真空室的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种真空室。
【背景技术】
[0002]通常，可使用真空处理设备或真空涂层装置，来处理或涂层基体，例如板形基体、玻璃板、晶片或其他载体。在此，真空处理装置可具有一个或多个真空室(也被称为部(隔间)或处理室)，以及具有运输系统，用于将分别待涂层的基体运输通过真空处理装置或通过至少一个真空室。为将基体带入真空处理装置中，或将基体带出真空处理装置，例如可使用一个或多个闸门室，一个或多个缓冲室(例如可选地)，和/或一个或多个转送室。
[0003]为将至少一个基体带入真空处理装置中，例如至少一个基体可置于通风的闸门室中，然后，带有至少一个基体的闸门室可被抽真空，且基体可分批地从抽成真空的闸门室中被运输进入真空处理装置的邻接的真空室中(例如缓冲室中)。例如，借助于缓冲室可维持基体，且可提供小于闸门室中的压力。借助于转送室，分批被置入的基体可汇集成所谓的基体带(例如相同形式的被运输的连续的系列基体)，使得在基体之间仅保留小的空隙，而基体在真空处理装置的至少一个相应设置的处理室中被处理(例如被涂层)。
【发明内容】
[0004]根据不同的实施方式提供真空室，其被模块化地构建，或其可以是模块化被构建的真空处理装置的部分。根据不同的实施方式，真空室可具有室壳体，其中，室壳体这样地被设置，即，室壳体的盖开口可通过室盖被盖住。明显地，可通过下述方式打开真空室，即，室盖被取下或掀开(打开)，且可通过下述方式闭合真空室，即，室盖被放置或合上(闭合)。
[0005]室壳体例如可这样地被设置，即，其可作为用于不同的真空室的基础室(容器)，例如室壳体可用于阀门室，其中，闸门室例如可在高真空范围中(例如在处理真空的范围中，例如在大致10 3mbar至大致10 7mbar的范围中，例如在大致10 3mbar至大致10 5mbar的范围中)被驱动。此外，室壳体可被用于缓冲室或转送室。在此，各真空室的功能或驱动类型可根据与室壳体使用的室盖而限定。例如，具有一室盖的基础室可被用作为阀门室，且具有另一室盖的基础室可被用作为缓冲室或转运室(或处理室)。为了使室壳体可被普遍使用，室壳体可具有至少一个连接法兰，用于连接前级真空栗或前级真空栗组件。由此，可在借助于室盖密封的室壳体中产生或提供直至少一个前级真空。当应在密封的室壳体中产生高真空时，其可借助于合适的室盖完成，其中，室盖例如可具有连接法兰，用于连接高真空栗或高真空栗组件，或室壳体自身可具有连接法兰，用于连接高真空栗或高真空栗组件，例如，可在室壳体的侧室壁中提供连接法兰。
[0006]明显地，不同实施方式的一个方面可在于，提供真空室(或具有相应用于匹配室壳体的室盖的室壳体)，其可有效地作为闸门室或缓冲室，其中，真空室具有尽可能小的待抽真空的内部容积，且同时可有效地被抽成至高真空范围内。在此，闸门室的效率例如涉及持续时间，该持续时间对于将闸门室从第一压力范围抽真空成第二压力范围是必要的，例如从正常大气压至高真空范围中(直至预定的处理压力)，结合所使用的措施，例如高真空栗的(例如涡轮分子栗的)数量和尺寸(栗功率)。
[0007]明显地，根据不同的实施方式，提供真空室，其使得可以在相比于高真空栗的吸气开口的直径而窄的内部容积(运输区域)的真空室中有效地动用高真空栗(例如涡轮分子栗)。例如，涡轮分子栗的抽气能力或效率可通过下述方式减小，即，当涡轮分子栗的整个吸气开口未相对于待抽真空的容积而开放时。换而言之，部分地盖住涡轮分子栗的吸气开口会导致真空室更慢地被抽真空。
[0008]明显地，前级真空的压力范围中，(例如在大致Ibar至大致10 2mbar的范围中)，由于气体在该压力范围中的流动情况，可足够借助于相对小的法兰开口对真空室抽真空，例如在大致4cm至大致1cm的范围中。相反地，在高真空范围中，相对大的法兰开口，例如在大致1cm至大致40cm的范围中，对真空室进行抽真空是必要的或有帮助的，因为在该压力范围中，气体粒子的平均自由行程大小是这样的，即，例如在大致几个厘米至大致几百米之间的范围中，真空室的几何形状、相应的法兰开口的相对位置和/或大小可在对真空室抽真空时起基本作用。
[0009]明显地，不同实施方式的一个方面可在于，这样地提供在真空室的室底部中的槽或凹部，即，露出真空室的侧室壁中的法兰开口。由此，可提供具有尽可能小的高度的运输区域，其中，运输区域可借助于侧室壁中的法兰开口被抽真空，其中，法兰开口大于运输区域的高度。换而言之，可以使得例如具有小于大致1cm的高度的运输区域，可借助于例如具有大于1cm的直径的侧室壁中的法兰开口，有效地被抽真空，因为法兰开口可借助于室底部中的槽或凹部被露出。
[0010]根据不同的实施方式，真空室可具有:带有室底部和室侧壁的室壳体(真空室壳体)，其中，室底部向下限制室壳体内的运输区域，且其中，室侧壁侧向限制室壳体内的运输区域；运输系统，用于在运输区域中运输基体；室侧壁中的至少一个连接开口，用于将高真空栗连接到室壳体，其中，该至少一个连接开口部分地被设置在室底部之下；室底部中的至少一个槽和/或凹部，其中，该至少一个槽和/或凹部露出至少一个连接开口。在此，室底部可以是基本上板形的(例如具有在大致Icm至大致5cm范围中的厚度)，且在真空室的两个相对的室侧壁之间延伸。
[0011]根据不同的实施方式，真空室可具有:带有室底部和室侧壁的室壳体，其中，室底部向下限制室壳体内的运输区域，且其中，室侧壁侧向限制室壳体内的运输区域；运输系统，用于在运输区域中运输基体；室侧壁中的至少一个连接开口，用于将高真空栗连接到室壳体，其中，该至少一个连接开口部分地被设置在运输区域之下；室底部中的至少一个槽和/或凹部，其中，该至少一个槽和/或凹部露出至少一个连接开口。在此，对于运输区域(对于真空室或室壳体的内部)露出的室底部的表面可限定底部面，其中，室侧壁中的至少一个连接开口部分地被设置在底部面之下。
[0012]根据不同的实施方式，槽和/或凹部可仅被设置在室侧壁附近的室底部的边缘上，使得运输区域的容积是尽可能地小。
[0013]此外，室壳体可具有室壳体的上侧中的盖开口。
[0014]根据不同的实施方式，真空室此外可具有室盖，用于盖住盖开口，其中，这样地设置室盖，即，盖开口在闭合状态下借助于室盖真空密封地被密封。
[0015]根据不同的实施方式，在闭合状态下，可真空密封地密封真空室，或真空室的盖开口可借助于室盖真空密封地被密封。此外，在闭合状态下，室壳体可真空密封地被密封，或室壳体的盖开口可借助于室盖真空密封地被密封。
[0016]根据不同的实施方式，室盖可这样地被设置，S卩，室盖在闭合状态下限制运输区域，例如向上限制。
[0017]根据不同的实施方式，运输系统可具有多个运输滚筒，其提供基本平行于室底部的运输面。换而言之，运输系统可具有多个运输滚筒，其中，多个运输滚筒中的运输滚筒提供运输面，其中，运输面被基本平行于室底部地定向。
[0018]根据不同的实施方式，运输区域的高度可小于10cm。换而言之，运输区域具有垂直于运输面的小于1cm的高度。
[0019]根据不同的实施方式，连接开口可以是真空室的侧室壁中的圆形通孔。此外，连接开口可以是法兰结构的一部分，或被提供作为法兰开口。根据不同的实施方式，连接开口的直径可大于10cm。
[0020]根据不同的实施方式，真空室此外可具有在运输区域内的至少一种填料，用于减小真空室的待抽真空的内部容积。
[0021]根据不同的实施方式，真空室可具有:带有盖开口的室壳体；用于这样地盖住盖开口的室盖，即，盖开口在室盖闭合时被密封，其中，室壳体的室底部这样地被设置，即，基体可在室底部与闭合的室盖之间被运输通过真空室；室壳体的室侧壁中的至少一个连接开口，用于将高真空栗连接到室壳体，其中，该至少一个连接开口部分地被布置在室底部之下；室底部