技术总结
本发明涉及一种溅射靶，含有化合物In2CexZnO4+2x，其中x=0.5~2。本发明还涉及一种溅射靶，该溅射靶由In2O3、CeO2及ZnO混合后烧结形成，该In2O3、CeO2及ZnO的摩尔比为1:(0.5~2):1。本发明还涉及一种溅射靶的制备方法，包括将In2O3粉末、CeO2粉末及ZnO粉末均匀混合形成一混合体，该混合体中In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1；以及将该混合体在1250°C~1650°C进行烧结。
技术研发人员：庄大明;赵明;曹明杰;郭力;詹世璐;李晓龙
受保护的技术使用者：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
文档号码：201510220030
技术研发日：2015.05.04
技术公布日：2016.12.07