专利名称：源收集器设备、光刻设备以及器件制造方法
技术领域：
本发明涉及光刻设备以及用于制造器件的方法。
背景技术：
光刻设备是ー种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、ー个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单ー衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻技术被广泛认为是制造集成电路(ICs)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术形成的特征的尺寸变得越来越小，对于实现微型的将要制造的 IC或其他器件和/或结构来说，光刻技术正变成更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示CD = k*— (1)
1 NA其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，1^是随エ 艺变化的调节因子，也称为瑞利常数，CD是印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式 (1)知道，特征的最小可印刷尺寸减小可以由三种途径获得通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NAps或通过减小Ic1的值。为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有10-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内波长的电磁辐射。还提出，可以使用波长小于IOnm的EUV辐射，例如在5-lOnm范围内的波长，例如 6. 7nm或6. Snm波长。这种辐射被称为极紫外或软χ射线。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。通过使用等离子体可以产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以产生等离子体的激光器，和用于包含等离子体的源收集器设备(下文也称为源收集器模块或源模块)。例如通过引导激光束到燃料，例如合适材料(例如錫)的粒子或合适气体或蒸汽的束流(例如氙气或锂蒸汽)，可以产生等离子体。最终的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是镜像的正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源收集器设备可以包括包围结构，所述包围结构布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。除了辐射，等离子体辐射源的等离子体产生粒子形式的污染物，例如热化的原子、 离子、纳米簇、包括结合至缓冲气体原子的燃料原子的分子和/或微粒子。这种污染物在下文中还被称为碎片。污染物与想要的辐射一起从辐射源朝向辐射收集器输出并可以引起对正入射辐射收集器和/或其他部件的损坏。例如，使用锡(Sn)液滴以产生想要的EUV的 LPP源可以产生大量的下列形式的锡碎片原子、离子、纳米簇和/或微粒子。期望防止污染物到达辐射收集器，在那里污染物会降低EUV功率，或者防止污染物到达包围结构的一部分，在那里污染物会带来其他问题。为了尤其阻止离子，可以使用缓冲气体，但是使用这种类型的碎片缓冲，需要大流量的缓冲气体，这使得需要设置大的泵和供应大量的缓冲气体。为了减少所需要的缓冲气体的供应体积，源收集器模块的包围结构可以在包围结构内限定缓冲气体的闭合回路流动路径和驱使气体通过闭合回路流动路径的泵。热交換器可以用于去除在流动路径内流动的气体的热，并且过滤器可以用于去除在流动路径内流动的气体中的污染物的至少一部分。
发明内容
污染物的存在不仅对EUV功率具有有害的影响，而且对用于维持前述的闭合回路流量的泵的操作具有有害的影响。期望进ー步消除这些影响。根据本发明一方面，提供ー种用于极紫外辐射光刻设备的源收集器设备，其中通过激发燃料以提供发射辐射的等离子体，能够产生极紫外辐射，所述源收集器设备包括包围结构，构造并布置成限定设置在包围结构内的缓冲气体的闭合回路流动路径；泵，构造并布置成驱使缓冲气体通过所述闭合回路流动路径；和气体分解器，构造并布置成分解燃料材料和缓冲气体材料的化合物，并将所述缓冲气体材料的至少一部分供给回至闭合回路流动路径中。根据本发明一方面，提供一种光刻设备，包括照射系统，配置成调节辐射束；支撑结构，构造成保持图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化辐射束；衬底台，构造成保持衬底；投影系统，配置成将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上，和如上所述的源收集器设备。根据本发明另一方面，提供一种器件制造方法，包括将图案化辐射束投影到衬底上，其中在用于制造的极紫外辐射光刻设备的源收集器设备中；通过激发燃料以提供发射辐射的等离子体而生成极紫外辐射，并通过反射收集器收集；包括驱使缓冲气体通过穿过收集器和辐射发射等离子体之间的区域的闭合回路流动路径；分解燃料材料和缓冲气体材料的化合物；将所述缓冲气体材料的至少一部分供给回到闭合回路流动路径中。根据本发明另一方面，提供ー种光刻设备，包括源收集器设备。所述源收集器设备包括包围结构，构造并布置成限定在包围结构内的缓冲气体的闭合回路流动路径；泵，构造并布置成驱使缓冲气体通过闭合回路流动路径；气体分解器，构造并布置成分解燃料材料和缓冲气体材料的化合物，并且将所述缓冲气体材料的至少一部分供给回至闭合回路流动路径；和收集器，构造并布置成收集由燃料材料形成的等离子体发射的极紫外辐射。光刻设备还包括照射系统，配置成调节收集的极紫外辐射并形成辐射束；和支撑结构，构造成保持图案形成装置。所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化辐射束。光刻设备还包括衬底台，构造成保持衬底；以及投影系统，配置成将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上。根据本发明另一方面，提供一种器件制造方法，包括通过激发燃料以提供发射辐射的等离子体而生成极紫外辐射；用源收集器设备内的反射收集器收集辐射；驱使缓冲气体通过穿过收集器和辐射发射等离子体之间的区域的闭合回路流动路径；分解燃料材料和缓冲气体材料的化合物；将所述缓冲气体材料的至少一部分供给回闭合回路流动路径中； 图案化所收集的辐射为图案化辐射束；和将图案化辐射束投影到衬底上。根据本发明的一方面，如上所述的燃料包括锡并且如上所述的缓冲气体包括氢。
现在參照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中图1示出根据本发明一个实施例的光刻设备；图2示出图1中示出的光刻设备的源收集器设备以及投影系统和照射系统的详细视图；图3示出闭合流动路径系统，包括缓冲气体源、泵以及气体分解器；图4示出图3中的系统，还包括消除系统；图5示出图4的系统，还包括附加的气体分解器；图6示出SnH4或SnHx分解的特征时间作为温度的函数的曲线；图7示出具有插入物以在分解器表面之间提供特定特征距离d的圆形气体分解器的设计；图8示出具有缠绕或扭转插入物的气体分解器；和图9示出根据本发明实施例的沿垂直取向的气体分解器和沿水平取向的气体分解器。
具体实施例方式图1示意地示出包括根据本发明一个实施例的源收集器设备SO的光刻设备100。 所述光刻设备包括照射系统(照射器)IL,其配置用以调节辐射束B (例如EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用干支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底台WT的第 ニ定位装置PW相连；和投影系统(例如反射投影系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意組合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT 可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案将与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的反射式的。图案形成装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如 ニ元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每ー个小反射镜可以独立地傾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。与照射系统类似，投影系统可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、 磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件，或其任何組合。可以期望在EUV辐射的情况下使用真空，因为其他气体可以吸收太多的辐射。因此借助真空壁和真空泵可以在整个束路径上提供真空环境。如这里所示，光刻设备是反射类型(例如采用反射掩模)。光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台) 的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在ー个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。參照图1，所述照射器IL接收从源收集器模块SO发出的极紫外辐射束。用以产生EUV光的方法包括但不限于将材料转化为等离子体状态，其具有至少ー种元素，例如氙、 锂或錫，具有ー个或多个在EUV范围内的发射线。在一种这种方法中，通常称为激光产生等离子体(“LPP”)，等离子体可以通过使用激光束照射例如具有所需线-发射元素的材料的液滴、束或簇等燃料来产生。源收集器模块SO可以是EUV辐射系统的一部分，EUV辐射系统包括用于提供激发燃料的激光束的激光器(在图1中未示出)。最终的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块可以是分立的实体(例如当(X)2激光器被用于提供用于燃料激发的激光束)。在这种情况下，不会将激光器考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束B从激光器传到源收集器模块。在其它情况下，所述源SO可以是所述源收集器模块的組成部分(例如当所述源SO是放电产生的等离子体EUV生成器，通常称为DPP源)。所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角強度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和ο-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件， 例如琢面场和光瞳反射镜装置。后者可以是前面提到的调整器的一部分。照射器IL可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有所需的均勻性和強度分布。所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置 (例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经被图案形成装置(例如，掩模)MA反射后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2 (例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另ー个位置传感器IFl用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)ΜΑ。可以使用掩模对准标记Ml、Μ2和衬底对准标记PI、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。图中示出的光刻设备可以用于下列模式中的至少ー种1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同吋，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，単一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同吋，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，単一的动态曝光)。衬底台WT 相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(縮小)放大率和图像反转特征来确定。3.在另ー个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台) MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同吋，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式，通常可以采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT 的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。也可以采用上述使用模式的組合和/或变体，或完全不同的使用模式。图2更详细地示出投影设备100，包括源收集器设备SO、照射系统IL以及投影系统PS。源收集器模块构造并布置成使得真空环境可以保持在源收集器模块SO的包围结构 220内。在通常的设置中，包围结构220中的气氛限制为具有对带内EUV辐射相对低吸收的气体。源收集器设备SO是LPP辐射系统的一部分；激光器LA布置成将激光能量入射到例如氙( )、锡(Sn)或锂(Li)等燃料，从而产生高度电离的等离子体210，其中电子温度为几十电子伏持。在这些离子的退激发和再结合期间生成的能量辐射由等离子体发射，通过接近正入射收集器光学元件CO收集，并且被聚焦到包围结构220内的开ロ 221上。在开ロ 221处或附近形成辐射发射等离子体210的图像IF。图像IF通常被称为中间焦点。随后，辐射穿过照射系统IL，其可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置对，布置成在图案形成装置处提供辐射束21的想要的角度分布，以及在图案形成装置 (和衬底W)处提供想要的辐射强度均勻性。在辐射束21在通过支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射之后形成图案化束26，图案化束沈通过投影系统PS经由反射元件观、30 被成像到通过晶片台或衬底台WT保持的衬底W上。通常在照射光学単元IL和投影系统PS 内存在比图示更多的元件。代替作为收集器反射镜CO的接近正入射反射镜，可以应用掠入射正入射收集器。 这种收集器特征在干，围绕光轴轴对称地设置的嵌套的反射器，并优选与放电产生等离子体源(通常称为DPP源)结合使用。EUV辐射发射等离子体210包含在保持在源收集器模块SO的包围结构220内的真空环境内。除了 EUV辐射，等离子体210生成高能离子、燃料蒸汽、中性原子以及燃料微液滴形式的大量的燃料碎片。在这些类型的碎片中，对收集器CO的反射镜涂层最危险的是高能离子。收集器被高能离子轰击可能对EUV带内的反射带来有害的影响，并且因此对收集器的寿命带来有害的影响。为了提高收集器的寿命，通过提供沿收集器CO和等离子体210之间的路径222流动的缓冲气体，能够消除高能离子的影响。通常使用氢气作为缓冲气体。当高能离子行进穿过氢气，它们与H2分子相互作用，并释放它们的能量进入缓冲气体，使得即使它们到达收集器表面，它们也没有足够的能量永久地损坏收集器。通常，对于当前和未来的LPP EUV源将使用多于150slm(毎分钟标准公升)的氢气流量。为了减少缓冲气体的供给，源收集器模块SO包括位于其包围结构220内部的泵 BPS，所述泵构造并布置成驱使缓冲气体通过闭合回路流动路径。热交換器GCl可以用于去除沿流动路径流动的气体中的热，并且滤光片(图2中未示出)用于从流动路径中流动的气体中去除至少一部分污染物和碎片。应该认识到，等离子体210还产生燃料缓冲气体化合物形式的污染物。例如，在本实施例中燃料可以是锡，在这种情况下污染物包括锡氢化物，例如SnH4和/或SnHx。根据本发明的实施例的一方面，在包围结构220内部提供锡氢化物分解器TD1。应该认识到， SnH4或SnHx的克分子分数可以达到气体流量的几个百分数。为了将氢气吐供给回包围结构220，锡氢化物优选通过分解来去除，而不是通过过滤。本发明的一方面提供锡-氢化物分解器，其中锡氢化物分解是基于第一级多相反应。这种反应具有随着温度升高而升高的反应速率。因此，期望锡-氢化物分解器TDl构造并布置成使得其可以在升高的温度条件下操作，并使得通过在表面上提供足够延伸或足够长的反应区域来促进SnH4或SnHx分子和分解器表面之间的充分接触。在本实施例中锡氢化物的分解不仅会导致泵失效的较低风险，而且导致缓冲气体的较小的消耗，因为分解的氢被供给回至包围结构中。根据本发明的一方面，并且如图3所示，当腔310与腔外部的引导通路320流体连通时通过形成包围结构220实现前述闭合回路流动，并且其中泵BPS和气体分解器TDl设置在引导通路中。原则上，气体分解器可以设置在泵BPS的上游或下游。在两种情况下，锡氢化物对收集器寿命和泵寿命的有害影响可以被消除。外部引导通路320的设置可以布置成使得由SnH4或SnHx分解得到的氢气H2可以通过靠近收集器CO和等离子体210之间期望缓冲气体被最小程度污染的区域设置的ー个或多个入口 330被输送至腔310。如图3示意地示出，ー个或多个干净氢源Ql和/或Q2可以设置成与包围结构220或更具体地，与腔 310流体连通，以便补偿闭合回路流动中的氢气损失。此外，图3中例如阀CVl等一个或多个阀可以用于控制流动。气体源Ql和Q2供给干净的吐至腔310，并且干净氢气的供给流量是小份额的，约系统内流动循环的10%。在一个实施例中，干净氢气供给流量可以是系统内流动循环的5-20%范围的份额。所供给的流通过使用控制阀CVl控制。根据一方面， 泵BPS可以是泵的系统，其包括串联布置的多个泵，或并行布置的多个泵，或串联布置的多个泵结合并行布置的多个泵。泵可以是增压泵。在一个实施例中，气体分解器TDl设置在泵BPS的上游，如图4所示。来自腔310 的污染的吐通过锡-氢化物分解器TD1，其中能量最高的锡-氢化物被分解，由此防止锡沉积在增压泵栈BPS中。根据本发明的一方面，提供ー种热交換器GC1，也称为气体冷却器 GC1，构造并布置成去除在穿过外部引导通路320的流动路径中流动的气体的热，并且设置在气体分解器TDl和泵BPS之间。在冷却器GCl中，气流被冷却至室温。在该温度条件下， 锡氢化物分解花费多于10分钟，这对于SnH4或SnHx分子在不分解的情况下行进穿过增压泵栈BPS是足够长的。此外，气体可以被冷却至室温以下以减少或甚至避免在泵BPS的热的部分上的SnH4或SnHx分解。
根据本发明的一方面和如图4中进ー步示出的，在一个实施例中，引导通路320可以包括设置在泵BPS和气体分解器TDl之间以建立与消除系统AS的流体连接的泵；阀CV2 布置成控制流出包围结构且指向消除系统AS的气体的流量。系统内循环的流的小份额，约 10%被引导至消除系统AS。指向消除系统AS的份额在一个实施例中可以是系统内循环的流的5-20%范围的份额。在一个实施例中，如图5所示，提供ー种与上面描述且在图4中示出的实施例相关的附加的气体分解器TD2，设置在引导通路320内且在泵BPS的下游。应该认识到，当在这里描述的类型的锡氢化物分解器上的相对压降相对高时(可以是气体分解器以相对低的压カ条件操作的情形)，会难以实现相对高的分解效率。气体分解器TDl在与气体分解器TD2操作所处的压力相关的相对低的压カ条件下操作，使得如上所述，至少最高能量的锡-氢化物被分解，由此防止锡在增压泵栈BPS中沉积。设置另ー附加的气体分解器还可以改善源收集器模块的整个锡氢化物分解效率。在示出的实施例中，泵BPS可以压缩气体超过5倍，使得气体分解器TD2可以在与气体分解器TDl被操作所处的压力相关的相对高的压カ条件下操作，由此导致相对低的相对压降。这种设置可以消除操作气体分解器TDl 的较不利条件的影响。根据本发明一方面，以及图5进ー步示出的，提供ー种热交換器GH，所述热交換器 GH构造并布置成提供热至在所述流动路径中流动的气体，并且设置在附加的气体分解器 TD2和泵BPS之间的引导通路320中。在气体被泵BPS压缩超过5倍的情况下，气体进入气体加热器GH，在气体加热器中气体被加热至锡氢化物分解器TD2中的SnH4或SnHx可以有效分解的温度。在穿过分解器TD2之后，气体可以在热交換器或气体冷却器GC2中冷却， 热交換器或气体冷却器GC2构造并布置成从在所述流动路径内流动的气体去除热，并设置在附加的气体分解器TD2的下游的引导通路320内。接下来，基本上没有任何SnH4或SnHx 的氢气吐流可以定向通过粒子过滤器PF和气体过滤器GF，使得基本上干净吐的被供给回至腔310。在一个实施例中，如上所述的气体分解器被构造并布置成使得在穿过分解器时 SnH4或SnHx分解的特征时间tde。大于SnH4或SnHx分子的停留时间tres。方程⑵将tres表示如下
LPAし=⑵其中P[Pa]是分解器内的压力，Α[πΓ2]是平均分解器横截面，L[m]是气体穿过分解器的长度。在分解器温度条件下总的气体流量在方程⑵中用Q表示；Q可以以[Pa.nT3/ s]或毎分钟标准公升[slm]表示。例如，流量可以是300slm，分解器横截面可以与400mm 直径的圆形导管的横截面对应，在分解器内的气体行进距离可以是5m，分解器温度可以是 500°C，压カ可以是120Pa。在这种情况下，停留时间tres是0. 052秒。在图6中，绘出了 SnH4或SnHx分解的特征时间tde。，单位为秒，沿垂直轴线，作为沿水平轴线单位为摄氏度的温度的函数。由公共可用的证据获取20°C至100°C之间的数据； 大于100°C的温度条件下的点是这些数据的插值。在500°C条件下，特征时间tde。是大约10 秒，这显著大于在前面的段落中计算的停留时间tres。为了匹配数值tde。和tres，期望增加气体行进长度、气压(可能受源操作条件的限制)以及分解器温度。SnH4或SnHx分子在分解器中的停留时间应该足够长、以至于分子具有足够的时间扩散至分解器的表面。特征扩散长度Ldiff表示为
权利要求
1.ー种用于极紫外辐射光刻设备的源收集器设备，其中通过激发燃料以提供发射辐射的等离子体来产生极紫外辐射，所述源收集器设备包括包围结构，构造并布置成限定在包围结构内的缓冲气体的闭合回路流动路径； 泵，构造并布置成驱使缓冲气体通过所述闭合回路流动路径；和气体分解器，构造并布置成分解燃料材料和缓冲气体材料的化合物，并将所述缓冲气体材料的至少一部分供给回至闭合回路流动路径中。
2.如权利要求1所述的源收集器设备，其中所述包围结构包括腔，所述腔与所述腔外部的引导通路流体连通，且其中泵和气体分解器定位在引导通路中。
3.如权利要求2所述的源收集器设备，其中所述气体分解器定位在泵的上游。
4.如权利要求3所述的源收集器设备，其中构造并布置成从在所述流动路径中流动的气体去除热的热交換器定位在气体分解器和泵之间。
5.如权利要求4所述的源收集器设备，其中附加的气体分解器定位在泵的下游的引导通路中。
6.如权利要求5所述的源收集器设备，其中构造并布置成提供热至在所述流动路径中流动的气体的第二热交換器定位在引导通路中且在所述附加的气体分解器和泵之间。
7.如权利要求6所述的源收集器设备，其中构造并布置成从在所述流动路径中流动的气体去除热的第三热交換器定位在引导通路内且在所述附加的气体分解器的下游。
8.如权利要求3-7中任一项所述的源收集器设备，其中所述引导通路包括泵和气体分解器之间的出口和消除系统，所述消除系统与所述出ロ流体连接并且构造并布置成提供和控制流出包围结构的气体流动。
9.如权利要求1-8中任一项所述的源收集器设备，其中所述包围结构形成有与缓冲气体源连接的入口。
10.如权利要求1-9中任一项所述的源收集器设备，其中所述燃料包括锡并且缓冲气体包括氢。
11.如权利要求10所述的源收集器设备，其中所述化合物是锡氢化物。
12.—种光刻设备，包括 照射系统，配置成调节辐射束；支撑结构，构造成保持图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化辐射束； 衬底台，构造成保持衬底；投影系统，配置成将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上，和如权利要求1-11中任一项所述的源收集器设备。
13.一种光刻设备，包括 源收集器设备，包括包围结构，构造并布置成限定包围结构内的缓冲气体的闭合回路流动路径； 泵，构造并布置成驱使缓冲气体通过闭合回路流动路径；气体分解器，构造并布置成分解燃料材料和缓冲气体材料的化合物，并且将所述缓冲气体材料的至少一部分供给回至闭合回路流动路径；和收集器，构造并布置成收集由燃料材料形成的等离子体发射的极紫外辐射；照射系统，配置成调节所收集的极紫外辐射并形成辐射束；支撑结构，构造成保持图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化辐射束； 衬底台，构造成保持衬底；以及投影系统，配置成将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上。
14.一种器件制造方法，包括步骤通过激发燃料以提供用于发射辐射的等离子体来生成极紫外辐射； 用源收集器设备内的反射收集器收集辐射；驱使缓冲气体通过穿过收集器和所述发射辐射的等离子体之间的区域的闭合回路流动路径；分解燃料材料和缓冲气体材料的化合物；将所述缓冲气体材料的至少一部分供给回闭合回路流动路径；将所收集的辐射图案化为图案化辐射束；和将图案化辐射束投影到衬底上。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述燃料包括锡并且所述缓冲气体包括氢。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述化合物是锡氢化物。
17.如权利要求1-9中任一项所述的源收集器设备，其中所述气体分解器包括围绕至少ー个插入物的导管。
18.如权利要求1-9中任一项所述的源收集器设备，其中所述气体分解器包括围绕至少ー个缠绕或扭转的插入物的导管。
19.如权利要求10所述的源收集器设备，其中所述气体分解器包括保持在232°C之上温度的结构。
20.如权利要求19所述的源收集器设备，其中所述结构包括贮液器和排液装置。
全文摘要
本发明公开了一种EUV光刻设备(100)，包括源收集器设备(SO)，其中通过激发燃料以提供发射辐射的等离子体(210)来产生极紫外辐射。所述源收集器设备(SO)包括腔(310)，所述腔(310)与腔外部的引导通路(320)流体连通。用于循环缓冲气体的泵(BPS)是引导通路(320)的一部分，并提供闭合回路缓冲气体流(222)。流动通过引导通路(320)的气体穿过气体分解器(TD1)，其中燃料材料和缓冲气体材料的化合物被分解，使得分解的缓冲气体材料可以被供给回至闭合回路流动路径(222)中。
文档编号C01B3/50GK102576195SQ201080042458
公开日2012年7月11日 申请日期2010年9月24日 优先权日2009年9月25日
发明者D·兰贝特斯基, E·鲁普斯特拉, G·斯温克尔斯, S·皮克尔德, U·斯坦姆, V·班尼恩, W·N·帕特劳 申请人:Asml荷兰有限公司, 赛默股份公司