1.一种熔区附加磁场装置，其特征在于，
所述磁场装置包括磁体及内外导磁板，套设于单晶炉外采用中心对称布置，用于在VGF单晶生长炉内产生磁场，其中内导磁板位于单晶炉与磁体之间，且与单晶炉和磁体相接触，外导磁板位于磁体远离内导磁板的一侧。
2.根据权利要求1所述的熔区附加磁场装置，其特征在于，
所述磁场装置还包括上磁扼以及下磁轭，上磁扼与下磁轭均连接于内导磁板及外导磁板之间且分别位于磁体的两端，内导磁板、外导磁板、上磁扼以及下磁轭共同围成空间，磁体位于该空间内。
3.根据权利要求1所述的熔区附加磁场装置，其特征在于，
所述磁体由若干块稀土钕铁硼拼接构成，环形磁体构成中心对称系统，中心磁场强度为800-900GS且磁场中心与单晶炉中晶体生长方向平行，磁感线范围完全覆盖坩埚中的溶液。
4.根据权利要求1所述的熔区附加磁场装置，其特征在于，
所述磁场装置还具有支撑架，支撑架突出于单晶炉并支撑磁体。
5.具有权利要求1-4任一所述的熔区附加磁场装置的VGF单晶生长炉，其特征在于，
所述磁场装置套置于VGF单晶炉外侧，VGF单晶炉的外炉筒与磁场装置的内导磁板接触。