技术总结
一种点蒸发源，其包括：坩埚本体，所述坩埚本体的内壁为旋转体的形式，所述旋转体的母线符合以下函数：y＝cos3θ,其中‑90°≤θ≤90°；所述旋转体的轴为经过所述函数曲线的顶点的竖直直线。使得坩埚表面的蒸镀材料分子到达蒸发温度的时间点不同，进而改变蒸镀材料分子到达基板表面的时间，由此对基板上材料的沉积膜层的厚度进行补偿，减少对应于蒸发源中心位置的沉积厚度，增加对应于蒸发源边缘位置的沉积厚度；有利于沉积成膜的均匀性。
技术研发人员：姚松;甘帅燕;王亚;宋建华
受保护的技术使用者：云谷（固安）科技有限公司
技术研发日：2019.01.17
技术公布日：2019.11.12