1.一种2H相单层二硫化钨纳米片的制备方法，其特征在于具体步骤为：
（1）将硫代钨酸铵和锂盐化合物按1:2摩尔比混合研磨，研磨后的混合物在惰性气体保护下于200-600℃保温1-10h，冷却至室温得到插锂的2H相硫化钨块体，所述锂盐化合物为氯化锂、醋酸锂、碳酸锂、硫酸锂或硝酸锂中的一种或多种；
（2）将插锂的2H相硫化钨块体直接置于去离子水中，辅助超声水解剥离5-30min，再将得到的悬浮液置于离心机中，经离心分离去除未剥离的沉淀物后得到2H相单层WS2纳米片悬浮液；
（3）将2H相单层WS2纳米片悬浮液在离心机上分别用水和乙醇离心洗涤去除可溶性杂质，最后将沉淀物2H相单层WS2纳米片分散于小分子溶剂中保存，该2H相单层WS2纳米片的厚度小于1nm。
2.根据权利要求1所述的2H相单层二硫化钨纳米片的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述的离心机转速为1000r/min，步骤（3）中所述的离心机转速为4000-20000r/min。
3.根据权利要求1所述的2H相单层二硫化钨纳米片的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述的小分子溶剂为水、甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、丙酮、N-甲基吡咯烷酮或N-甲基甲酰胺。