技术总结
本发明公开了一种偏压稳定型巨介电低损耗二氧化钛基复合介电陶瓷材料，该陶瓷材料的通式为(A0.5Nb0.5)0.005(Ti1‑xZrx)0.995O2，式中A代表In、La、Sm、Gd、Nd或Tl，x取值为0.15～0.225，其制备方法是将原料按照化学比例球磨混合后直接造粒过筛，成型得到陶瓷的坯体，然后在N2气氛保护下1380～1420℃烧结得到致密陶瓷，然后在通空气的环境下800～900℃退火，得到陶瓷材料。本发明陶瓷在频率为100Hz～100kHz及‑50～150℃范围内相对介电常数大于8000、介电损耗均低于0.10，拥有良好的温度稳定性，而且陶瓷的介电常数、介电损耗在偏压(0～88v/mm)范围内保持稳定。
技术研发人员：刘鹏;郭保春;宋月婵;刘冬冬;崔秀蕾
受保护的技术使用者：陕西师范大学
文档号码：201611102356
技术研发日：2016.12.05
技术公布日：2017.05.31