技术特征：
技术总结
一种用于在衬底上生长薄膜的化学气相生长装置，包括：一个控温的恒温下部加热元件，该下部加热元件包括多个载体盘在其上面，其中，每个载体盘在其上面还包括多个用于薄膜沉积的衬底；多个隔板，该隔板设置在所述下部加热元件上方以定义多个子反应室；每个子反应室上方并设置一个上部加热元件，每个上部加热元件是由多个控温的恒温上部加热单元所构成，该上部加热元件被设置在所述下部加热元件的上方，两者之间的间隙即为每个子反应室的高温反应区；进气装置，该进气装置被安装在每个子反应室中以将至少一种前驱体提供到所述子反应室中；以及安装在所述化学气相生长装置中以排出气体的出气装置。
技术研发人员：陈卫国;程峻宏
受保护的技术使用者：财团法人交大思源基金会
技术研发日：2018.06.28
技术公布日：2019.01.15