专利名称：氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩。
背景技术：
在多晶硅生产过程中，还原炉上安装有氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩，其结构是有一个筒体，在筒体的上边沿有向外侧延伸的上边沿，在筒体的外侧中部有向外侧的中沿，在中沿与上边沿之间形成间隙，在中沿的下面有向上凹的环形凹槽。现有的保护罩上边沿的外径小于中沿的外径，且中沿上面呈弧面形状，这种结构的保护罩具有表面爬电距离短、工作时易产生电弧放电或爬电等现象，并且保护罩强度低，使用寿命短。
发明内容本实用新型的目的是提供一种结构简单、杜绝电弧放电、爬电现象、安全可靠、强度高的氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩，克服现有技术的不足。本实用新型的氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩，包括筒体，在筒体的上端向外侧有上边沿，筒体的中部有向外侧的中沿，在中沿的下方设有向上凹的环形凹槽，所述的中沿的上面呈平面状，上边沿的外径与中沿的外径相同。本实用新型的氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩，其中所述的筒体的壁厚为 6. 5-7. 5毫米；位于中沿下方筒体的高度为21-23毫米。本实用新型的氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩与现有技术相比，在作业时克服了电弧放电或爬电现象，安全可靠，整体结构简单，强度高，使用寿命长。
图1是本实用新型上体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示2为筒体，其中心孔1用于插入还原炉电极。在筒体2的上边有向外侧延伸的上边沿5，上边沿5的周边呈圆弧状。筒体2的中部有向外侧延伸的中沿3，中沿3的周边为柱面。在中沿3的下面有向上方凹的环形凹槽7。中沿3与上边沿5之间形成间隙6。上边沿5的外径与中沿3的外径相同。筒体2与上边沿5和中沿3之间为一体结构。中沿3的上面4呈平面状，上面4与筒体2的中心线垂直。筒体2的壁厚D为6. 5毫米或7毫米或7. 5毫米，事实上，该尺寸与现有技术相比增厚了 50%-60%，在6. 5毫米-7. 5毫米之间均可冲沿3下方筒体2的高度H为21毫米或 22毫米或23毫米，该高度与现有技术相比加高了 8毫米，其高度在21毫米-23毫米之间均可。本保护罩不但杜绝了作业时电弧放电或爬电现象，而且还增加了强度，不易损坏，延长了使用寿命。
权利要求1.一种氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩，包括筒体(2)，在筒体(2)的上端向外侧有上边沿(5)，筒体(2)的中部有向外侧的中沿(3)，在中沿(3)的下方设有向上凹的环形凹槽(7)，其特征在于所述的中沿(3)的上面(4)呈平面状，上边沿(5)的外径与中沿(3) 的外径相同。
2.根据权利要求1所述的氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩，其特征在于所述的筒体(2)的壁厚为6. 5-7. 5毫米；位于中沿(3)下方筒体(2)的高度为21-23毫米。
专利摘要本实用新型公开了一种氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩，包括筒体，在筒体的上端向外侧有上边沿，筒体的中部有向外侧的中沿，在中沿的下方设有向上凹的环形凹槽，所述的中沿的上面呈平面状，上边沿的外径与中沿的外径相同。所述的筒体的壁厚为6.5-7.5毫米；位于中沿下方筒体的高度为21-23毫米。本实用新型的氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩与现有技术相比，在作业时克服了电弧放电或爬电现象，安全可靠，整体结构简单，强度高，使用寿命长。
文档编号C01B33/021GK202099062SQ20112009488
公开日2012年1月4日 申请日期2011年4月2日 优先权日2011年4月2日
发明者刘彤, 庄军, 董海明 申请人:刘彤, 庄军, 董海明