技术总结
本发明公开了一种2H相单层二硫化钨纳米片的制备方法，具体步骤为：将硫代钨酸铵和锂盐化合物按1:2摩尔比混合研磨，研磨后的混合物在惰性气体保护下于200‑600℃保温1‑10h，冷却至室温得到插锂的2H相硫化钨块体；将插锂的2H相硫化钨块体置于去离子水中，辅助超声水解剥离5‑30min，再将得到的悬浮液置于离心机中，经离心分离去除未剥离的沉淀物后得到2H相单层WS2纳米片悬浮液；将2H相单层WS2纳米片悬浮液在离心机上分别用水和乙醇离心洗涤去除可溶性杂质，最后将沉淀物2H相单层WS2纳米片分散于小分子溶剂中保存，该2H相单层WS2纳米片的厚度小于1nm。本发明工艺操作简单，反应条件温和，所用试剂价格低廉，绿色环保。
技术研发人员：常焜;汤宏伟;李苞;上官恩波;常照荣
受保护的技术使用者：河南师范大学
文档号码：201610698730
技术研发日：2016.08.22
技术公布日：2018.03.06