1.一种具有可见光响应的碳/石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，包括如下步骤：
(1)将双氰胺或三聚氰胺放入马弗炉中煅烧，空气气氛，煅烧条件为，第一段：室温至500℃，升温速率为2℃/min-1，保温时间为4h；第二段：500℃至550℃，升温速率为1℃/min-1，保温时间为4h，自然冷却得到g-C3N4原材料；然后将一定量的g-C3N4原材料放入10mL 98wt％浓硫酸中室温搅拌8h，进行剥离，之后将溶液缓慢倒入100mL去离子水中，多次离心洗涤至中性，得到g-C3N4纳米片；
(2)将g-C3N4纳米片分散到去离子水溶液中，并加入纺丝助剂聚乙烯吡咯烷酮或聚氧化乙烯，得到纺丝前驱体；然后将纺丝前驱体进行静电纺丝，得到薄膜；静电纺丝的工艺条件是：电压6-12kV，纺丝接收距离为6-10cm，推进速度为0.005-0.02mm/s，铟锡氧化物半导体玻璃ITO玻璃放置于接收板上，接收板加热温度为80-220℃；
(3)将步骤(2)所得薄膜进行高温煅烧，煅烧气氛为N2气氛，程序升温条件为：3℃/min至500℃，保温2h，煅烧之后得到碳/石墨相氮化碳薄膜电极。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(2)中，纺丝助剂为聚乙烯吡咯烷酮(PVP)或聚氧化乙烯(PEO)，其加入量为纺丝前驱体总重量的1％-15％。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(2)中，C3N4纳米片的加入量为纺丝前驱体总重量的1％-6％。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所制备的薄膜电极组成为碳和石墨相氮化碳。