一种Cu-Sn/Sn-Au双复合镀层极薄钢带的生产方法

文档序号:9271271阅读:311来源:国知局
一种Cu-Sn/Sn-Au双复合镀层极薄钢带的生产方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种钢带的生产方法,具体属于一种化-Sn/Sn-Au双复合锻层极薄钢 带的生产方法。
【背景技术】
[0002] 极薄锻Au钢带由于其具有较薄的厚度、优良的表面性能、导电性能、导热性能和 耐热性能,广泛应用于光电子行业,用W生产精密半导体、电子巧片或者特殊光源,市场需 求量极大。
[0003] 目前,生产锻Au钢带主要是在冷轴带钢表面连续分段电锻化、Ni、Au单金属,形成 传统的化-Ni-Au复合锻层。尽管该工艺历史悠久,但其存在W下难W解决的问题,即;一是 该锻层W化为基底,容易发生氧化,造成锻层的稳定性下降。此外,一旦腐蚀介质通过Au 层的裂纹和针孔,穿过Ni和化的孔隙到达化基体,由于化基体是腐蚀电偶的阳极,很快 就会腐蚀出现诱点。二是如果采用连续电锻,在电锻Au的过程中,需要使用剧毒的氯化物 做电锻液,该会严重污染环境。=是钢带经过连续电锻后,表面容易纯化,所得复合锻层的 综合性能难W控制。四是连续电锻过程导致生产能耗较大,废液较多。特别是生产中需要 使用大量的贵重金属Ni和Au,生产成本颇高。
[0004][0005][0006][0007][0008]通过对现有技术进行分析,本申请认为,如果W高性价比的碳素钢作为原料钢种, 采用合适的轴制及热处理工艺控制原料的厚度和力学性能,并通过连续热喷涂工艺,使钢 带表面形成具有优良表面性能、导电性能、导热性能及耐热性能的复合锻层,就有可能生产 出光电子行业需要的极薄锻Au钢带,解决当前该技术领域存在的问题。

【发明内容】

[0009]本发明针对现有技术存在的不足,提供一种具有优良的表面性能、导电性能、导热 性能和耐热性能,完全满足光电子行业要求的化-Sn/Sn-Au双复合锻层极薄钢带及其生产 方法。
[0010] 实现上述目的的措施: 一种化-Sn/Sn-Au双复合锻层极薄钢带的生产方法,其步骤; 1) 采用冷轴碳素钢板作为原料,进行第一次退火,控制退火温度为600~640 °C,保温 时间为30~40min; 2) 进行冷轴,控制轴制道次数为5或6道次,总压下率为77~90% ;冷轴结束后进行脱 脂; 3) 经开卷、分条、去毛刺后,进行热喷涂化-Sn;控制化与Sn粉末均匀混合,平均粒径 为0. 2~0. 4化,Cu与Sn的浓度比例为1:1~2:1,喷涂速度为400~500m/s,沉积率为0. 3~0. 5 kg/h; 4) 进行第二次退火,控制退火温度为400~450 °C,保温时间为25~35min; 5) 进行热喷涂Sn-Au;控制Sn与Au粉末均匀混合,平均粒径为0. 1~0. 2化,Sn与Au 的浓度比例为1:4~1:5,喷涂速度为300~350m/s,沉积率为0. 1~0. 2kg/h; 6) 进行第S次退火,控制退火温度为380~420 °C,保温时间为20~30min; 7) 进行空冷并卷取。
[0011] 本申请为了实现上述目的,进行了大量的试验及分析,经过优化选择,采用普通的SPCC冷轴钢板作为原料巧,采用一次退火+ -次冷轴+热喷涂化-Sn+二次退火+热喷涂 Sn-Au+S次退火的工艺进行生产。之所W该样选择,是因为;一是W普通的碳素钢SPCC作 为原料钢种,可W降低原料成本。二是通过一次冷轴+ =次退火,既能保证冷轴原料及产品 的厚度和力学性能,又能促进锻层的合金化过程,提高锻层的表面性能。=是用低成本的Sn 来完全或者部分替代贵金属Ni和Au,并充分发挥Sn的作用。一方面,先在钢基上热喷涂一 层化-Sn合金来取代化金属单层,可W明显增强基底的耐蚀能力和稳定性。另一方面,用 热喷涂Sn-Au来替代电锻Ni+电锻Au,无需使用剧毒的氯化物,保护了环境。与连续电锻相 比,热喷涂过程速度快、原料浪费少,锻层厚度精确可控。另外,相对于Au金属单层,Sn-Au 合金既可W保证锻层的性能,又能显著降低贵金属Au的用量,降低生产成本。四是在热喷 涂过程中,进行两次退火处理,既可W调节产品的力学性能,降低锻层的内应力,又能将锻 层表面残存的氧化物去除,保证锻层的表面光洁度。
[0012] 与现有普通钢带相比,本发明生产的钢带,其厚度为0. 1~0.2mm,抗拉强度为 300~350MPa,延伸率为38~45%。表面生成了一层均匀致密、附着力强、厚度为8~12化 的化-Sn/Sn-Au双复合锻层,锻层呈现光亮的金黄色,表面硬度为100~120HV,粗趟度为 0. 1~0. 2化,镜面反射率为94~99%,在常规环境下放置720d后,锻层失光率不超过0. 5%, 产品的表面性能良好。电阻率为14~18 ?cm,热导率为60~75W/m,°C,产品的导电和 导热性能良好。在350~400 °C下保持480h后,表面氧化面积不超过0.1%,硬度值变化率 不超过0.3%,产品的耐热性能良好。产品性能完全满足光电子行业的需要。特别是采用热 喷涂化-Sn+热喷涂Sn-Au工艺后,解决了传统工艺生产所带来的成本高、浪费大、污染重、 效率低的问题。
【具体实施方式】
[0013] 下面对本发明予W详细描述: 表1为本发明各实施例及对比例的冷轴工艺参数列表; 表2为本发明各实施例及对比例的制带工艺参数列表; 表3为本发明各实施例及对比例的产品性能列表。
[0014]W下各实施例按照W下生产步骤生产: 1) 采用冷轴碳素钢板作为原料,进行第一次退火,控制退火温度为600~640 °C,保温 时间为30~40min;所采用的冷轴碳素钢板的厚度在0. 9~1. 0mm; 2) 进行冷轴,控制轴制道次数为5或6道次,总压下率为77~90% ;冷轴结束后进行脱 脂; 3) 经开卷、分条、去毛刺后,进行热喷涂化-Sn;控制化与Sn粉末均匀混合,平均粒径 为0. 2~0. 4化,Cu与Sn的浓度比例为1:1~2:1,喷涂速度为400~500m/s,沉积率为0. 3~0. 5 kg/h; 4) 进行第二次退火,控制退火温度为400~450 °C,保温时间为25~35min; 5) 进行热喷涂Sn-Au;控制Sn与Au粉末均匀混合,平均粒径为0. 1~0. 2化,Sn与Au 的浓度比例为1:4~1:5,喷涂速度为300~350m/s,沉积率为0. 1~0. 2kg/h; 6) 进行第S次退火,控制退火温度为380~420 °C,保温时间为20~30min; 7) 进行空冷并卷取。
[0015]表1本发明各实施例及对比例的冷轴工艺参数
表2本发明各实施例及对比例的制带工艺参数
表3本发明各实施例及对比例的产品性能
从表3可W看出,本发明申请的钢带,其厚度为0.1~0.2mm;抗拉强度为300~350MPa, 延伸率为38~45% ;表面生成了一层均匀致密、附着力强、厚度为8~12化的化-Sn/Sn-Au双 复合锻层,锻层呈现光亮的金黄色;表面硬度为100~120HV,粗趟度为0. 1~0. 2化,镜面反 射率为94~99%,在常规环境下放置720d后,锻层失光率不超过0. 5%,产品的表面性能良 好;电阻率为14~18 ?cm,热导率为60~75W/m,°C,产品的导电和导热性能良好;在 350~400。C下保持480h后,表面氧化面积不超过0. 1%,硬度值变化率不超过0. 3%,产品 的耐热性能良好。产品性能完全满足光电子行业的需要。
[0016] 本【具体实施方式】仅为最佳例举,并非对本发明技术的限制性实施。
【主权项】
1. 一种Cu-Sn/Sn-Au双复合镀层极薄钢带的生产方法,其步骤: 1) 采用冷轧碳素钢板作为原料,进行第一次退火,控制退火温度为600~640 ° C,保温 时间为30~40 min ; 2) 进行冷轧,控制轧制道次数为5或6道次,总压下率为77~90% ;冷轧结束后进行脱 脂; 3) 经开卷、分条、去毛刺后,进行热喷涂Cu-Sn :控制Cu与Sn粉末均匀混合,平均粒径 为0. 2~0. 4 Mm,Cu与Sn的浓度比例为1:1~2:1,喷涂速度为400~500 m/s,沉积率为0. 3~0. 5 kg/h ; 4) 进行第二次退火,控制退火温度为400~450 ° C,保温时间为25~35 min; 5) 进行热喷涂Sn-Au :控制Sn与Au粉末均勾混合,平均粒径为0. 1~0. 2 Mm,Sn与Au 的浓度比例为1:4~1:5,喷涂速度为300~350 m/s,沉积率为0. 1~0. 2 kg/h ; 6) 进行第三次退火,控制退火温度为380~420 ° C,保温时间为20~30 min; 7) 进行空冷并卷取。
【专利摘要】一种Cu-Sn/Sn-Au双复合镀层极薄钢带的生产方法:第一次退火;冷轧;经开卷、分条、去毛刺后热喷涂Cu-Sn;第二次退火;热喷涂Sn-Au;第三次退火;空冷并卷取。本发明生产的钢带,抗拉强度为300~350MPa,延伸率为38~45%。表面镀层呈现光亮的金黄色,表面硬度为100~120 HV,粗糙度为0.1~0.2μm,镜面反射率为94~99%,在常规环境下放置720d后,镀层失光率不超过0.5%。电阻率为14~18 μΩ?cm,热导率为60~75 W/m?℃。在350~400℃下保持480 h后,表面氧化面积不超过0.1%,硬度值变化率不超过0.3%。解决了传统工艺成本高、浪费大、污染重、效率低的问题。
【IPC分类】C23C4/08, C23C4/16
【公开号】CN104988456
【申请号】CN201510360432
【发明人】黄菲, 白会平, 张彦文, 熊飞, 匡伟, 张兆丽, 刘占增, 余晓静
【申请人】武汉钢铁(集团)公司
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2015年6月26日
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