掩膜板的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩膜板。

背景技术：

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)又称为有机电激光显示或有机发光半导体，由于其具有驱动电压低、主动发光、视角宽、效率高、响应速度快、易实现全彩色大面积壁挂式显示和柔性显示等特点，因此逐渐取代液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)应用于手机、电视等显示终端上。

在OLED制造技术中，真空蒸镀用的掩膜板是至关重要的部件，掩膜板可以控制有机材料沉积在屏体上的位置，从而在屏体上形成不同的有机图案。掩膜板主要包括通用金属掩膜板(Common Metal Mask，CMM)及精密金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)，其中通用金属掩膜板主要用于蒸镀共通层，精密金属掩膜板主要用于蒸镀发光层。

而目前，随着人们对智能设备(特别是智能手机)的屏占比要求的不断提高，具有超高屏占比的超窄边框甚至无边框设计成为目前的发展趋势，因此用于实现摄像、人脸识别等功能的电子器件通常被安装于显示屏范围内以避免占用显示屏边缘外侧的空间而增大边框宽度，从而出现了具有安装槽的异形显示屏。而在异形显示屏的生产过程中，结构与异形显示屏相适应的掩膜板在张网安装于掩膜框架的过程中，由于各个位置的受力不均匀而容易出现褶皱，从而导致后续显示屏像素蒸镀位置精度降低。

技术实现要素：

基于此，有必要针对掩膜板在张网过程中受力不均匀的问题，提供一种可解决上述问题的掩膜板。

一种掩膜板，包括掩膜板主体和加强结构，所述掩膜板主体包括相对设置的玻璃面与蒸镀面；所述蒸镀面上包括：

蒸镀区；

虚设区，位于所述蒸镀区一侧；

切割区，位于所述虚设区与所述蒸镀区之间并围绕所述虚设区设置；以及

过渡区，围绕所述蒸镀区设置，且所述虚设区与所述切割区均位于所述过渡区靠近蒸镀区一侧；

所述加强结构设置于所述掩膜板主体的蒸镀面上，且位于所述过渡区内，所述加强结构远离所述过渡区的一面高于所述蒸镀面所在的平面。

上述掩膜板，用于在蒸镀过程中用于控制有机材料沉积在被蒸镀屏体上的位置，从而形成所需有机图案。掩膜板上的切割区的设置可阻挡有机材料而避免有机材料沉积在被蒸镀屏体上与切割区对应的位置，从而形成与切割区的形状相匹配的未蒸镀区域。由于环绕蒸镀区的过渡区设置了加强结构，因此增加了过渡区的整体厚度，从而增加了掩膜板的整体结构强度，进而大幅度降低了应力集中、拉力、重力等因素对掩膜板的影响，从而有效改善了切割区的受力情况，达到了防止掩膜板因厚度不同导致的受力不均而产生褶皱的目的。而且，由于加强结构高于蒸镀面所在平面而并非玻璃面，从而避免影响后续蒸镀过程中玻璃面贴附于被蒸镀屏体上的平整度，且掩膜板在张网过程中的受力集中在蒸镀面一侧，从而避免玻璃面一侧受到拉力的影响而降低蒸镀图案的精准度。

可选地，所述加强结构为多个，多个所述加强结构间隔设置于所述过渡区内。

可选地，所述加强结构与所述掩膜板主体一体成型设置。

可选地，所述加强结构的厚度自靠近所述的蒸镀区一侧向远离所述蒸镀区方向单调增大。

可选地，所述加强结构的最大厚度与所述掩膜板主体的厚度的比值范围为0.5-1。

可选地，所述过渡区上开设有过渡孔，所述过渡孔自所述加强结构远离所述玻璃面一侧向所述玻璃面延伸。

可选地，所述过渡孔的深度小于所述加强结构与所述过渡区内所述掩膜板主体的厚度之和。

可选地，所述过渡孔为多个，所述过渡孔的深度自靠近所述蒸镀区一侧向远离所述蒸镀区一侧依次单调减小。

可选地，所述蒸镀区中设有多个贯穿所述玻璃面与所述蒸镀面的第一蒸镀孔；所述虚设区中沿所述掩膜板主体的厚度方向设有多个第二蒸镀孔，每个所述第二蒸镀孔的深度小于或等于所述虚设区内所述掩膜板主体的厚度。

可选地，所述切割区中沿所述掩膜板主体的厚度方向开设有多个第三蒸镀孔，所述第三蒸镀孔的深度小于所述切割区内所述掩膜板主体的厚度。

附图说明

图1为一实施方式的掩膜板的局部结构的正视图；

图2为图1所示的掩膜板的局部结构的后视图；

图3为一实施例的掩膜板的局部结构的剖视图；

图4为另一实施例的掩膜板的局部结构的剖视图；

图5为又一实施例的掩膜板的局部结构的剖视图；

图6为又一实施例的掩膜板的局部结构的剖视图；

图7为又一实施例的掩膜板的局部结构的剖视图；

图8为又一实施例的掩膜板的局部结构的剖视图；

图9为又一实施例的掩膜板的局部结构的剖视图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1-图3所示，本较佳实施方式的一种掩膜板100，掩膜板100包括掩膜板主体及加强结构180。

掩膜板主体包括相对设置的玻璃面110与蒸镀面120，其中玻璃面110为掩膜板100朝向被蒸镀屏体的一面，蒸镀面120为掩膜板100靠近蒸镀源的一面。掩膜板主体上包括蒸镀区130、虚设区140、切割区150及过渡区160。

其中，虚设区140位于蒸镀区130一侧，切割区150位于虚设区140与蒸镀区130之间并绕虚设区140的边缘弯折延伸。过渡区160围绕蒸镀区130设置，且虚设区140与切割区150均位于过渡区160靠近蒸镀区的一侧设置。加强结构180设置于蒸镀面120上且位于过渡区160内，加强结构180远离过渡区160的一侧端面高于蒸镀面120所在的平面。

上述掩膜板100，用于在蒸镀过程中用于控制有机材料沉积在被蒸镀屏体上的位置，从而形成所需有机图案。掩膜板100上的切割区150的设置可阻挡有机材料而避免有机材料沉积在被蒸镀屏体上与切割区150对应的位置，从而形成与切割区150的形状相匹配的未蒸镀区域。由于环绕蒸镀区130的过渡区160设置了加强结构180，因此增加了过渡区160的整体厚度，从而增加了掩膜板100的整体结构强度，进而大幅度降低了应力集中、拉力、重力等因素对掩膜板100的影响，从而有效改善了切割区150的受力情况，达到了防止掩膜板100因厚度不同导致的受力不均而产生褶皱的目的。而且，由于加强结构180高于蒸镀面120所在平面而并非玻璃面110，从而避免影响后续蒸镀过程中玻璃面110贴附于被蒸镀屏体上的平整度，且掩膜板100在张网过程中的受力集中在蒸镀面120一侧，从而避免玻璃面110一侧受到拉力的影响而降低蒸镀图案的精准度。

如图1及图2所示，蒸镀区130包括第一蒸镀区136与两个第二蒸镀区134，第一蒸镀区136大致呈矩形，具有两条相对的短边与连接两条短边的长边，两个第二蒸镀区134间隔设于第一蒸镀区136一条短边的两端，且第二蒸镀区134也大致呈矩形。虚设区140也大致呈矩形，且虚设区140设于第一蒸镀区136一侧并位于两个第二蒸镀区134之间。切割区150绕围绕虚设区140设置，并靠近蒸镀区130的边缘，且在虚设区140的顶角位置呈90°弯折。如此，当未设置加强结构180时，在对掩膜板100施加拉力以将其固定于掩膜框架的过程中，切割区150的弯折处由于应力集中的缘故与虚设区140的受力不一致，因此使掩膜板100在张网过程中容易产生较多褶皱，导致后续蒸镀工序的良品率下降。而在本实施方式中，由于过渡区160上凸设有环绕蒸镀区130外周的加强结构180，因此增加了过渡区160的整体厚度，从而提高了掩膜板100的整体结构强度，进而降低了应力集中、拉力、重力等因素对掩膜板100的影响，均匀了切割区150的弯折处的受力，从而使掩膜板100在张网过程中产生的褶皱大量减少，提高了通过该掩膜板100蒸镀形成的有机图像的精准度。可以连接，蒸镀区130与虚设区140的形状不限于此，可根据需要设置以在被蒸镀屏体上蒸镀形成不同的图案。

具体在本实施方式中，掩膜板100包括一个加强结构180，该加强结构180环绕蒸镀区120以形成封闭的环状结构，从而均匀增加了过渡区160的整体厚度，从而增加掩膜板100的结构强度，使切割区150均匀受力。

在另一实施方式中，加强结构180为多个，多个加强结构180间隔设置于过渡区160内。具体地，在一实施例中，多个加强结构180沿过渡区160周向设置，每个加强结构180一端靠近蒸镀区130，另一端向远离蒸镀区130方向延伸，且多个加强结构180平行间隔设置。在另一实施例中，多个加强结构180自过渡区160靠近蒸镀区130一侧向外呈放射状间隔设置。可以理解，加强结构180的排布方式不限，在其它实施例中，加强结构180还可为无规则间隔设置或相互交错设置等多种排布方式。

进一步地，加强结构180与掩膜板主体一体成型设置，因此具有较高的整体强度，简化了制造工艺。在其它实施方式中，加强结构180还可采用强度大于掩膜板主体强度的材料形成，从而提高掩膜板100的整体结构强度。

如图2及图3所示，加强结构180的厚度自靠近蒸镀区130一侧向远离蒸镀区130方向单调增大，从而使掩膜板100中的力的传递更加均匀而避免造成过渡区160与蒸镀区130连接区域的应力集中。具体地，加强结构180的横截面为直角三角形，从而使过渡区160的整体厚度逐渐过渡而避免掩膜板100的厚度突然出现较大改变而导致变形及起褶现象。

请继续参阅图2及图3，加强结构180的最大厚度与掩膜板主体的厚度的比值范围为0.5-1。优选地，加强结构180的最大厚度与掩膜板主体的厚度的比值为1。当掩膜板主体的厚度为50μm时，加强结构180的最大厚度为100μm。如此，加强结构180显著增加掩膜板100的强度的同时，可避免掩膜板100的面积与厚度过大。而当加强结构180的最大厚度与掩膜板主体的厚度的比值小于0.5时，加强结构180自身的厚度过小而无法有效增加结构强度，而当加强结构180的最大厚度与掩膜板主体的厚度的比值大于1时，则导致加强结构180的宽度与厚度过大而大大增加了掩膜板100的面积与重量。

请继续参阅图2、图4及图5，过渡区160开设有过渡孔182，过渡孔182自加强结构180远离玻璃面110一侧向玻璃面110延伸，从而在增加掩膜板100的结构强度的同时使蒸镀区130与过渡区160的过渡更加均匀，避免过渡区160与蒸镀区130的厚度及重量差距过大。

进一步地，过渡孔182为多个，多个过渡孔182均由半刻蚀工艺形成，过渡孔182的深度小于加强结构180与位于过渡区160的掩膜板主体的厚度之和(即过渡区160的整体厚度)，即呈盲孔状，且过渡孔182的深度自靠近蒸镀区130一侧向远离蒸镀区130一侧依次单调减小，从而使掩膜板100中力的传递更加均匀。

具体在本实施方式中，过渡孔182的横截面呈长条形或圆形(如图4及图5所示)，且每个过渡孔182之间相互孤立而互不连通，因此可均匀切割区150的受力。可以理解，过渡孔182的形状与排布方式不限，可根据不同需要设置。

在一实施方式中，如图2、图6及图7所示，蒸镀区130中设有多个贯穿玻璃面110与蒸镀面120的第一蒸镀孔132，虚设区140中沿掩膜板主体的厚度方向开设有多个第二蒸镀孔142，每个第二蒸镀孔142的深度小于或等于虚设区140内掩膜板主体的厚度。具体地，第二蒸镀孔142可通过半刻蚀工艺形成于蒸镀面120上，也可通过全刻蚀工艺形成于蒸镀面120上。可以理解，在其它实施例中，虚设区140也可不设置第二蒸镀孔142。

如图6所示，当第二蒸镀孔142的深度小于虚设区140内的掩膜板主体的厚度时，有机材料在蒸镀过程中可在虚设区140的阻挡下无法覆盖在被蒸镀屏体的相应位置而形成遮挡部位，从而便于后续切割形成安装槽。

如图7所示，而当第二蒸镀孔142深度等于虚设区140内的掩膜板主体的厚度而贯穿虚设区140时，虚设区140的结构与蒸镀区130的结构相似，因此可进一步均匀掩膜板100的受力，缓解切割区150的应力集中现象。

在一实施方式中，如图8及图9所示，切割区150开设有多个第三蒸镀孔162，第三蒸镀孔162的深度小于切割区150内的掩膜板主体的厚度。如此，有机材料在蒸镀过程中可在虚设区140的阻挡下无法覆盖在被蒸镀屏体的相应位置而形成切割余量，避免被蒸镀屏体封装后，水氧沿着被蒸镀屏体与切割区150对应位置的有机材料入侵而缩短屏体的使用寿命。可以理解，切割区150也可不设置第三蒸镀孔162。

上述掩膜板100，由于在围绕蒸镀区130的过渡区160内设置有加强结构180，因此增加了过渡区160的整体厚度，从而提高了掩膜板100的结构强度，不易受到拉力、重力作用的影响而产生褶皱，且由于过渡区160开设有深度渐变的过渡孔182，因此可起到过渡效果以进一步均匀掩膜板100的受力，以达到减少褶皱的目的，提高后续蒸镀效果。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。