本实用新型涉及靶材热等静压处理技术领域，特别是一种减小铬锭侧弯、形变且结构简单的铬平面靶热等静压装置。
背景技术：
铬平面靶的用途非常广，目前的铬平面靶多用喷涂的工艺生产，随着市场对产品品质的要求提高，喷涂靶材致密度低的缺点慢慢凸显。热等静压工艺有着诸多的优越性，围绕着热等静压，一些提高成品率、降低缺陷的技术慢慢发展起来。
在热等静压的高温高压环境下，大多数的材料强度和刚度都降到极低的数值，因此在热等静压中，存在着严重的工件变形、弯曲导致的报废情况。
技术实现要素：
有鉴于此，本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种减小铬锭侧弯、形变且结构简单的铬平面靶热等静压装置。
本实用新型解决其技术问题所采用技术方案是：铬平面靶热等静压装置，包括热等静压炉，热等静压炉具有用于放置靶材工件的炉腔，在热等静压炉的炉腔内填充有陶瓷珠，陶瓷珠为圆球体形状，且该陶瓷珠具有流动性；炉腔内的陶瓷珠的中部形成一靶材工件热等静压空间，靶材工件放置于靶材工件热等静压空间，在靶材工件与炉腔的内壁之间具有流动间隙；陶瓷珠填充满靶材工件与炉腔之间的流动间隙，且在靶材工件的上方覆盖有一层陶瓷珠而形成一陶瓷珠流动压盖层。
优选的，所述陶瓷珠的直径小于所述流动间隙的0.5倍。
优选的，所述炉腔的底部铺设有一陶瓷珠流动承托层，所述靶材工件的底面压置于陶瓷珠流动承托层之上。
优选的，所述陶瓷珠流动压盖层的顶面与所述炉腔的顶面之间的距离控制在10～20cm，以形成一调节空间。
优选的，所述陶瓷珠流动承托层的厚度为3～5cm，覆盖在所述靶材工件上方的所述陶瓷珠流动压盖层的厚度为3～20cm。
本实用新型的有益效果是：本实用新型的铬平面靶热等静压装置，通过热等静压炉、靶材工件以及陶瓷珠等的配合，在热等静压的高温高压环境下，利用陶瓷珠的热形变较小和流动性，使得靶材工件的形变降到最低，减少了侧弯、形变等情况，提高了产品的质量，减少了材料报废，降低了生产成本。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的炉腔的底部铺设有陶瓷珠流动承托层的结构示意图。
图中：1、炉腔2、陶瓷珠3、靶材工件4、流动间隙5、陶瓷珠流动压盖层 6、陶瓷珠流动承托层。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本实用新型的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一个实施例，而不是全面的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本实用新型所保护的范围。
铬平面靶热等静压装置，图1所示，包括热等静压炉，热等静压炉具有用于放置靶材工件3的炉腔1，在热等静压炉的炉腔1内填充有陶瓷珠2，陶瓷珠 2为圆球体形状，且该陶瓷珠2具有流动性；炉腔1内的陶瓷珠2的中部形成一靶材工件热等静压空间，靶材工件3放置于靶材工件热等静压空间，在靶材工件3与炉腔1的内壁之间具有流动间隙4，较佳的，陶瓷珠2的直径小于流动间隙4的0.5倍。陶瓷珠2填充满靶材工件3与炉腔1之间的流动间隙4。
较佳的，在靶材工件3的上方覆盖有一层陶瓷珠2而形成一陶瓷珠流动压盖层5。覆盖在靶材工件3上方的陶瓷珠流动压盖层5的厚度为3～20cm，对陶瓷珠2提供一自然压力，减小靶材工件3在纵向方向的伸缩变形，且陶瓷珠流动压盖层5中的陶瓷珠2具有流动性，在流动间隙4中陶瓷珠2向下流动后，陶瓷珠流动压盖层5的陶瓷珠2流向流动间隙4，以补充流动间隙4的空缺，在侧向对靶材工件3保持恒定压力，以减少侧向的形变。
本实用新型在热等静压的高温高压环境下，利用陶瓷珠2的热形变较小和流动性，使得靶材工件3的形变降到最低，减少了侧弯、形变等情况，提高了产品的质量，减少了材料报废，降低了生产成本。
在进行热等静压处理之前，先通过设置在热等静压炉外部的抽气装置抽除炉腔1内的空气，再通过设置在热等静压炉外部的氩气提供装置向炉腔1充入氩气，再盖上炉盖，使炉腔1内充满氩气，在加热后氩气膨胀而使炉腔1形成高温高压环境，炉腔1的压力为100-200MPa。
具体的，靶材工件3为柱体形状，靶材工件3竖直放置在炉腔1的中部。陶瓷珠流动压盖层5的顶面与炉腔1的顶面之间的距离控制在10～20cm，以形成一调节空间，在进行热等静压处理过程中，提高陶瓷珠2的流动性。
优选的，炉腔1的底部铺设有一陶瓷珠流动承托层6，图2所示，靶材工件 3的底面压置于陶瓷珠流动承托层6之上。陶瓷珠流动承托层6的厚度为3～5cm，此种设计适用于异形靶材工件3以及底面不平整的靶材工件3，使靶材工件3在各个方向的形变量均相同，使得陶瓷珠2具有较好的流动性，在各个方向均能够方便均匀地进行挤压靶材工件3，减小靶材工件3在热等静压炉中的侧弯、形变情况。
以上，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。