偏压稳定型巨介电低损耗二氧化钛基复合介电陶瓷材料的制作方法

技术特征：

1.一种偏压稳定型巨介电低损耗二氧化钛基复合介电陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料的通式为(A_0.5Nb_0.5)_0.005(Ti_1-xZr_x)_0.995O₂，式中A代表In、La、Sm、Gd、Nd、Tl中的任意一种，x的取值为0.15～0.225；该陶瓷材料由下述方法制备得到：

(1)制备二氧化钛基陶瓷粉

按照(A_0.5Nb_0.5)_0.005(Ti_1-xZr_x)_0.995O₂的化学计量比，将原料A₂O₃、Nb₂O₅、ZrO₂和TiO₂加入球磨罐中，以氧化锆球为磨球、无水乙醇为球磨介质，充分混合球磨20～24小时，然后在75～85℃下烘烤8～12小时，得到二氧化钛基复合陶瓷粉；

(2)烧结二氧化钛基复合陶瓷

向二氧化钛基复合陶瓷粉中加入质量分数为5％的聚乙烯醇水溶液，聚乙烯醇水溶液的加入量是二氧化钛基复合陶瓷粉质量的5％～10％，造粒，过80目筛，用粉末压片机压制成圆柱形生坯，将圆柱形生坯在N₂气氛保护下400～500℃保温2～3小时后，以1～5℃/分钟的升温速率升温至1380～1420℃，保温10～15小时，然后以1～3℃/分钟的降温速率降温至600～850℃后随炉降至室温；

(3)陶瓷后期处理

将步骤(2)得到的陶瓷在通空气的环境下800～900℃退火1～2小时，得到偏压稳定型巨介电低损耗二氧化钛基复合介电陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的偏压稳定型巨介电低损耗二氧化钛基复合介电陶瓷材料，其特征在于：所述的A代表In或La。

3.根据权利要求1或2所述的偏压稳定型巨介电低损耗二氧化钛基复合介电陶瓷材料，其特征在于：所述x的取值为0.175～0.20。

4.根据权利要求1所述的偏压稳定型巨介电低损耗二氧化钛基复合介电陶瓷材料，其特征在于：在步骤(1)中，所述的TiO₂为金红石相TiO₂。

5.根据权利要求1所述的偏压稳定型巨介电低损耗二氧化钛基复合介电陶瓷材料，其特征在于：所述步骤(2)中，向二氧化钛基复合陶瓷粉中加入质量分数为5％的聚乙烯醇水溶液，聚乙烯醇水溶液的加入量是二氧化钛基复合陶瓷粉质量的5％～10％，造粒，过80目筛，用粉末压片机压制成圆柱形生坯，将圆柱形生坯在N₂气氛保护下500℃保温2小时后，以3℃/分钟的升温速率升温至1400℃，保温10小时，然后以3℃/分钟的降温速率降温至850℃后随炉降至室温。

6.根据权利要求1所述的偏压稳定型巨介电低损耗二氧化钛基复合介电陶瓷材料，其特征在于：所述步骤(3)中，将步骤(2)得到的陶瓷在通空气的环境下850℃退火1.5小时。