一种金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法和装置与流程

文档序号:37925599发布日期:2024-05-11 00:04阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法,其特征在于,在所述s2之后,在所述s3之前还包括:

3.根据权利要求1所述的金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法,其特征在于,在所述s3中:

4.根据权利要求1所述的金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述s3还包括:所述停止向所述反应腔室通入所述第一混合气体的步骤之后,抽出所述反应腔室内的所述第一混合气体。

5.根据权利要求1所述的金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述s2包括:

6.根据权利要求1所述的金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述s3包括:

7.根据权利要求3所述的金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述s4包括:

8.根据权利要求1所述的金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法,其特征在于,在所述s1之前,还包括:

9.根据权利要求8所述的金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法,其特征在于,所述干燥处理包括:

10.一种物理气相沉积控制装置,其特征在于,包括:


技术总结
本发明公开了一种金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法和装置,该方法包括将基板置于反应腔室中,使氮气和轰击气体的第一混合气体形成等离子体并轰击靶材,以在基板上形成第一厚度金属氮化物薄膜;随后向反应腔室仅通入轰击气体,使轰击气体形成等离子体并轰击靶材,从而去除靶材上残留的金属氮化物;最后再次通入第一混合气体,使第一混合气体形成等离子体并轰击靶材,以在基板上形成第二厚度金属氮化物薄膜。通过先在靶材的表面形成金属氮化物,再进行轰击,提高了基板上沉积金属氮化物薄膜的均匀度。

技术研发人员:徐国俊,李志华
受保护的技术使用者:粤芯半导体技术股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/5/10
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