Ag合金膜形成用溅射靶及Ag合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金导电膜、Ag合金半透明膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种用于形成Ag合金膜（Ag合金反射膜、Ag合金导电膜、Ag合金半透 明膜）的Ag合金膜形成用派射革E及Ag合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金导电膜、Ag合金半 透明膜，所述Ag合金膜用于在显示器或照明中使用的发光元件及光记录用光盘等的光反 射层、触摸面板等的配线、红外线阻隔膜和透明导电膜等。
[0002] 本申请主张基于2013年1月23日于日本申请的日本专利申请2013-010070号及 2014年1月14日于日本申请的日本专利申请2014-004584号的优先权，并将其内容援用于 此。
【背景技术】
[0003] 通常，出于提高出光效率的目的，在有机EL或反射型液晶等显示器、LED等发光元 件或光记录用光盘等上形成有光反射层。其中，由Ag及Ag合金构成的Ag膜及Ag合金膜 的反射率高，因此被广泛用作上述光反射层。
[0004] 例如，专利文献1中公开有作为有机EL元件的反射电极的构成材料而使用Ag合 金的内容。
[0005] 专利文献2公开有作为半导体发光元件的电极的构成材料而使用以高效率反射 光的Ag或Ag合金的内容。
[0006] 专利文献3中公开有作为光存储介质的反射层的构成材料而使用Ag或Ag合金的 内容。
[0007] 并且，Ag膜及Ag合金膜除上述用途之外，还用于光学仪器用反射镜、太阳电能池 用反射膜、照明装置的反射器等中。
[0008] 另一方面，上述Ag膜及Ag合金膜的导电性也很优异，因此例如专利文献4中所公 开的，也被用作触摸面板的引出配线。此外，如同专利文献5中所记载，膜厚较薄的Ag膜也 被用作半透明膜。由Ag构成的半透明膜也被用作显示器用透明导电膜或底部发射方式的 有机EL的阴极。
[0009] 专利文献1 :日本专利公开2012-059576号公报
[0010] 专利文献2 :日本专利公开2006-245230号公报
[0011] 专利文献3 :日本专利公开2004-322556号公报
[0012] 专利文献4 :日本专利公开2009-031705号公报
[0013] 专利文献5 :日本专利第4395844号公报
[0014] 然而，虽然由纯Ag构成的Ag膜的反射率或透射率等光学特性优异，但耐环境性 (对于耐湿环境的耐性）不够充分，因此在使用环境下反射率或透射率等光学特性下降，因 此在长期使用中存在可靠性问题。
[0015] 并且，上述发光元件或显示器中，在其制造过程中进行高温热处理，因此有可能在 经热处理之后Ag膜或Ag合金膜的反射率下降，而无法发挥充分的特性。因此要求在尽可 能维持接近纯Ag膜的高反射率的同时，反射率在热处理之后也不下降的Ag合金膜。
[0016] 此外，将由纯Ag构成的Ag膜用作配线时，存在导致在湿热环境下产生粒子生长并 使比电阻值变动的问题。并且，纯Ag的耐盐水性、耐热性、耐湿性等各种耐性不够充分，因 此有可能导致Ag膜在使用环境下或制造工艺中变质。
【发明内容】
[0017] 该发明鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种能够形成如下Ag合金膜的Ag 合金膜形成用派射革E、Ag合金膜、由该Ag合金膜构成的Ag合金导电膜、Ag合金反射膜及 Ag合金半透明膜，即所述Ag合金膜的反射率或透射率等光学特性优异且具有较低的比电 阻值，并且耐热性、耐环境性等各种耐性优异，反射率在热处理之后也不会产生大的变化， 反射率或透射率等光学特性及比电阻值在使用环境下也不会产生大的变化。
[0018] 为了解决上述课题，本发明的Ag合金膜形成用溅射靶，其中，其具有如下组成，即 0. 2原子％以上2. 0原子％以下的Sb、0. 05原子％以上1. 00原子％以下的Mg，余量由Ag 和不可避免杂质构成。
[0019] 如此构成的本发明的Ag合金膜形成用溅射靶中，Sb的含量为0. 2原子％以上，因 此能够提高耐热性及耐环境性，并且在成膜后的制造过程中即便进行热处理等也能够抑制 反射率产生大的变化，并且即便长期使用反射率或透射率等光学特性及比电阻值也不会产 生大的变化。并且，Sb的含量为2.0原子％以下，因此在刚成膜之后也能够确保优异的光 学特性和较低的比电阻值。
[0020] 并且，Mg的含量为0. 05原子％以上，因此能够抑制Ag的粒子生长，且通过与Sb的 协同效应能够大幅提尚耐热性，并且也能够提尚耐盐水性。并且，Mg的含量为1. 00原子％ 以下，因此能够确保优异的光学特性和较低的比电阻值，并且在湿热环境下能够抑制反射 率或透射率等光学特性及比电阻值产生较大变化。
[0021] 鉴于以上几点能够形成如下Ag合金膜，即刚成膜之后的光学特性优异且具有较 低的比电阻值，并且，即便在成膜后的制造过程经历热处理等，反射率也不会产生大的变 化，反射率或透射率等光学特性及比电阻值在使用环境下也不会产生大的变化。
[0022] 在此，本发明的Ag合金膜形成用溅射靶中所含有的Sb与Mg的原子比优选为 1. 0 彡 Sb/Mg 彡 40. 0。
[0023] 此时，能够形成在湿热环境下的反射率及电阻值的变化较少的Ag合金膜。
[0024] 本发明的Ag合金膜，使用上述Ag合金膜形成用溅射靶来成膜。
[0025] 如此构成的本发明的Ag合金反射膜，耐热性、耐环境性等各种耐性优异，即便成 膜后的制造过程中经历热处理等，反射率也不会产生大的变化，反射率或透射率等光学特 性及比电阻值在使用环境下不会产生大的变化。
[0026] 本发明的Ag合金反射膜，使用上述Ag合金膜形成用溅射靶来成膜。
[0027] 如此构成的本发明的Ag合金反射膜，耐热性、耐环境性等各种耐性优异，即便在 成膜后的制造过程中经历热处理等，反射率也不会下降，反射率在使用环境下也不会产生 大的变化，因此作为LED等发光元件或有机EL或反射型液晶等显示器、或光记录用光盘等 的光反射膜尤为适合。
[0028] 本发明的Ag合金导电膜，使用上述Ag合金膜形成用溅射靶来成膜。
[0029] 这样构成的Ag合金导电膜，耐环境性、耐盐水性等各种耐性优异，在使用环境下 不会因腐蚀而产生外观变化，因此作为导电膜尤为优异。
[0030] 本发明的Ag合金半透明膜，使用上述Ag合金膜形成用溅射靶来成膜。
[0031] 这样构成的Ag合金半透明膜，耐环境性优异，透射率在使用环境下不会产生大的 变化，因此作为半透明膜尤为优异。
[0032] 在此，本发明的Ag合金反射膜，波长405~550nm的反射率优选为85%以上。
[0033] 并且，本发明的Ag合金导电膜，比电阻优选为10μ Ω · cm以下。
[0034] 此外，本发明的Ag合金半透明膜，膜厚15nm以下且波长350~850nm下的平均透 射率优选为35%以上。
[0035] 如上所述，根据本发明能够提供一种能够形成如下Ag合金膜的Ag合金膜形成用 溅射靶、Ag合金膜、由该Ag合金膜构成的Ag合金导电膜、Ag合金反射膜及Ag合金半透明 膜，即所述Ag合金膜的反射率或透射率等光学特性优异且具有较低的比电阻值，并且耐热 性、耐环境性等各种耐性优异，反射率在热处理后也不会产生大的变化，反射率或透射率等 光学特性及比电阻值在使用环境下也不会产生大的变化。
【附图说明】
[0036] 图1为表示实施例2中恒温恒湿试验后的外观观察结果被评为"B"的例子的照片。
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