一种用于紫铜水平连铸的结晶器的制造方法

文档序号:8421595阅读:474来源:国知局
一种用于紫铜水平连铸的结晶器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及铜连铸技术领域,尤其是涉及一种用于紫铜水平连铸的结晶器。
【背景技术】
[0002]水平连铸在铜加工行业中适应于较难铜合金的连铸带坯生产,但单一紫铜的水平连铸方面,特别是潜流式水平连铸生产过程中常出现铸坯组织疏松、凹裂及表面氧化需二次铣面的问题。
[0003]水平连铸生产紫铜带主要存在以下缺陷:铸坯高温氧化后需二次铣面,成材率损失6-8%,内部晶粒组织粗大不均,经加工后易出现局部疏松、细裂现象,产品质量不高。

【发明内容】

[0004]针对现有技术不足,本发明所要解决的技术问题是提供一种用于紫铜水平连铸的结晶器,以达到铸坯内部晶粒均匀的目的。
[0005]为了解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案为:
[0006]该用于紫铜水平连铸的结晶器,所述结晶器设在连铸的保温炉的出口处,包括结晶器本体,所述结晶器本体内部设有用于铜液结晶通过结晶腔,所述结晶器本体上设有进水口和出水口,进水口和出水口之间通过设在结晶器本体内的一组冷却通道相连通,结晶器本体中部设置的冷却通道密度大于结晶器本体两侧设置的冷却通道密度。
[0007]进一步的,所述结晶器本体上的进水口靠保温炉侧设置,出水口远离保温炉侧设置。
[0008]所述进水口为并排设置的一组,结晶器本体中部的进水口设置密度大于结晶器本体两侧进水口设置密度。
[0009]所述出水口为并排设置的一组,结晶器本体中部的出水口设置密度大于结晶器本体两侧出水口设置密度。
[0010]所述冷却通道内部设有倾斜的水冷沟槽,靠保温炉侧水冷沟槽的深度大于远离保温炉侧水冷沟槽的深度。
[0011]所述水冷沟槽为波浪式沟槽。
[0012]本发明与现有技术相比,具有以下优点:铜铸坯冷却均匀,铸坯内部晶粒均匀,产品内部无疏松、细裂现象;铜水平连铸后为光亮带坯不需要二次铣面,增加了成材率,提升了产品质量。
【附图说明】
[0013]下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明:
[0014]图1为本发明结晶器示意图一。
[0015]图2为本发明结晶器示意图二。
[0016]图中:1.结晶器本体、2.进水口、3.出水口、4.分水口、5.汇集通道、6.水冷沟槽。
【具体实施方式】
[0017]下面对照附图,通过对实施例的描述,对本发明的【具体实施方式】作进一步详细的说明。
[0018]如图1和图2所示,该用于紫铜水平连铸的结晶器设置在保温炉的出口处,熔炼炉和保温炉为一体结构,在熔炼炉和保温炉之间内置有暗孔,通过暗孔将熔炼炉和保温炉之间相连通,通过暗孔将铜液溢流至保温炉中,避免转炉时二次氧化。
[0019]结晶器本体I内部设有用于铜液结晶通过结晶腔,结晶器本体水平设置,结晶器本体的结晶腔将保温炉出来的铜液结晶形成铸坯,结晶器与保温炉直接连接在一起,避免二次氧化。
[0020]结晶器本体I上设有一组进水口 2和一组出水口 3,进水口 2和出水口 3之间通过设在结晶器本体内的一组冷却通道相连通,冷却水从进水口流入,从出水口流出,将热量带出对铜铸坯进行冷却。
[0021]结晶器本体I中部设置的冷却通道密度大于结晶器本体两侧设置的冷却通道密度,与传统均匀设置不同,将冷却通道靠中不均匀分布,增强中间部位的冷却水强度,适度利用边部自然降温的优势相结合,使整个冷却区域实现冷却均匀化,铸坯内部晶粒均匀,产品内部无疏松、细裂现象。
[0022]结晶器本体I上在每个进水口 2附近设置一组分水口 4,分水口 4连通对应的冷却通道,冷却通道再通过设置在结晶器本体上汇集通道5与对应的出水口 3相连通。
[0023]结晶器本体I上的进水口靠保温炉侧设置,出水口远离保温炉侧设置,进水口为并排设置的一组,结晶器本体中部的进水口设置密度大于结晶器本体两侧进水口设置密度;出水口为并排设置的一组,结晶器本体中部的出水口设置密度大于结晶器本体两侧出水口设置密度,强化中间部位的水冷却。
[0024]冷却通道内部设有倾斜的水冷沟槽6,靠保温炉侧水冷沟槽6的深度大于远离保温炉侧水冷沟槽6的深度,即倾斜方向为保温炉的近端至远离端,形成斜坡状的沟槽,靠保温炉侧为高位置;其中,水冷沟槽为波浪式沟槽。
[0025]斜坡状的沟槽,将冷却面形成渐强式冷却面,避免一次急剧冷却造成结晶晶间裂问题的发生,铜铸坯冷却均匀,铸坯内部晶粒均匀,增加了成材率,提升了产品质量。
[0026]适度增长结晶器的铜套及石墨模具的长度,延缓铸坯过快接触空气,而造成表面氧化的问题。
[0027]上面结合附图对本发明进行了示例性描述,显然本发明具体实现并不受上述方式的限制,只要采用了本发明的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进,或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于紫铜水平连铸的结晶器,所述结晶器设在连铸的保温炉的出口处,其特征在于:包括结晶器本体,所述结晶器本体内部设有用于铜液结晶通过结晶腔,所述结晶器本体上设有进水口和出水口,进水口和出水口之间通过设在结晶器本体内的一组冷却通道相连通,结晶器本体中部设置的冷却通道密度大于结晶器本体两侧设置的冷却通道密度。
2.如权利要求1所述用于紫铜水平连铸的结晶器,其特征在于:所述结晶器本体上的进水口靠保温炉侧设置,出水口远离保温炉侧设置。
3.如权利要求1所述用于紫铜水平连铸的结晶器,其特征在于:所述进水口为并排设置的一组,结晶器本体中部的进水口设置密度大于结晶器本体两侧进水口设置密度。
4.如权利要求1所述用于紫铜水平连铸的结晶器,其特征在于:所述出水口为并排设置的一组,结晶器本体中部的出水口设置密度大于结晶器本体两侧出水口设置密度。
5.如权利要求1所述用于紫铜水平连铸的结晶器,其特征在于:所述冷却通道内部设有倾斜的水冷沟槽,靠保温炉侧水冷沟槽的深度大于远离保温炉侧水冷沟槽的深度。
6.如权利要求5所述用于紫铜水平连铸的结晶器,其特征在于:所述水冷沟槽为波浪式沟槽。
【专利摘要】本发明公开了一种用于紫铜水平连铸的结晶器,所述结晶器设在连铸的保温炉的出口处,包括结晶器本体,所述结晶器本体内部设有用于铜液结晶通过结晶腔,所述结晶器本体上设有进水口和出水口,进水口和出水口之间通过设在结晶器本体内的一组冷却通道相连通,结晶器本体中部设置的冷却通道密度大于结晶器本体两侧设置的冷却通道密度。铜铸坯冷却均匀,铸坯内部晶粒均匀,产品内部无疏松、细裂现象;铜水平连铸后为光亮带坯不需要二次铣面,增加了成材率,提升了产品质量。
【IPC分类】B22D11-045, B22D11-055
【公开号】CN104741553
【申请号】CN201510206433
【发明人】吴平
【申请人】安徽众源新材料股份有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年4月27日
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