专利名称：一种SiCl<sub>4</sub>气体加热装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种多晶硅生产技术，特别是一种SiCl4气体加热装置。
背景技术：
多晶硅生产过程中，SiCl4气化后加热处理，现有技术中，是在炉内采用电阻丝直接加热，其不足之处在于对设备要求高，容易腐蚀，有安全隐患；而且气体在炉内流动有死角，造成局部过热，容易烧断电阻丝。
发明内容本实用新型要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提出了一种对设备腐蚀少、气体流动性好的SiC14气体加热装置。本实用新型要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的，一种SiC14气体加热装置，其特点是设有炉体，炉体上设有进气口和出气口，在炉体内壁上设有电加热排，炉体内设有与进气口和出气口相连接的换热盘管，换热盘管呈螺旋状盘绕成内、中、外三层换热柱，在内层换热柱与中间层换热柱之间设有内加热筒，在炉体内的顶部设有循环风机。本实用新型要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来进一步实现，外层换热柱与炉体内壁之间的空腔设置为气流下行通道，相邻换热柱之间的空腔设置为气流上行通道，循环风机设有与气流上行通道相对的吸风口，在循环风机的四周设有与气流下行通道相对应的导流板，在炉体底部设有气流下行通道至气流上行通道之间的导流道。本实用新型要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来进一步实现，内层换热柱的中部设有导流筒。本实用新型与现有技术相比，采用换热盘管的方式对SiCl4气体间接加热，并在炉体内通过循环风机强制内循环，加热均勻，炉体不再与SiCl4气体直接接触，对设备腐蚀少， 气体流动性好，无加热死角，设备使用寿命长，投资少。
图1为本实用新型的结构简图。
具体实施方式
一种SiC14气体加热装置，设有炉体2，炉体2上设有进气口 9和出气口 10，在炉体内壁上设有电加热排1，炉体内设有与进气口和出气口相连接的换热盘管，换热盘管呈螺旋状盘绕成内、中、外三层换热柱，在内层换热柱8与中间层换热柱6之间设有内加热筒7， 在炉体内的顶部设有循环风机3。炉体内充入高压的保护气体，进气口和出气口都设置在炉体的底部，SiC14气体从进气口 9先进入到内层换热柱8，再转到中间层换热柱6，最后到外层换热柱5，由出气口 10导出。外层换热柱5与炉体内壁之间的空腔设置为气流下行通道，相邻换热柱之间的空腔设置为气流上行通道，循环风机3设有与气流上行通道相对的吸风口，在循环风机3的四周设有与气流下行通道相对应的导流板4，在炉体底部设有气流下行通道至气流上行通道之间的导流道。内层换热柱8的中部设有导流筒11。
权利要求1.一种SiCl4气体加热装置，其特征在于设有炉体，炉体上设有进气口和出气口，在炉体内壁上设有电加热排，炉体内设有与进气口和出气口相连接的换热盘管，换热盘管呈螺旋状盘绕成内、中、外三层换热柱，在内层换热柱与中间层换热柱之间设有内加热筒，在炉体内的顶部设有循环风机。
2.根据权利要求1所述的SiCl4气体加热装置，其特征在于外层换热柱与炉体内壁之间的空腔设置为气流下行通道，相邻换热柱之间的空腔设置为气流上行通道，循环风机设有与气流上行通道相对的吸风口，在循环风机的四周设有与气流下行通道相对应的导流板，在炉体底部设有气流下行通道至气流上行通道之间的导流道。
3.根据权利要求1所述的SiCl4气体加热装置，其特征在于内层换热柱的中部设有导流筒。 专利摘要一种SiCl4气体加热装置，设有炉体，炉体上设有进气口和出气口，在炉体内壁上设有电加热排，炉体内设有与进气口和出气口相连接的换热盘管，换热盘管呈螺旋状盘绕成内、中、外三层换热柱，在内层换热柱与中间层换热柱之间设有内加热筒，在炉体内的顶部设有循环风机。外层换热柱与炉体内壁之间为气流下行通道，相邻换热柱之间为气流上行通道，循环风机设有与气流上行通道相对的吸风口，在循环风机的四周设有与气流下行通道相对应的导流板，炉体底部设有导流道。采用间接加热方式，并通过循环风机强制内循环，加热均匀，炉体不再与SiCl4气体直接接触，对设备腐蚀少，气体流动性好，无加热死角，设备使用寿命长，投资少。
文档编号C01B33/027GK202046889SQ20112009645
公开日2011年11月23日 申请日期2011年4月6日 优先权日2011年4月6日
发明者刘岗, 周大荣, 孙兵, 孙建荣, 蒋敏 申请人:连云港中彩科技有限公司