技术总结
本发明公开了一种利用高温超高压制备片状二硒化铂的方法，属于功能材料制备技术领域。本发明直接以单质铂和硒粉为原料，无需任何反应助剂，在高温高压下合成；本发明可通过控制合成温度和压力来调整产品的纯度，并制备出纯相、结晶性能良好、大晶粒尺寸的块体状二硒化铂(PtSe2)；本发明主要包括样品处理、样品组装、高温高压反应和退火去硒这四个步骤，制备方法简单、制备同期短，制得的二硒化铂(PtSe2)结晶性好、晶粒大，适合工业化大规模生产；本发明发展了新型的二维半导体制备方法，为二硒化铂等过渡金属硫族化合物的可控制备，以及相关二维材料在光电子器件和催化剂方面的潜在应用提供了可靠的制备手段，具有广阔的应用前景。
技术研发人员：陈远富;刘科;郑斌杰;戚飞;王新强;吴京军;贺端威;张万里;李言荣
受保护的技术使用者：电子科技大学;四川大学
文档号码：201610844233
技术研发日：2016.09.23
技术公布日：2017.02.22