专利名称:用于沉积薄膜的加热器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于通过加热而在已安置的晶片上沉积薄膜的加热器。
背景技术：
图1是用于沉积薄膜10的传统式加热器的侧横截面图。参看图1，用于沉积薄膜10的传统式加热器主要包含晶片支撑板11，其上安置晶片且其中包含热量产生元件H；以及杆12，其支撑着所述晶片支撑板11。在所述晶片支撑板11的边缘处设置有多个注入孔13A，且在晶片支撑板11中沿径向和水平方向设置有与注入孔13A相连的注入孔流动通道13B。在杆12中形成有与所述注入孔流动通道13B相连的惰性气体路径13C。此外，在晶片支撑板11的上表面中形成有多个吸附孔14A，用以吸附晶片，且在杆12中形成有与吸附孔14A相连的真空形成路径14B。
在用于沉积薄膜10的传统式加热器中，通过真空形成路径14B以形成真空，以便使安置在用于沉积薄膜10的加热器上的晶片固定不动，从而在吸附孔14A中形成真空压力。此外，通过惰性气体路径13C以提供惰性气体，且随后通过注入孔13A将所述惰性气体提供到内部腔室以便执行净化或清理。
如图1所说明者，与注入孔13A相连的注入孔流动通道13B是沿径向和水平方向形成在晶片支撑板11中。很难制造此类注入孔流动通道13B。
此外，如果晶片略微弯曲，可能会在晶片与晶片支撑板11之间形成一个非常微小的间隔。由于这微小间隔，会使晶片附着到晶片支撑板11的表面上的附着力减少，且晶片还可能产生细微振动。因此，会使形成在晶片上的薄膜的均匀性和质量下降。
发明内容本发明提供一种用于沉积薄膜的加热器，其中无需在晶片支撑板中沿径向和水平方向形成流动通道，从而可容易地制造用于沉积薄膜的加热器，且晶片即使在略微弯曲的情况下也能坚固地附着到晶片支撑板上。
根据本发明的一样态，提供一种用于沉积薄膜的加热器，所述加热器包含晶片支撑板，其上安置着晶片且在所述晶片支撑板的边缘处设置有多个注入孔，且在所述晶片支撑板中包含热量产生元件；杆，其设置在晶片支撑板的下侧，所述杆包括惰性气体路径，通过此惰性气体路径以提供惰性气体；以及流动通道形成盖，其接合到晶片支撑板的下部且包括形成在所述流动通道形成盖与晶片支撑板之间的内部空间，其中注入孔与惰性气体路径通过所述内部空间而连接起来。
所述晶片支撑板可包含中间流动通道，所述通道将惰性气体路径与内部空间连接起来。
所述中间流动通道可从惰性气体路径的上端向下延伸到晶片支撑板的下表面。
所述流动通道形成盖可在流动通道形成盖的中心部分中包含穿透孔，杆从所述穿透孔中穿过。
所述流动通道形成盖可具有环形形状，且包含形成在流动通道形成盖的外边缘处的环状外部突起部分以及形成在流动通道形成盖的内边缘处的环状内部突起部分，其中所述外部突起部分和所述内部突起部分向上突起，且其中由晶片支撑板的下表面、外部突起部分的内部圆周表面、内部突起部分的外部圆周表面以及流动通道形成盖的上表面来界定内部空间。
所述杆可包含用于形成真空压力的真空形成通道，且所述晶片支撑板可包含上面安置着晶片的安放单元，其中所述安放单元包含多个在上面放置晶片的突出物以及与真空形成通道相连的吸附孔。
用于沉积薄膜的加热器可进一步包含多个连接元件，其穿过所述流动通道形成盖且被拧入晶片支撑板中，所述连接元件在连接元件的中心中包括第一支撑销穿透孔，支撑销从所述穿透孔中穿过，所述支撑销在装载和卸载晶片时支撑着晶片并抬高晶片，且所述晶片支撑板包括相对于第一支撑销穿透孔而同轴设置的第二支撑销穿透孔，使得所述支撑销突起到晶片支撑板的上侧。
通过参考附图来详细描述本发明的示范性实施例，本发明的以上及其它特征和优点将变得更为明显，在附图中图1为用于沉积薄膜的传统式加热器的侧横截面图。
图2为根据本发明一实施例的用于沉积薄膜的加热器的分解透视图。
图3为根据本发明一实施例的图2中的用于沉积薄膜的加热器的侧横截面图。
图4为根据本发明一实施例的图2中的用于沉积薄膜的加热器的顶视图。
具体实施方式下文中将参考附图更加完整地描述本发明，图中绘示了本发明的示范性实施例。
图2为根据本发明一实施例的用于沉积薄膜的加热器的分解透视图；图3为图2中的用于沉积薄膜的加热器的侧横截面图；且图4为图2中的用于沉积薄膜的加热器的顶视图。
参看图2到图4，根据本发明一实施例的用于沉积薄膜的加热器包含晶片支撑板110、杆120以及流动通道形成盖130。晶片支撑板110(其上安置着晶片W)在其边缘处包含多个注入孔111。通过所述注入孔111将用于薄膜沉积工序的惰性气体注入到晶片支撑板110的上部。
在晶片支撑板110中，形成有热量产生元件H和用于插入热电偶(未图示)的热电偶插入孔114。安装在热电偶插入孔114中的热电偶测量所述晶片支撑板110的温度并产生相应的信号，其中所述信号用来控制热量产生元件H的操作。
上面安置着晶片W的安放单元110A形成在晶片支撑板110上。在安放单元110A中，设置有多个上面放置晶片W的突出物112。在所述突出物112之间形成有与杆120中包含的真空形成通道123相连的吸附孔113，下文将描述此吸附孔113。
杆120设置在晶片支撑板110的下侧，用以支撑所述晶片支撑板110。杆120包含惰性气体路径121，通过此惰性气体路径121以提供惰性气体；以及真空形成通道123，其用于形成真空压力。此外，在杆120中安装有电线61和71，分别用以向晶片支撑板110中包含的热量产生元件H和RF电极供电。
流动通道形成盖130接合到晶片支撑板110的下部，且在流动通道形成盖130与晶片支撑板110之间形成有内部空间131。所述流动通道形成盖130具有环形形状，且在流动通道形成盖130的中心部分中包含穿透孔137，杆120从所述穿透孔中穿过。在流动通道形成盖130的外边缘处形成有环状外部突起部分130A，其中所述外部突起部分130A向上突起。此外，在流动通道形成盖130的内边缘处形成有环状内部突起部分130B，藉此使所述内部突起部分130B向上突起。由于外部突起部分130A和内部突起部分130B向上突起，因而在外部突起部分130A与内部突起部分130B之间自然地形成内部空间131。换句话说，内部空间131是由晶片支撑板110的下表面、外部突起部分130A的内部圆周表面、内部突起部分130B的外部圆周表面以及所述流动通道形成盖130的上表面来界定。尽管外部突起部分130A和内部突起部分130B附着到晶片支撑板110的下表面，但将所述流动通道形成盖130拧到晶片支撑板110上是使用多个连接元件136来达成。
另一方面，在晶片支撑板110中形成中间流动通道111A，其将杆120的惰性气体路径121与流动通道形成盖130的内部空间131连接起来。中间流动通道111A从惰性气体路径121的上端向下延伸到晶片支撑板110的下表面。因此，通过惰性气体路径121所提供的惰性气体穿过中间流动通道111A、内部空间131以及注入孔111而注入到晶片支撑板110的上部。
多个连接元件136穿过流动通道形成盖130并拧入晶片支撑板110中。在连接元件136的中心中形成有多个第一支撑销穿透孔135，支撑销(未图示)穿过所述穿透孔135，所述支撑销在装载和卸载晶片时支撑并抬高晶片。
另一方面，在晶片支撑板110上形成有多个相对于第一支撑销穿透孔135而同轴设置的第二支撑销穿透孔115。
第一支撑销穿透孔135和第二支撑销穿透孔115具有相同的直径且彼此连接。因此，支撑销从流动通道形成盖130的下侧穿过第一和第二支撑销穿透孔135和115且突起到晶片支撑板110的上侧。在本实施例中，使用了三个第一支撑销穿透孔135和第二支撑销穿透孔115。
如上所述，根据本发明的用于沉积薄膜的加热器包含晶片支撑板和接合到晶片支撑板下部的流动通道形成盖。因此，流动通道无需沿径向和水平方向而形成，且因此可容易地制造用于沉积薄膜的加热器。
此外，由于使用了若干突出物且在所述突出物之间插入有吸附孔，因而即使在晶片略微弯曲时也可能坚固地吸附着晶片，且可防止晶片振动。因此，提高了形成在晶片上的薄膜的均匀性和质量。
尽管已参考本发明的示范性实施例特定地绘示并描述了本发明，但所属领域的技术人员将了解，可在不偏离如所附权利要求
书中所界定的本发明的精神和范畴的情况下在其中进行各种形式和细节的变化。
权利要求
1.一种用于沉积薄膜的加热器，其特征在于包括晶片支撑板，其上安置晶片，且在所述晶片支撑板的边缘处设置有多个注入孔，且在所述晶片支撑板中包含热量产生元件；杆，其设置在所述晶片支撑板的下侧处，所述杆包括惰性气体路径，通过所述惰性气体路径以提供惰性气体；以及流动通道形成盖，其接合到所述晶片支撑板的下部，且包括形成在所述流动通道形成盖与所述晶片支撑板之间的内部空间，其中所述注入孔与所述惰性气体路径通过所述内部空间连接起来。
2.根据权利要求
1所述的用于沉积薄膜的加热器，其特征在于所述晶片支撑板包括中间流动通道，其将所述惰性气体路径与所述内部空间连接起来。
3.根据权利要求
2所述的用于沉积薄膜的加热器，其特征在于所述中间流动通道从所述惰性气体路径的上端向下延伸到所述晶片支撑板的下表面。
4.根据权利要求
1所述的用于沉积薄膜的加热器，其特征在于所述流动通道形成盖在所述流动通道形成盖的中心部分中包括穿透孔，所述杆从所述穿透孔中穿过。
5.根据权利要求
4所述的用于沉积薄膜的加热器，其特征在于所述流动通道形成盖具有环形形状，且包括形成在所述流动通道形成盖的外边缘处的环状外部突起部分以及形成在所述流动通道形成盖的内边缘处的环状内部突起部分，其中所述外部突起部分和所述内部突起部分向上突起，且其中所述内部空间由所述晶片支撑板的所述下表面、所述外部突起部分的内部圆周表面、所述内部突起部分的外部圆周表面以及所述流动通道形成盖的上表面来界定。
6.根据权利要求
1所述的用于沉积薄膜的加热器，其特征在于所述杆包括用于形成真空压力的真空形成通道，且所述晶片支撑板包括安放单元，其上面安置所述晶片，其中所述安放单元包括多个上面放置所述晶片的突出物以及与所述真空形成通道连接的吸附孔。
7.根据权利要求
1所述的用于沉积薄膜的加热器，其特征在于其进一步包括多个连接元件，所述连接元件穿过所述流动通道形成盖并拧入所述晶片支撑板中，所述连接元件在所述连接元件的中心中包括支撑销从中穿过的第一支撑销穿透孔，所述支撑销在装载和卸载所述晶片时支撑并抬高所述晶片，且所述晶片支撑板包括相对于所述第一支撑销穿透孔而同轴设置的第二支撑销穿透孔，以使得所述支撑销突起到所述晶片支撑板的上侧。
专利摘要
本发明提供一种通过加热而在已安置的晶片上沉积薄膜的用于沉积薄膜的加热器。所述用于沉积薄膜的加热器包含晶片支撑板，其上安置晶片，且在所述晶片支撑板的边缘处设置有多个注入孔，且在所述晶片支撑板中包含热量产生元件；杆，其设置在所述晶片支撑板的下侧处，所述杆包括惰性气体路径，通过此惰性气体路径以提供惰性气体；以及流动通道形成盖，其接合到所述晶片支撑板的下部，且包括形成在所述流动通道形成盖与所述晶片支撑板之间的内部空间，其中所述注入孔与所述惰性气体路径通过所述内部空间连接起来。
文档编号C23C16/46GK1990903SQ200610144860
公开日2007年7月4日 申请日期2006年11月23日
发明者白春金, 李起薰, 崔亨燮, 徐康镇 申请人:株式会社Ips导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan