技术总结
本发明提供了一种熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉，所述磁场装置包括磁体及内外导磁板，套设于单晶炉外采用中心对称布置，用于在VGF单晶生长炉内产生磁场，其中内导磁板位于单晶炉与磁体之间，且与单晶炉和磁体相接触，外导磁板位于磁体远离内导磁板的一侧。本发明采用对称的永磁场能够有效地抑制单晶炉中的熔体对流，并降低固液界面的温度波动，提高晶体质量。
技术研发人员：杨翠柏;赵有文;方聪;王凤华;董志远;高永亮;王俊
受保护的技术使用者：北京鼎泰芯源科技发展有限公司
文档号码：201611027330
技术研发日：2016.11.17
技术公布日：2017.03.15