氧化物溅射靶、其制造方法及光记录介质用保护膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种氧化物溅射靶及其制造方法。具体而言，本发明涉及一种用于形 成例如使用于Blu-ray Disc (注册商标：以下称为BD)等的光记录介质用保护膜的氧化物 溅射靶及其制造方法。
[0002] 本申请主张基于2013年4月8日在日本申请的专利申请2013-080247号的优先 权，并将其内容援用于此。
【背景技术】
[0003] 近年来，随着照片和动画的高像素化，记录于光记录介质等时的数字数据增大，要 求记录介质的高容量化，已出售有作为高记录容量的光记录介质而通过双层记录方式具有 50GB的容量的BD。对于该BD，今后也要求更进一步的高容量化，盛行通过记录层的多层化 实现高容量化的研究。
[0004] 专利文献1 :日本专利公开2009-26378号公报
[0005] 专利文献2 :日本专利公开2005-228402号公报
[0006] 专利文献3 :日本专利公开2005-154820号公报
[0007] 在此，对于以往技术，以下参考上述专利文献进行说明。
[0008] 将有机色素用作记录层的类型的记录介质中，与将无机物用作记录层时相比，记 录时的激光照射引起的记录层的变形较大。因此，如上述专利文献1中记载，与其记录 层相邻的保护层中需要较低的硬度。因此，以往作为该保护层采用具有适当硬度的膜即 ZnS-Si0 2S IT0。
[0009] 然而，作为保护层采用ZnS-SiOJt，如上述专利文献2中记载，含有硫磺（S)。 因此，通过硫磺与反射膜中的金属发生反应，反射膜的反射率下降，因此作为保护层采用 ZnS-Si0 2的记录介质存在保存性较低等不良情况。并且，作为保护层采用IT0时，溅射时 经常产生颗粒，对磁盘的记录特性、保存性带来不良影响。因此，需频繁进行生产设备的清 扫，存在生产率较差的问题。而且，上述专利文献3中，提出有以将氧化锡相作为主相的氧 化锡、氧化锌及3价以上的元素的氧化物作为主成分的溅射靶。然而，该溅射靶中的组织中 的氧化锡相成为结瘤的原因，存在由此导致产生颗粒的问题。
[0010] 如此，以往技术中存在问题点，留有课题。
【发明内容】
[0011] 本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种氧化物溅射靶及其制造方 法，所述氧化物溅射靶作为光记录介质保护膜形成用靶，能够形成作为记录介质的保存性 较高、柔软且不易破裂的膜，并且能够进行直流（DC)溅射且颗粒也较少。
[0012] 本发明人等对以氧化锡（Sn02)、氧化锌（ZnO)及3价以上的元素的氧化物作为主 成分的ZnO系溅射靶进行研究的结果，得到了以下的见解。若在非氧化气氛中加压烧结作 为3价以上的元素的氧化物添加氧化铟（ln 203)的祀制造原料，贝lj产生固溶有In的Zn2Sn04 相且产生些许的氧缺陷，由此实现进一步降低靶本身的比电阻。由此，能够进行稳定的直流 (DC)溅射。并且，靶中不包含硫磺成分，因此能够抑制靶成分对被层叠的反射层的反射率 的影响。其结果，若利用该溅射靶进行溅射，则能够形成保存性较高而且柔软且不易破裂的 Sn-In-Zn-0四元系氧化膜。
[0013] 因此，本发明从上述见解出发，为了解决所述课题而采用以下构成。
[0014] (1)本发明的第一方式所涉及的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶为如下组 成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn :7at %以上及In :0. 1~35. Oat %， 余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0. 5以下，所述氧 化物烧结体具有以固溶有In的Zn2Sn04作为主相的组织。
[0015] (2)本发明的第二方式所涉及的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶为如下组 成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn :7at %以上及In :0. 1~35. Oat %， 而且含有总计为1.0~30.0 at %的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免的杂 质构成，Sn与Zn的含有原子比SrV(Sn+Zn)为0. 5以下，且Sn、Cr、Ge、Zn的含有原子比 (Sn+Cr+GeV(Sn+Cr+Ge+Zn)为0? 6以下，所述氧化物烧结体具有以固溶有In的Zn2Sn〇Jt 为主相的组织。
[0016] (3)本发明的第三方式所涉及的氧化物溅射靶的制造方法，其为所述（1)的氧化 物溅射靶的制造方法，其中，将配合Sn0 2粉末、In 203粉末及ZnO粉末并混合而获得的混合粉 末，在真空中或惰性气体中，以800~1100°C的温度加压烧成2~9小时。
[0017] (4)本发明的第四方式所涉及的氧化物溅射靶的制造方法，其为所述（2)的氧化 物溅射靶的制造方法，其中，将配合Sn0 2粉末、In 203粉末及ZnO粉末且进一步配合Cr 203粉 末及66〇2粉末中的一种以上并混合而获得的混合粉末，在真空中或惰性气体中，以800~ 1100°C的温度加压烧成2~9小时。
[0018] (5)本发明的第五方式所涉及的光记录介质用保护膜，其中，使用所述⑴的氧化 物溅射靶来溅射成膜，相对于金属成分总量，含有Sn :7at%以上及In :0. 1~35. Oat%，余 量由Zn及不可避免的杂质构成。
[0019] (6)本发明的第六方式所涉及的光记录介质用保护膜，其中，使用所述⑵的氧化 物溅射靶来溅射成膜，并且是如下成分组成的氧化物，即，相对于金属成分总量，含有Sn : 7at%以上及In :0? 1~35. Oat%，而且含有总计为1. 0~30. lat%的Ge及Cr中的一种以 上，余量由Zn及不可避免的杂质构成。
[0020] 根据本发明所涉及的氧化物溅射靶，以下成分组成的氧化物烧结体具有以固溶有 In的Zn2Sn〇Jt为主相的组织，所述成分组成为，相对于金属成分总量，含有Sn :7at%以上 及111:0.1~35.0&丨％，余量由211及不可避免的杂质构成，且311与211的含有原子比1?1 :311/ (Sn+Zn)为0. 5以下。因此，靶本身的比电阻进一步下降，能够进行稳定的直流（DC)溅射。并 且，若使用本发明的氧化物溅射靶进行溅射，则能够形成具有如下成分组成的Sn-In-Zn-0 四元系氧化物膜，而且可获得柔软且不易破裂的膜，所述成分组成为，相对于金属成分总 量，含有Sn :7at %以上及In :0. 1~35. Oat %，余量为Zn及不可避免的杂质，Sn与Zn的含 有原子比Rl:SrV(Sn+Zn)为0.5以下。具有这种膜的记录介质具有较高的保存性。因此， 由本发明的氧化物溅射靶成膜的氧化物膜适合作为使用有机色素的记录层的BD用介质保 护膜。
【附图说明】
[0021] 图1是本发明的实施例所涉及的氧化物溅射靶及光记录介质用保护膜的实施例 中，通过EPMA(电子射线显微分析仪）测定氧化物溅射靶的剖面组织的各元素的元素分布 图像。
[0022] 图2是表示实施例所涉及的透明氧化物膜形成用溅射靶的X射线衍射（XRD)的分 析结果的曲线图。
[0023] 图3是表示比较例所涉及的透明氧化物膜形成用溅射靶的X射线衍射（XRD)的分 析结果的曲线图。
【具体实施方式】
[0024] 以下，对基于本发明的实施方式的氧化物溅射靶及其制造方法的实施方式，具体 示出实施例来进行说明。
[0025] 本实施方式所涉及的氧化物溅射靶为如下成分组成的氧化物烧结体，即，相对于 金属成分总量，含有Sn :7at%以上及In :0. 1~35. Oa