。此时，可以直接对凸部120进行化学研磨处理。
请参见图7，采用传统的掩膜板对基板200'进行蒸镀时，蒸镀有效区域的宽度为a。而采用本发明一实施方式的掩膜板200对基板200'进行蒸镀时，蒸镀有效区域的宽度为b。由图7可以明显看出，b大于a，因此，采用本发明一实施方式的掩膜板200对基板200'进行蒸镀能够增加蒸镀有效区域。
本发明的掩膜板的后处理方法中，由于对开口侧壁面上至少部分凸部进行了化学研磨处理，减少了开口侧壁面上凸部对蒸镀源的遮挡。因此能够增加蒸镀有效区域，有利于减少设计余量，增加开口率，有利于高ppi产品应用。
此外，本发明的掩膜板的后处理方法还可以减少毛刺和边角影响效应。
在本发明一实施方式中，掩膜板200采用上述的掩膜板的后处理方法制作得到。
本发明的掩膜板是采用上述的掩膜板的后处理方法制作得到，由于上述掩膜板的后处理方法中，对至少部分凸部进行了化学研磨处理，减少了凸部对蒸镀源的遮挡。因此采用本发明的掩膜板进行蒸镀，能够增加蒸镀有效区域，有利于减少设计余量，增加开口率，有利于高ppi产品应用。此外，还可以减少毛刺和边角影响效应。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。